近日，印度官方宣布，在印度半導(dǎo)體計(jì)劃（ISM）框架下，新增批準(zhǔn)4個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目，使ISM項(xiàng)目總數(shù)由6個(gè)增至10個(gè)。這4個(gè)項(xiàng)目涉及約460億盧比（約合37.77億元人民幣）投資。值得關(guān)注的是，這四個(gè)項(xiàng)目中包含印度首座商業(yè)化合物半導(dǎo)體晶圓廠。
據(jù)了解，該廠由印度SiCSem公司與英國(guó)Clas-SiC合作建設(shè)，位于奧里薩邦首府布巴內(nèi)斯瓦爾的 “信息谷”。該工廠專(zhuān)注于碳化硅（SiC）晶圓及器件生產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)6萬(wàn)片晶圓和9600萬(wàn)個(gè)器件，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)、國(guó)防裝備、鐵路、快充樁及光伏逆變器等領(lǐng)域。
除此之外，還包括一座先進(jìn)封裝與玻璃基板工廠，同樣位于奧里薩邦的3D Glass Solutions工廠，投資194.3億盧比，引入全球尖端的3D異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)和玻璃中介層工藝。其年產(chǎn)能規(guī)劃為69,600片玻璃基板、13,200個(gè)3DHI模塊及5000萬(wàn)個(gè)組裝單元，產(chǎn)品將服務(wù)于國(guó)防、人工智能、射頻通信及光子集成等高端領(lǐng)域。
此次印度政府批準(zhǔn)使ISM框架下的項(xiàng)目總數(shù)增至10個(gè)，累計(jì)投資突破1.6萬(wàn)億盧比（約192億美元），覆蓋半導(dǎo)體制造、封裝測(cè)試、化合物半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。印度政府通過(guò)生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵(lì)（PLI）計(jì)劃提供資金支持，旨在吸引國(guó)際技術(shù)合作并培育本土產(chǎn)業(yè)鏈。
第三代半導(dǎo)體方面，印度當(dāng)前90%的芯片依賴(lài)進(jìn)口，此次項(xiàng)目聚焦碳化硅、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在降低對(duì)海外地區(qū)的依賴(lài)，增強(qiáng)自身供應(yīng)鏈韌性。首座碳化硅晶圓廠的建設(shè)也有望將推動(dòng)印度進(jìn)入第三代半導(dǎo)體制造，使其在人工智能、5G通信等新興市場(chǎng)中具備競(jìng)爭(zhēng)力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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