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EPC創(chuàng)始人表示：氮化鎵臨界點(diǎn)已到來
作者 |發(fā)布日期 2025 年 01 月 25 日 16:02 | 分類 企業(yè)
近日，EPC（宜普電源轉(zhuǎn)換公司）創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官AlexLidow大膽斷言，氮化鎵（GaN）技術(shù)發(fā)展的臨界點(diǎn)已然來臨。這一觀點(diǎn)在半導(dǎo)體行業(yè)中激起層層漣漪，引發(fā)廣泛關(guān)注與熱烈討論。 AlexLidow指出，當(dāng)前氮化鎵技術(shù)在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破，從基礎(chǔ)材料研發(fā)到終端應(yīng)用落地，...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個(gè)風(fēng)口？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]

EPC宣布推出首款具有1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 29 日 16:42 | 分類 功率
2月27日，EPC推出采用緊湊型3 mm x 5 mm QFN封裝的 100 V、1mΩ EPC2361 GaN FET，為DC-DC轉(zhuǎn)換、快速充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和太陽能MPPT提供更高的功率密度。 EPC稱，這是市場(chǎng)上導(dǎo)通電阻最低的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，功率密度...  [詳內(nèi)文]