相關(guān)資訊：晶圓

總投資30億元，12英寸硅基晶圓襯底項(xiàng)目正式簽約
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 04 日 15:34 | 分類 碳化硅SiC
近日，總投資30億元的集成電路級(jí)12英寸硅基晶圓襯底材料研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目投資簽約活動(dòng)舉行，該項(xiàng)目正式落地麒麟科創(chuàng)園，將為區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供支撐，助力提升我國關(guān)鍵半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化水平。 據(jù)悉，此次落地項(xiàng)目由江蘇卓航致遠(yuǎn)科技有限公司主導(dǎo)建設(shè)，該公司由江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司全資...  [詳內(nèi)文]

馬來西亞再增8英寸GaN/SiC晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 19 日 17:49 | 分類 化合物半導(dǎo)體
12月15日，愛爾蘭半導(dǎo)體企業(yè)CHIPX Global宣布，其將在馬來西亞投資建設(shè)一座8英寸GaN/SiC集成電路晶圓制造工廠。該工廠的建設(shè)計(jì)劃明確，是CHIPX Global在東盟區(qū)域布局的重要舉措。 圖片來源：CHIPX Global社交平臺(tái) 這座工廠將成為東盟區(qū)域內(nèi)首條8...  [詳內(nèi)文]

陜西首條8英寸晶圓項(xiàng)目今年9月通線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 24 日 15:15 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
據(jù)陜西新聞聯(lián)播報(bào)道，陜西電子芯業(yè)時(shí)代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目目前進(jìn)度已達(dá)95%，計(jì)劃8月中旬啟動(dòng)設(shè)備通電聯(lián)調(diào)，并定于9月正式進(jìn)入流片試生產(chǎn)階段。這標(biāo)志著西北地區(qū)首條8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線即將投入運(yùn)營。 圖片來源：陜西新聞聯(lián)播 具體而言，該工廠主體工...  [詳內(nèi)文]

龍騰半導(dǎo)體：二期晶圓產(chǎn)線進(jìn)行中
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 04 日 14:43 | 分類 功率
近期，龍騰半導(dǎo)體股份有限公司接受了《西安新聞》的專題報(bào)道。 該公司聯(lián)席CEO陳橋梁先生表示，龍騰半導(dǎo)體作為陜西省半導(dǎo)體及集成電路重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，通過不斷的技術(shù)革新、產(chǎn)品升級(jí)與IDM戰(zhàn)略布局，成功構(gòu)建了“應(yīng)用+設(shè)計(jì)+工藝+材料+設(shè)備”五位一體的融合創(chuàng)新商業(yè)模式。在8英寸功率...  [詳內(nèi)文]

印度開發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類 功率
據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 06 日 16:13 | 分類 企業(yè)
近日，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。 得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢 (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí)...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 功率
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導(dǎo)體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設(shè)備（碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備）成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備（source：通用半導(dǎo)體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

晶圓級(jí)立方SiC單晶生長取得突破
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數(shù)量級(jí))和高的電子親和勢(3...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)100mm的金剛石晶圓面世
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分類 企業(yè)
近日，總部位于加利福尼亞州舊金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一塊直徑為100毫米的單晶金剛石晶圓。 該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過來又可以改善人工智能計(jì)算和無線通信以及更小的電力電子設(shè)備。 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來沉...  [詳內(nèi)文]

德州儀器又一12吋晶圓廠動(dòng)工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 03 日 14:28 | 分類 企業(yè)
德州儀器(TI)今天表示，其位于美國猶他州李海的新12吋半導(dǎo)體晶圓制造廠破土動(dòng)工。TI總裁兼首席執(zhí)行官哈維夫·伊蘭慶祝新晶圓廠LFAB2 建設(shè)邁出了第一步，該工廠將連接到該公司現(xiàn)有的12吋晶圓廠萊希。一旦完成，TI的兩個(gè)猶他州晶圓廠每天將滿負(fù)荷生產(chǎn)數(shù)千萬個(gè)模擬和嵌入式處理芯片。 ...  [詳內(nèi)文]