近日,九峰山實驗室6英寸碳化硅(SiC)中試線全面通線,首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務能力。
實驗室開發(fā)了低表面粗糙度、高激活率的高溫高能離子注入與激活工藝,實現(xiàn)了低溝槽表面粗糙度刻蝕,打通了高厚度一致性及均一性、低界面...  [詳內(nèi)文]
九峰山實驗室6英寸SiC中試線全面通線 |
| 作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 10 日 17:22 | | 分類: 功率 |
