3月18日，湖州市生態(tài)環(huán)境局公示了對東尼電子擴建SiC項目的環(huán)評文件審批意見。
據(jù)悉，東尼電子2021年非公開發(fā)行募投項目“年產12萬片碳化硅半導體材料”的實施地點位于湖州市吳興區(qū)織里鎮(zhèn)。該項目總投資4.69億，由子公司東尼半導體負責建設。這一項目已于2023年上半年實施完畢。
而湖州市生態(tài)環(huán)境局本次公示的項目，則是在該募投項目上的進一步擴建。
根據(jù)公告內容，東尼半導體計劃利用東尼五期廠區(qū)廠房，實施擴建年產20萬片6英寸碳化硅襯底材料項目。擴建項目主要購置長晶爐、研磨機、超聲波清洗機、切割機、拋光機、位錯檢測儀等晶體生產加工設備及檢測儀器421臺/套，形成年產20萬片碳化硅襯底材料的生產能力。
圖源：拍信網正版圖庫
無獨有偶，天岳先進、南砂晶圓等，也擴大了原有工廠的產能。
根據(jù)2022年募投計劃，天岳先進于上海臨港建設SiC襯底生產基地。項目規(guī)劃于2022年試生產、2026年達產，實現(xiàn)年產能30萬片導電型SiC襯底。
2023年下半，天岳先進決定將6英寸SiC襯底的生產規(guī)模擴大至96萬片/年，相當于產能比原計劃擴大220%。
2024年3月25日，天岳先進在投資者互動平臺表示，目前臨港工廠擴產進展順利，產品交付有序推進；臨港工廠第二階段的產能規(guī)劃也已經步入議程，公司將繼續(xù)根據(jù)下游市場和客戶需求情況，推進臨港工廠產能產量提升。
而南砂晶圓總經理王垚浩日前在接受采訪時直言，公司正在積極擴產濟南廠區(qū)，計劃將中晶芯源打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產基地，投資額15億元，于2025年實現(xiàn)滿產達產。
據(jù)悉，南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目于2023年6月12日落地山東濟南，成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。今年1月30日，中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底產業(yè)化項目正式備案。（集邦化合物半導體 Winte整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。