文章分類： 氧化鎵

鎵仁半導體實現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 16 日 18:27 |
| 分類: 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術上取得重大突破，成功實現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。 此次鎵仁半導體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)第四代半導體氧化鎵技術取得重大進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 16 日 14:19 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氧化鎵
氧化鎵作為極具潛力的第四代半導體材料，能承受超高電壓、成本低，在電動汽車、軌道交通、5G/6G基站、智能電網(wǎng)、航空航天等系統(tǒng)中應用廣泛，被譽為下一代高功率電子器件的“明星材料”。不過，作為新興材料，氧化鎵應用仍有諸多技術瓶頸待克服。 近期，國內(nèi)氧化鎵領域頻頻傳出重大進展。 富加鎵...  [詳內(nèi)文]

金剛石基氧化鎵熱管理領域，西電研究團隊傳來喜訊！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:17 |
| 分類: 氧化鎵
近日，由西安電子科技大學集成電路學部郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授等在寬禁帶半導體材料集成領域取得取得突破性進展，研究成果以“Van der Waals β-Ga?O?thin ?lms on polycrystalline diamond substrates”為題在線發(fā)表于...  [詳內(nèi)文]

國際領先，國內(nèi)8英寸氧化鎵襯底秀最新成績單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 04 日 14:09 |
| 分類: 氧化鎵
9月3日，“鎵仁半導體”官微透露，杭州鎵仁半導體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過了國內(nèi)/國外知名機構的檢測，并聯(lián)合發(fā)布檢測結果。 深圳平湖實驗室檢測結果顯示，本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果：22~26 a...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項目迎新進展：預計8月入駐機電設備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 07 月 25 日 15:06 |
| 分類: 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目迎來新進展。 目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預計8月可進行機...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個化合物半導體項目新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 28 日 14:18 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧茫衔锇雽w正加速重構半導體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅動等領域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導體項目層出不窮。近期，兩個相關項目傳出新進展，...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵領域強強合作，國內(nèi)廠商發(fā)力！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 05 月 19 日 15:28 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
5月16日，中國氧化鎵襯底領域領先企業(yè)鎵仁半導體與德國氧化鎵外延頭部企業(yè) NextGO.Epi 簽署全球戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將依托技術優(yōu)勢協(xié)同攻關，聚焦超寬禁帶半導體材料氧化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，此次強強聯(lián)合將共同推動氧化鎵在新能源、電力電子等領域的應用突破，為全球半導體產(chǎn)業(yè)注入新動能...  [詳內(nèi)文]

亞洲氧化鎵技術迎新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 14 日 13:44 |
| 分類: 企業(yè) , 氧化鎵
從硅（Si）到砷化鎵（GaAs），再到碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），半導體材料禁帶寬度的拓寬始終驅動著性能邊界的拓展。如今，氧化鎵（Ga?O?）作為第四代超寬禁帶半導體材料的代表，正以其顛覆性的物理特性與成本優(yōu)勢，掀起一場新的半導體革命。 氧化鎵熔點高達1900℃，不溶于水...  [詳內(nèi)文]