近日，印度官方宣布，在印度半導(dǎo)體計劃（ISM）框架下，新增批準(zhǔn)4個半導(dǎo)體項(xiàng)目，使ISM項(xiàng)目總數(shù)由6個增至10個。這4個項(xiàng)目涉及約460億盧比（約合37.77億元人民幣）投資。值得關(guān)注的是，這四個項(xiàng)目中包含印度首座商業(yè)化合物半導(dǎo)體晶圓廠。
據(jù)了解，該廠由印度SiCSem公司與英國Clas-SiC合作建設(shè)，位于奧里薩邦首府布巴內(nèi)斯瓦爾的 “信息谷”。該工廠專注于碳化硅（SiC）晶圓及器件生產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)6萬片晶圓和9600萬個器件，產(chǎn)品將應(yīng)用于電動汽車、國防裝備、鐵路、快充樁及光伏逆變器等領(lǐng)域。
除此之外，還包括一座先進(jìn)封裝與玻璃基板工廠，同樣位于奧里薩邦的3D Glass Solutions工廠，投資194.3億盧比，引入全球尖端的3D異構(gòu)集成（3DHI）技術(shù)和玻璃中介層工藝。其年產(chǎn)能規(guī)劃為69,600片玻璃基板、13,200個3DHI模塊及5000萬個組裝單元，產(chǎn)品將服務(wù)于國防、人工智能、射頻通信及光子集成等高端領(lǐng)域。
此次印度政府批準(zhǔn)使ISM框架下的項(xiàng)目總數(shù)增至10個，累計投資突破1.6萬億盧比（約192億美元），覆蓋半導(dǎo)體制造、封裝測試、化合物半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。印度政府通過生產(chǎn)關(guān)聯(lián)激勵（PLI）計劃提供資金支持，旨在吸引國際技術(shù)合作并培育本土產(chǎn)業(yè)鏈。
第三代半導(dǎo)體方面，印度當(dāng)前90%的芯片依賴進(jìn)口，此次項(xiàng)目聚焦碳化硅、先進(jìn)封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在降低對海外地區(qū)的依賴，增強(qiáng)自身供應(yīng)鏈韌性。首座碳化硅晶圓廠的建設(shè)也有望將推動印度進(jìn)入第三代半導(dǎo)體制造，使其在人工智能、5G通信等新興市場中具備競爭力。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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