近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領(lǐng)域的最新研發(fā)進(jìn)展引發(fā)了行業(yè)關(guān)注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進(jìn)入送樣階段，其8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
捷捷微電：攜手科研機(jī)構(gòu)，推進(jìn)碳化硅器件研發(fā)
9月15日，捷捷微電在投資者互動平臺表示，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件。目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專利5件和實用新型專利5件，此外還有7個發(fā)明專利和2個實用新型專利處于申請受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。
捷捷微電的碳化硅器件研發(fā)成果顯著。其塑封碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）器件，憑借超快的開關(guān)速度、極低的開關(guān)損耗、便捷的并聯(lián)特性，以及卓越的耐壓和浪涌電流承受能力，在電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。2024年，捷捷微電還成功推出了1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步充實了其在碳化硅器件領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容。
三安光電：熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段
9月17日，三安光電在投資者互動平臺表示，公司持續(xù)推進(jìn)碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應(yīng)用，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段。這表明三安光電在碳化硅材料的應(yīng)用拓展上已經(jīng)取得了一定成果，有望在未來的半導(dǎo)體器件散熱領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。
此外，三安光電在碳化硅領(lǐng)域還有其他重要進(jìn)展。10月23日，三安光電宣布旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展，實現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，依托精準(zhǔn)熱場控制的自主PVT工藝，實現(xiàn)了更低成本及更低缺陷密度，產(chǎn)品進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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