7月1日，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）宣布，與全球領(lǐng)先的晶圓代工廠力積電（Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation, PSMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作。
此次合作的核心在于正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的200mm硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。此舉旨在顯著提升供應(yīng)鏈韌性、加速技術(shù)創(chuàng)新，并優(yōu)化成本效益，從而推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車（EV）、太陽(yáng)能以及智能手機(jī)和家電等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。
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圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體
強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，擴(kuò)大GaN制造規(guī)模
納微半導(dǎo)體計(jì)劃利用力積電位于中國(guó)臺(tái)灣新竹竹南科學(xué)園區(qū)8B工廠的200毫米產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)。該工廠自2019年投入運(yùn)營(yíng)以來(lái)，已展現(xiàn)出支持包括微型LED到射頻氮化鎵器件在內(nèi)的多種高產(chǎn)能氮化鎵制造流程的強(qiáng)大實(shí)力。
力積電憑借其先進(jìn)的180nm CMOS工藝能力，將為納微提供更小、更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。納微寬禁帶技術(shù)平臺(tái)高級(jí)副總裁Sid Sundaresan博士表示，在180nm工藝節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)200mm硅基氮化鎵，將使公司能夠持續(xù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同時(shí)大幅提升成本控制、規(guī)?；芰椭圃炝悸省?/p>
此次合作中，力積電將為納微半導(dǎo)體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合，以滿足48V基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)氮化鎵日益增長(zhǎng)的需求，特別是針對(duì)超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車。首批器件預(yù)計(jì)將于2025年第四季度完成認(rèn)證。其中，100V系列計(jì)劃于2026年上半年在力積電率先投產(chǎn)，而650V器件將在未來(lái)12-24個(gè)月內(nèi)從納微現(xiàn)有的供應(yīng)商臺(tái)積電逐步轉(zhuǎn)由力積電代工。
行業(yè)背景顯示，納微半導(dǎo)體此前的GaN功率IC主要在臺(tái)積電的晶圓廠進(jìn)行生產(chǎn)，早期報(bào)道指出納微可能利用的是臺(tái)積電的6英寸晶圓廠工藝，其GaN-on-Si生產(chǎn)利用成本效益高且廣泛可用的250-350納米設(shè)備，保持了較低的制造成本。此次向力積電的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)移，不僅是產(chǎn)能的擴(kuò)展，更是納微半導(dǎo)體在供應(yīng)鏈多元化、風(fēng)險(xiǎn)分散及成本效益優(yōu)化方面的重要戰(zhàn)略部署，旨在充分利用200mm晶圓生產(chǎn)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)。
技術(shù)與市場(chǎng)雙驅(qū)動(dòng)，賦能多領(lǐng)域創(chuàng)新
納微半導(dǎo)體近期在全球多個(gè)關(guān)鍵市場(chǎng)取得了顯著進(jìn)展，彰顯其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位及其廣泛的應(yīng)用潛力。
在AI數(shù)據(jù)中心與電動(dòng)汽車領(lǐng)域，納微的氮化鎵與碳化硅（SiC）技術(shù)已成功助力NVIDIA 800V HVDC架構(gòu)應(yīng)用于1兆瓦以上IT機(jī)架，充分展現(xiàn)了其在大功率解決方案上的卓越能力。在太陽(yáng)能方面，全球領(lǐng)先的太陽(yáng)能能源解決方案公司Enphase已宣布其下一代IQ9產(chǎn)品將采用納微的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片，進(jìn)一步推動(dòng)清潔能源技術(shù)的發(fā)展。
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圖片來(lái)源：納微半導(dǎo)體
特別是在車載應(yīng)用領(lǐng)域，納微的高功率GaNSafe技術(shù)憑借其通過(guò)AEC-Q100和AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的旗艦產(chǎn)品，正逐步深入商用車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓DC-DC變換器等電動(dòng)汽車核心應(yīng)用。此項(xiàng)技術(shù)已成功進(jìn)入長(zhǎng)安汽車的首款商用氮化鎵車載充電器，標(biāo)志著納微車規(guī)級(jí)GaN解決方案的商業(yè)化進(jìn)程邁出了重要一步。
而在核心技術(shù)布局方面，納微半導(dǎo)體推出了GaNSense?和GaNSlim?等先進(jìn)技術(shù)。GaNSense?技術(shù)通過(guò)將氮化鎵器件與驅(qū)動(dòng)、控制、感應(yīng)及保護(hù)功能集成，實(shí)現(xiàn)了無(wú)損可編程電流采樣，有效提升了能效并降低了損耗，該技術(shù)已應(yīng)用于Redmi K50冠軍版電競(jìng)手機(jī)的120W氮化鎵充電器中。
而GaNSlim?氮化鎵功率芯片則采用納微專利的DPAK-4L封裝，集成了智能電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能，旨在打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。納微還推出了97.8%超高效的12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源，采用氮化鎵與碳化硅混合設(shè)計(jì)，符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）要求，以及第三代快速碳化硅MOSFETs，進(jìn)一步提升AI數(shù)據(jù)中心功率并加快電動(dòng)汽車充電速度。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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