相關資訊：GaN

降本增效，德州儀器轉(zhuǎn)型8英寸GaN工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 18:00 | 分類 企業(yè)
德州儀器（TI）近日披露了在GaN功率器件工藝方面新的戰(zhàn)略規(guī)劃，該公司正在將其GaN-on-Si生產(chǎn)工藝從6英寸向8英寸過渡。 source：德州儀器 TI從6英寸轉(zhuǎn)型8英寸 3月5日，TI韓國總監(jiān)Ju-Yong Shin表示，TI正在美國達拉斯、日本會津和其他地方興建8英寸晶圓...  [詳內(nèi)文]

第三代半導體項目遍地開花
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 04 日 16:37 | 分類 功率
近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億。 總投資32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用 據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導體...  [詳內(nèi)文]

1.2億，GaN企業(yè)Wise-integration獲投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 01 日 17:45 | 分類 企業(yè)
2月29日，法國氮化鎵（GaN）電源和IC數(shù)字控制的先驅(qū)Wise-integration，宣布獲得1500萬歐元的融資（折合人民幣約1.2億元）。 本輪融資將推動該公司旗艦產(chǎn)品WiseGan和WiseWare的大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)部署，其顛覆性的數(shù)字控制技術(shù)，以及為全球采用這些解決方...  [詳內(nèi)文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導通電阻的GaN FET
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分類 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機驅(qū)動和太陽能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場上導通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內(nèi)文]

天睿半導體8英寸SiC和GaN晶圓廠項目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 21 日 18:00 | 分類 企業(yè)
2月20日，在福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會主會場及長樂分會場，長樂區(qū)簽約落地16個重大項目，其中之一為天睿半導體項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 資料顯示，福建天睿半導體有限公司成立于2023年2月，注冊資本50億人民幣，經(jīng)營范圍含電子元器件制造、批發(fā)，電力電子元器件銷售；電子...  [詳內(nèi)文]

GaN開啟了“無限復制”時代！
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 21 日 17:55 | 分類 功率
2月21日，光州科學技術(shù)院（GIST，校長Kichul Lim）宣布，學校電氣工程與計算機科學學院的Dong-Seon Lee教授的研究團隊已經(jīng)開發(fā)出了僅采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）的氮化鎵（GaN）半導體遠程同質(zhì)外延技術(shù)。 外延技術(shù)，即在半導體制造中將半導體材料生長成...  [詳內(nèi)文]

GaN收并購風云錄
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 19 日 9:07 | 分類 產(chǎn)業(yè)
收并購是市場發(fā)展不可或缺的重要手段，對于企業(yè)而言也有一定的積極影響甚至是重要意義。2023年以來，氮化鎵（GaN）相關廠商沒有停下收并購的腳步，并購進程中也有高光時刻。 據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，2023年以來GaN領域共發(fā)生8起收并購事件，其中包括涉資數(shù)十億元的大動作。 在...  [詳內(nèi)文]

總投資10億，國博射頻二期項目預計2026年投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 29 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，江蘇南京江寧開發(fā)區(qū)總投資10億元的國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化二期項目正在進行地下室主體結(jié)構(gòu)施工，預計明年7月份主體封頂，2026年正式投產(chǎn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，國博射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目由南京國博電子有限公司投資建設，占地面積約203畝，總投資30億元，新建廠房...  [詳內(nèi)文]

投資超10億，福州新區(qū)兩個GaN項目簽約
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 26 日 18:30 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，福州新區(qū)集中簽約38個重點項目，總投資超220億元，其中2個項目涉及氮化鎵（GaN），包括芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目和福州鎵谷氮化鎵外延片項目。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 其中，芯睿半導體氮化鎵晶圓廠項目由福建芯睿半導體有限公司建設。資料顯示，芯睿半導體成立于2023年1...  [詳內(nèi)文]

8.9億，思瑞浦擬收購GaN方案商創(chuàng)芯微85.26%股份
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 25 日 18:00 | 分類 企業(yè)
2023年6月9日，思瑞浦召開第三屆董事會第十七次會議、第三屆監(jiān)事會第十六次會議，審議通過了《關于<思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買資產(chǎn)并募集配套資金預案>及其摘要的議案》等相關議案，并于同日披露了《思瑞浦微電子科技（蘇州）股份有限公司發(fā)行股...  [詳內(nèi)文]