近日，浙江省經(jīng)濟和信息化廳正式發(fā)布《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見稿）》（以下簡稱《規(guī)劃》），面向社會公開征求意見。
《規(guī)劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進，旨在構(gòu)建具有全球競爭力的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為建設(shè)全球先進制造業(yè)基地提供核心支撐。
《規(guī)劃》提出，到2030年浙江省集成電路產(chǎn)業(yè)營收目標(biāo)將達4500億元，而氧化鎵、金剛石等第四代半導(dǎo)體與碳化硅、氮化鎵第三代半導(dǎo)體的協(xié)同發(fā)展，將成為實現(xiàn)這一目標(biāo)的重要增長極。
寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借獨特性能構(gòu)建起差異化競爭優(yōu)勢。其中，碳化硅與氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體的核心品類，已在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用突破；氧化鎵、金剛石則作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體代表，具備更高擊穿場強、更優(yōu)熱導(dǎo)率等特性，在特高壓輸電、高端芯片散熱等高端場景擁有廣闊前景。
目前，浙江已集聚士蘭微電子、晶盛機電、鎵仁半導(dǎo)體等一批領(lǐng)先企業(yè)。在碳化硅領(lǐng)域，士蘭微電子投資120億元建設(shè)的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線于2026年1月正式通線，達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片芯片的產(chǎn)能，為新能源汽車等領(lǐng)域提供核心器件保障。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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