4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。
報道稱，在750V碳化硅功率芯片項目中，雙方技術團隊從結構設計、工藝技術、材料應用維度開展聯(lián)合攻關，推動碳化硅功率芯片技術達到國際先進水平，目前已進入產品級測試階段；
而在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開展聯(lián)合攻關，實現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產、封裝結構設計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關鍵環(huán)節(jié)的全流程自主創(chuàng)新，為碳化硅功率半導體設計與生產全自主化、全國產化打下基礎。
圖片來源：拍信網正版圖庫
據了解，圍繞國家科技創(chuàng)新和產業(yè)發(fā)展重大戰(zhàn)略需求，中國電科積極承擔事關國家安全、產業(yè)基礎和核心競爭力的重大任務，在關鍵核心技術攻關和前沿顛覆性技術布局上取得突出成效。其中，在第三代半導體領域，中國電科捷報頻傳。
中國電科13所自2004年開始對碳化硅材料、器件進行工藝研究，于2017年實現(xiàn)4英寸碳化硅電力電子工藝線批產供貨、2019年又采用改擴建方式完成了碳化硅電力電子6英寸工藝線。2022年9月，13所技術團隊又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝碳化硅SBD和第三代碳化硅MOSFET產品開發(fā)，產品指標均可對標國際一線品牌。
2022年2月，中國電科2所激光剝離項目取得突破性進展，基于工藝與裝備的協(xié)同研發(fā)，實現(xiàn)了4英寸、6英寸碳化硅單晶片的激光剝離。
2022年7月，中國電科45所宣布所研制的雙8英寸全線自動化濕法整線設備已進入國內主流FAB廠。據悉，該整線設備滿足8英寸90nm～130nm工藝節(jié)點，適用于8～12英寸BCD芯片工藝中的濕化學制程。
2022年9月，央視《非凡十年看名企》專題報道了55所在碳化硅器件領域取得的重要突破，以及產品在新能源汽車上批量應用情況。據央視財經當時消息，中國電科的碳化硅器件裝車量已經達到100萬臺，旗下企業(yè)已經實現(xiàn)了6英寸碳化硅晶片的規(guī)?；a，年產能達到15萬片，處于國內前列。2022年3月還率先發(fā)布了新一代8英寸碳化硅晶片產品。
而在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設備端，中國電科48所以外延、注入、氧化、激活等專用裝備為核心，結合立式擴散爐、PVD等通用設備和半導體芯片生產線建線經驗，實現(xiàn)國內唯一從碳化硅外延到芯片核心設備的全覆蓋，進一步助力國產碳化硅芯片制造“換道超車”。（化合物半導體市場 Winter整理）
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