文章分類： 功率

江蘇再添一碳化硅項目！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 18 日 11:15 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，連云港市生態(tài)環(huán)境局公布了對“連云港鴻蒙硅材料有限公司年產(chǎn)1.5萬噸碳化硅高級研磨材料及年產(chǎn)10萬件碳化硅陶瓷制品項目”環(huán)評文件擬審批意見。 source：連云港市生態(tài)環(huán)境局 據(jù)介紹，本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料...  [詳內(nèi)文]

英飛凌官宣，首批8英寸SiC產(chǎn)品問世

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 14:45 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 碳化硅SiC
2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產(chǎn)品。據(jù)悉，這些產(chǎn)品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再生能源、火車和電動汽車在內(nèi)的高壓應(yīng)用提供一流的碳化硅功率技術(shù)。 這一舉措標(biāo)志著英飛凌在碳化硅技術(shù)應(yīng)用上邁出了重要一步，有望進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的能...  [詳內(nèi)文]

晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 17 日 10:32 | | 分類: 功率
據(jù)最內(nèi)江消息，2月13日，四川省2025年第一季度重大項目現(xiàn)場推進(jìn)活動內(nèi)江分會場活動在晶導(dǎo)微電子功率半導(dǎo)體（IDM）內(nèi)江基地項目開工現(xiàn)場舉行。 據(jù)介紹，電子功率半導(dǎo)體內(nèi)江基地建設(shè)項目位于內(nèi)江高新區(qū)白馬園區(qū)，由山東晶導(dǎo)微電子股份有限公司投資建設(shè)，分兩期實施。 其中，一期項目將建設(shè)包...  [詳內(nèi)文]

兩大國際公司合作，聚焦鎵材料供應(yīng)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 02 月 08 日 18:48 |
| 分類: 功率
近日，西澳大利亞州珀斯的礦業(yè)公司Nimy Resources Ltd與總部位于內(nèi)華達(dá)州的M2i Global Inc（Minerals Metals Initiatives）簽署了一項不具約束力的合作協(xié)議，以確保鎵的供應(yīng)以支持美國國防部（DOD）。 此次合作不僅是國防戰(zhàn)略需求的體...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵（Ga?O?）：新興材料的無限潛力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 31 日 17:59 |
| 分類: 功率
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為未來技術(shù)的關(guān)鍵，而氧化鎵（Ga?O?）正是其中的佼佼者。憑借其優(yōu)異的特性，氧化鎵正在改變功率電子器件和光電探測領(lǐng)域的格局。 氧化鎵的定義氧化鎵（Gallium Oxide，Ga?O?）是一種化學(xué)式為 Ga?O? 的無機(jī)化合物，是鎵...  [詳內(nèi)文]

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:19 |
| 分類: 功率
1月21日，中科院微電子研究所發(fā)布消息稱，我國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功。該所劉新宇、湯益丹團(tuán)隊和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊等開展合作，成功研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅（SiC）功率器件及其電源系統(tǒng)。 這一突破標(biāo)志著我國在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域邁向新高度。...  [詳內(nèi)文]

2025開年，一批碳化硅項目刷新進(jìn)度

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 22 日 17:14 |
| 分類: 功率
2025開年，碳化硅產(chǎn)業(yè)仍然熱鬧，眾多億元級別的項目在各地紛紛取得重大進(jìn)展。 項目投資規(guī)模涵蓋范圍廣，建設(shè)內(nèi)容豐富多樣，應(yīng)用領(lǐng)域主要集中在半導(dǎo)體及相關(guān)產(chǎn)業(yè)，從材料生產(chǎn)到設(shè)備制造，再到全產(chǎn)業(yè)園區(qū)的建設(shè)，碳化硅產(chǎn)業(yè)正在形成一條具有高效協(xié)同效應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。 這些項目的推進(jìn)反映出碳化硅產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

投資3.45億美元，MACOM擴(kuò)建氮化鎵晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 01 月 17 日 18:48 |
| 分類: 功率
1月14日，美國射頻廠商MACOM宣布擬投資3.45億美元（折合人民幣約25.28億元），對其位于馬薩諸塞州和北卡羅來納州的半導(dǎo)體晶圓制造工廠進(jìn)行全面升級。 具體來看，公司馬薩諸塞州工廠將擴(kuò)建潔凈室，升級現(xiàn)有4英寸晶圓（涉及GaAs、GaN、硅和其他III-V材料）生產(chǎn)線，并引入...  [詳內(nèi)文]

機(jī)器人，氮化鎵下一個風(fēng)口？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 12 月 20 日 18:00 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 功率 , 氮化鎵GaN
氮化鎵（GaN）材料具有寬禁帶、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿電壓、化學(xué)穩(wěn)定性等特點，以及較強(qiáng)的抗輻射、抗高溫、抗高壓能力，這些特性使得氮化鎵在功率半導(dǎo)體器件、光電子器件以及射頻電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 目前，功率氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用已漸入佳境，并正在逐步向各類應(yīng)用...  [詳內(nèi)文]