在新能源汽車產(chǎn)業(yè)加速奔向“電動化+智能化”的浪潮中，碳化硅（SiC）功率器件正不斷重塑產(chǎn)業(yè)格局。作為第三代半導體材料的代表，碳化硅憑借耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，成為電動汽車主驅逆變器、充電樁等核心部件的“理想搭檔”。
隨著技術突破與產(chǎn)業(yè)鏈成熟，車規(guī)級碳化硅市場已從概念驗證邁入規(guī)?；涞仉A段，全球車企與半導體大廠正展開激烈角逐。近期，安世半導體傳出新進展。
近期，安世半導體宣布推出D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET，這些器件此前已推出工業(yè)級版本，現(xiàn)正式獲得AEC-Q101認證，可應用于電動汽車(EV)的車載充電器(OBC)、牽引逆變器，以及DC-DC轉換器、暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)等領域。
source：安世半導體
安世半導體介紹，RDS(on)會影響導通損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數(shù)。然而，隨著器件工作溫度上升，標稱值可能會增加100%以上，從而導致相當大的導通損耗。
與通孔技術相比，采用SMD封裝技術時，溫度穩(wěn)定性顯得尤為重要，因為器件需通過PCB散熱。安世半導體認為這是制約當前眾多SiC器件性能的關鍵因素，憑借創(chuàng)新工藝技術，確保新型SiC MOSFET具備行業(yè)領先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，RDS(on)標稱值僅增加38%。
上述車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET系列產(chǎn)品，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。此外，安世半導體還計劃2025年推出17 mΩ和80 mΩ RDS(on)的車規(guī)級SiC MOSFET。（集邦化合物半導體 Flora 整理）