近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。
此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧秒，表明外延層結(jié)晶質(zhì)量高、晶格完整性良好。通過電容-電壓（C-V）法測試，外延層載流子濃度介于1.60E16cm?3至1.92E16cm?3之間，標(biāo)準(zhǔn)方差為6.08%，證實(shí)外延層電學(xué)均勻性良好。
圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為紅外反射膜厚測試曲線
圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為膜厚測試點(diǎn)位分布及對應(yīng)結(jié)果
圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為高分辨XRD搖擺曲線及對應(yīng)點(diǎn)位測試結(jié)果
圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 圖為C-V測試點(diǎn)位分布及對應(yīng)結(jié)果
此次突破具有里程碑意義。同質(zhì)外延避免了異質(zhì)外延中常見的晶格失配和熱膨脹系數(shù)差異問題，能生長出高質(zhì)量的外延層，減少缺陷密度，從而使得基于同質(zhì)外延材料制造的功率器件更接近氧化鎵材料的理論性能極限，具備更低的能量損耗、更高的擊穿電壓和更穩(wěn)定的可靠性。此外，6英寸尺寸適配主流硅基半導(dǎo)體產(chǎn)線，可大幅降低下游企業(yè)的產(chǎn)業(yè)化成本。
公開資料顯示，鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料及設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗室和浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，已形成一支以中科院院士楊德仁為首席顧問的研發(fā)和生產(chǎn)團(tuán)隊。公司開創(chuàng)了鑄造法氧化鎵單晶生長新技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了8英寸單晶生長技術(shù)突破，成為國際首家掌握該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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