近日，晶盛機電在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商#瀚天天成。
新設(shè)備采用獨創(chuàng)“垂直分流進(jìn)氣”結(jié)構(gòu)，可在同一平臺兼容8/12英寸工藝，實現(xiàn)晶圓表面溫度≤±0.5℃的高精度閉環(huán)控制、工藝氣體多區(qū)獨立控制、全自動上下料及一鍵自動PM功能。
圖片來源：晶盛機電
與上一代相比，顆粒污染（LPD）下降50%，維護(hù)時間縮短30%，配套晶盛旗下浙江晶瑞SuperSiC 12英寸導(dǎo)電型襯底后，外延層厚度不均勻性＜3%，摻雜不均勻性＜8%，2mm×2mm芯片良率＞96%，關(guān)鍵指標(biāo)已對標(biāo)國際先進(jìn)水平。
公開信息顯示，晶盛機電今年在碳化硅賽道動作密集。
11月，子公司浙江晶瑞SuperSiC 12英寸導(dǎo)電型SiC襯底啟動向英飛凌、意法等國際大廠的送樣驗證。
10月，公司第2000臺半導(dǎo)體級單晶爐下線，12英寸硅/鍺單晶爐首次實現(xiàn)向韓國、新加坡客戶批量出口，帶動2025年海外收入占比提升至18%。
資本市場方面，12月13日公司公告完成董事會換屆，并啟動2025年度定增預(yù)案，擬募資不超過60億元，其中25億元將投向“年產(chǎn)120萬片12英寸SiC襯底及外延裝備產(chǎn)業(yè)化項目”，建設(shè)周期24個月。
此外，值得注意的是，今年12月18日，晶盛機電首條氮化硅陶瓷材料產(chǎn)線已于正式通線。
晶盛機電此次投產(chǎn)的氮化硅陶瓷產(chǎn)線，是繼碳化硅、金剛石之后，在散熱材料領(lǐng)域的又一重要戰(zhàn)略布局。
氮化硅陶瓷因優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性及與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)，成為高功率電子器件散熱的關(guān)鍵材料。
晶盛機電通過布局氮化硅陶瓷產(chǎn)線，完善了在散熱材料領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈布局，形成碳化硅、金剛石、氮化硅三大核心材料協(xié)同發(fā)展的格局，進(jìn)一步鞏固其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
該產(chǎn)線成功突破了流延成型、精密溫場控制等關(guān)鍵技術(shù)，實現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的國產(chǎn)化生產(chǎn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。