1月14日，上交所上市審核委員會(huì)召開2026年第1次上市審核委員會(huì)審議會(huì)議，審議蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)訊儀器”）首發(fā)事項(xiàng)，最終公司順利過(guò)會(huì)。業(yè)界指出，這是上交所2026年首單IPO過(guò)會(huì)。
圖片來(lái)源：公告截圖
資料顯示，聯(lián)訊儀器是國(guó)內(nèi)高端測(cè)試儀器設(shè)備企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為電子測(cè)量?jī)x器和半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售及服務(wù)，專業(yè)為全球高速通信和半導(dǎo)體等領(lǐng)域用戶提供高速率、高精度、高效率的核心測(cè)試儀器設(shè)備，助力人工智能、新能源、半導(dǎo)體等前沿科技行業(yè)提升產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)效率。
2022年至2024年，聯(lián)訊儀器營(yíng)業(yè)收入從2.14億元跨越式增長(zhǎng)至7.89億元；歸母凈利潤(rùn)成功扭虧為盈，2024年達(dá)到1.4億元。2025年度可實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入約11.5億元至12億元，同比增幅約45.82%至52.16%。
聯(lián)訊儀器計(jì)劃募集資金17.11億元，將投資于下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、車規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。
其中，下一代光通信測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將進(jìn)一步鞏固聯(lián)訊儀器在光通信測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；車規(guī)芯片測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目將拓展新的增長(zhǎng)點(diǎn)；數(shù)字測(cè)試儀器研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目和下一代測(cè)試儀表設(shè)備研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目將提升公司整體研發(fā)能力與技術(shù)儲(chǔ)備。
稍早之前，芯邁半導(dǎo)體與威兆半導(dǎo)體兩家功率半導(dǎo)體廠商同樣傳出IPO新進(jìn)展：
芯邁半導(dǎo)體已經(jīng)更新IPO招股書，正式推進(jìn)香港主板上市進(jìn)程，華泰國(guó)際擔(dān)任本次上市獨(dú)家保薦人。
芯邁半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于杭州，采用Fab-Lite集成器件制造商（IDM）業(yè)務(wù)模式，核心業(yè)務(wù)涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷售，產(chǎn)品覆蓋移動(dòng)技術(shù)、顯示技術(shù)和功率器件三大領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于汽車、電信設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應(yīng)用及消費(fèi)電子產(chǎn)品等多個(gè)場(chǎng)景。
在功率器件領(lǐng)域，芯邁半導(dǎo)體構(gòu)建了涵蓋硅基和碳化硅（SiC）基的完備產(chǎn)品組合。公司的核心技術(shù)涵蓋了超結(jié)MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET（SGT MOSFET）。
威兆半導(dǎo)體已向港交所主板遞交上市申請(qǐng)，廣發(fā)證券為其保薦人。
威兆半導(dǎo)體專注于高性能功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)與銷售，尤其是WLCSP（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）產(chǎn)品，該產(chǎn)品為公司主要產(chǎn)品之一。
功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)而言，威兆半導(dǎo)體的中低壓產(chǎn)品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等。在中低壓產(chǎn)品中，公司的WLCSP產(chǎn)品憑借其產(chǎn)品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強(qiáng)等特點(diǎn)，是智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴電子設(shè)備等鋰電池保護(hù)應(yīng)用的關(guān)鍵元件。公司的高壓產(chǎn)品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET，專為滿足嚴(yán)苛環(huán)境下對(duì)高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設(shè)計(jì)，被廣泛應(yīng)用于汽車電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源等應(yīng)用場(chǎng)景。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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