據(jù)長三角國際半導體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經過近兩年時間的技術研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。
該平臺采用芯粵能自主知識產權的溝槽MOSFET結構，可顯著降低比導通電阻、提高電流密度，并在確保產品可靠性的同時，有效突破平面MOSFET性能提升瓶頸問題，進一步提升芯片性能、大幅降低成本。
據(jù)悉，芯粵能第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺的1200V試制品單片最高良率超過97%，23mm2芯片尺寸下導通電阻為12.5mΩ，比導通電阻為2.3mΩ?cm2，比肩國際領先廠商主流產品性能指標，溫升系數(shù)、開關損耗、抗雪崩和抗短路能力均能有效滿足產業(yè)應用要求，2025年1月已經零失效通過HTGB、HTRB、HV-H3TRB等關鍵可靠性摸底測試的1000小時考核。
除第一代產品外，芯粵能也在積極研發(fā)布局第二代、第三代溝槽MOSFET，進一步鞏固其在國內的技術領先地位，實現(xiàn)對國際領先廠商的趕超。
此前2024年，芯粵能完成10億元A輪融資，由廣東省集成電路基金、國投創(chuàng)業(yè)等機構領投，資金將用于8英寸產線建設及市場拓展。據(jù)透露，芯粵能規(guī)劃總投資75億元，分兩期建設年產48萬片碳化硅晶圓生產線，目標在2026年實現(xiàn)產能全面釋放。（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。