國際ALD設備龍頭牛津儀器獲GaN大單

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 28 日 18:16 | 分類 企業

牛津儀器?(Oxford Instruments)?宣布旗下用于GaN HEMT 器件生產的等離子原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)設備獲得多家日本代工廠的大量訂單。

這些設備將支持高增長的GaN電力電子和射頻市場,其中消費類快速充電和數據中心應用是GaN電力電子應用的最前沿,而 5G/6G 通信應用則是射頻市場的前沿應用。

Oxford Instruments的ALD技術可提供高通量、低損傷等離子處理,同時提高薄膜和界面質量,主要面向GaN HEMT器件制造商。

Oxford Instruments用于p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產認證,并將低損傷蝕刻特性和此前與LayTec AG合作的端點檢測技術Etchpoint所擁有的高準確性相結合。

圖片來源:拍信網正版圖庫

Etchpoint可以從標準高速蝕刻處理自動切換到低損傷ALE,以提高的器件可靠性。此外,ALE 還能以?±0.5 nm 的高精度實現具有臨界目標深度的部分AlGaN凹槽蝕刻,從而實現下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能。這些技術集中在一個自動處理裝置上,在真空的環境下實現多腔處理,從而有可能提高器件性能,并以更低的成本每天生產更多優質晶圓。

“日本主要電力電子和射頻市場的GaN HEMT 產量大幅提升,我們通過擴大現有和新客戶的安裝基礎而從中受益??吹结槍?GaN 表面等離子體預處理而優化的 ALD 解決方案以及帶有Etchpoint技術的ALE在日本和全球領先的GaN HEMT制造商中得到應用,我們感到非常興奮。公司完整的GaN HEMT解決方案旨在處理客戶的復雜設備難題,并提高設備產量、可靠性和正常運行時間,”Oxford Instruments GaN產品經理Aileen O’Mahony說。

GaN作為第三代半導體材料的代表之一,在電力電子和射頻通信領域有著優異的表現。據TrendForce集邦咨詢預估,全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。

ALD設備有助于實現高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件,推動GaN技術在電力電子、射頻通信等領域的廣泛應用。

目前,中國擁有最大的ALD設備市場,其次是韓國、北美、日本、歐洲。而全球ALD設備市場由外資企業占據大頭,如Veeco Instruments、Encapsulix、CVD Equipment、Oxford Instruments、ASM International等國外龍頭大廠。

反觀國內,目前有微導納米、中微半導體、北方華創、理想晶延半導體等公司正在研發和生產ALD設備。這些國內廠商在ALD設備領域取得了一定的進展,但與國際領先企業相比,仍存在一定的差距。

面對功率半導體下游市場的強勁需求,國內企業想要降低擴產風險,考慮到地緣政治影響,設備國產化勢在必行,且國內市場廣闊,設備技術升級潛在動力強勁。(集邦化合物半導體Rick編譯)

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