2月25日，香港特區(qū)政府財(cái)政司司長(zhǎng)陳茂波在立法會(huì)發(fā)表《2026至2027財(cái)政年度政府財(cái)政預(yù)算案》時(shí)宣布，香港微電子研發(fā)院第三代半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)與試產(chǎn)中試線將于2026年內(nèi)投入運(yùn)作。
陳茂波同時(shí)披露，特區(qū)政府“新型工業(yè)加速計(jì)劃”已支持兩家專注半導(dǎo)體芯片技術(shù)及設(shè)備的企業(yè)，相關(guān)項(xiàng)目總投資超15億港元；截至目前，該計(jì)劃累計(jì)支持4個(gè)項(xiàng)目，總投資約25億港元，私人投資占比超七成，有效撬動(dòng)社會(huì)資本參與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
香港微電子研發(fā)院于2024年正式成立，是特區(qū)政府布局微電子與半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心研發(fā)平臺(tái)，而第三代半導(dǎo)體中試線則是其重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，該中試線的建設(shè)聚焦碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）兩大主流第三代半導(dǎo)體材料，核心目的是補(bǔ)齊香港從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)到小規(guī)模試產(chǎn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，破解研發(fā)成果“落地難”的痛點(diǎn)。
此前2024年7月，香港微電子研發(fā)院將設(shè)立碳化硅、氮化鎵兩條中試線，協(xié)助初創(chuàng)/中小企業(yè)試產(chǎn)、測(cè)試與認(rèn)證。同月首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線啟動(dòng)，該中試線是香港科技園與麻省光子技術(shù)合作，投資約2億港元，聚焦GaN外延片工藝。
本次微電子研發(fā)院中試線投運(yùn)后，將與現(xiàn)有中試線形成互補(bǔ)協(xié)同，進(jìn)一步完善香港第三代半導(dǎo)體中試能力。
全鏈條布局發(fā)力 香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步前行
近年來(lái)，香港將第三代半導(dǎo)體列為國(guó)際創(chuàng)新科技中心建設(shè)的重點(diǎn)領(lǐng)域，依托自身雄厚的科研優(yōu)勢(shì)與持續(xù)的政策支持，穩(wěn)步推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條布局，以香港微電子研發(fā)院為核心，逐步建成多條第三代半導(dǎo)體中試線，其中元朗微電子中心8英寸碳化硅襯底良率已提升至85%，接近國(guó)際先進(jìn)水平，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的硬件支撐。
特區(qū)政府通過(guò)“新型工業(yè)加速計(jì)劃”“創(chuàng)新香港研發(fā)平臺(tái)”等一系列專項(xiàng)政策，持續(xù)加大對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、設(shè)備制造與企業(yè)落戶的支持力度，不斷強(qiáng)化資金與產(chǎn)業(yè)的精準(zhǔn)對(duì)接。
2025年6月25日，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局轄下的創(chuàng)新科技署宣布，#杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計(jì)劃”申請(qǐng)已獲評(píng)審委員會(huì)支持。該項(xiàng)目計(jì)劃在香港興建一座第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶圓生產(chǎn)設(shè)施。該晶圓廠項(xiàng)目的總預(yù)算超過(guò)7億港元，其中新型工業(yè)加速計(jì)劃將提供2億港元的資助。
如今，香港第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已逐步從研發(fā)、中試向設(shè)計(jì)、設(shè)備、應(yīng)用等環(huán)節(jié)延伸，成功吸引海內(nèi)外相關(guān)企業(yè)集聚，在功率半導(dǎo)體、射頻器件等領(lǐng)域形成了自身特色優(yōu)勢(shì)，能夠有效服務(wù)新能源、通信、汽車電子等下游市場(chǎng)，朝著產(chǎn)業(yè)化、規(guī)?；姆较蚍€(wěn)步邁進(jìn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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