近日，武漢光谷化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流會(huì)隆重舉行。
據(jù)會(huì)上披露，2025年光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無錫之后的“半導(dǎo)體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導(dǎo)體已明確成為光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。
目前，光谷已形成以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長飛光纖、先導(dǎo)稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設(shè)計(jì)—制造—封裝測(cè)試—設(shè)備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。
在技術(shù)創(chuàng)新層面，#九峰山實(shí)驗(yàn)室?作為核心創(chuàng)新極核，已實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)全球領(lǐng)先突破——成功研發(fā)國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國際技術(shù)壟斷，同時(shí)推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。
在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導(dǎo)稀材高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實(shí)質(zhì)開工僅4個(gè)月，預(yù)計(jì)2025年底部分投產(chǎn)，將填補(bǔ)光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底空白；長飛先進(jìn)武漢基地作為國內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，即將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。
按照規(guī)劃，在“十五五”期內(nèi)，光谷將以九峰山實(shí)驗(yàn)室等創(chuàng)新載體為圓心，全力建成存儲(chǔ)、化合物半導(dǎo)體兩大千億街區(qū)，預(yù)計(jì)新增10座晶圓廠，芯片總產(chǎn)能有望達(dá)到50萬片/月，進(jìn)一步鞏固其在全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中的重要地位。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
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