第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。
1、Wolfspeed推出第四代1200V車規(guī)級裸芯片碳化硅MOSFET
8月11日消息，Wolfspeed推出第四代 (Gen 4) 1200V車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片MOSFET系列，專為嚴(yán)苛的汽車環(huán)境設(shè)計。Wolfspeed第四代高性能碳化硅MOSFET，可在185°C下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
圖片來源：Wolfspeed
該系列產(chǎn)品采用無封裝裸芯片設(shè)計，可靈活集成于各類定制模塊中。憑借高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)及低電容等卓越特性，該器件成為汽車動力總成系統(tǒng)與電機驅(qū)動應(yīng)用的理想解決方案。
Wolfspeed介紹，上述產(chǎn)品具備車規(guī)級認(rèn)證、高阻斷電壓、抗閂鎖效應(yīng)、高柵極電阻以及高電容比等特性，通過降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗提升系統(tǒng)效率，助力減小系統(tǒng)體積、減輕系統(tǒng)重量、減少冷卻需求，支持高開關(guān)頻率工作，易于并聯(lián)，兼容標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動設(shè)計，可應(yīng)用于汽車動力總成、電機驅(qū)動、固態(tài)斷路器、諧振拓?fù)涞阮I(lǐng)域。
2、英諾賽科發(fā)布100V低邊驅(qū)動IC
近期，英諾賽科 (Innoscience) 推出全球首款100V低邊驅(qū)動器芯片 INS1011SD，旨在優(yōu)化40V至120V雙向VGaN?的柵極驅(qū)動，簡化 BMS（電池管理系統(tǒng)）中的低邊電池保護，并消除笨重復(fù)雜的背靠背 Si MOS設(shè)計。
圖片來源：英諾賽科
英諾賽科介紹，該款產(chǎn)品具備以下優(yōu)勢：
超低功耗：8uA典型靜態(tài)電流，極大延長電池待機時間
高速開關(guān)：具備高速開通和關(guān)斷能力，能夠快速響應(yīng)故障保護系統(tǒng)
強驅(qū)動力：能夠驅(qū)動多顆VGaN?并聯(lián)，滿足大電流應(yīng)用
廣泛兼容性：兼容主流AFE和MCU控制邏輯
寬工作電壓與高耐壓：VCC提供從8V-90V的電壓范圍，且關(guān)鍵引腳耐壓高
標(biāo)準(zhǔn)封裝：標(biāo)準(zhǔn)SOP-8封裝，方便使用和貼裝
隨著上述產(chǎn)品發(fā)布，英諾賽科完成了從單一VGaN?系列到“ VGaN?+專用驅(qū)動”的完整解決方案的邁進，推動氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更廣泛、更便捷的應(yīng)用，構(gòu)建完善生態(tài)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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