文章分類： 功率

一汽大灣區(qū)研發(fā)院揭牌，聚焦SiC功率半導體等方向

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:45 |
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12月18日，中國第一汽車集團有限公司大灣區(qū)研發(fā)院揭牌儀式在深圳國資國企產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心舉行。 據(jù)悉，本次揭牌的中國一汽大灣區(qū)研發(fā)院將聚焦新能源和智能汽車領域前瞻技術、先進材料、功率電子、芯片與車路協(xié)同示范五大方向，全力推進全固態(tài)激光雷達、平面柵碳化硅（SiC）功率半導體與先進陶瓷材...  [詳內(nèi)文]

總投資約15億元，漢軒車規(guī)級SiC功率器件制造項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:40 |
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據(jù)徐州高新發(fā)布消息，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設。 漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目規(guī)劃 V...  [詳內(nèi)文]

總投資近10億，紹興新增SiC項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:46 |
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近日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司（以下簡稱中芯紹興）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。據(jù)悉，該項目位于紹興市越城區(qū)，總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來看，該項目實施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造（紹興）...  [詳內(nèi)文]

湖北將建設全國化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 16:34 |
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近日，湖北省人民政府印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動方案（2023—2025年）》（以下簡稱“《行動方案》”）。 《行動方案》提出發(fā)展目標，到2025年，湖北全省新材料重點企業(yè)產(chǎn)值超6000億元，其中產(chǎn)值過1000億元企業(yè)超過1家、過500億元企業(yè)超過2家、過100億元企...  [詳內(nèi)文]

SiC開啟800V新時代，政企雙端發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
| 分類: 功率
12月14日，全球領先的車用技術企業(yè)采埃孚，宣布其電機產(chǎn)量已突破300萬臺大關。 采埃孚稱，電機量產(chǎn)超過300萬臺顯示出市場對純?nèi)加桶l(fā)動機的依賴不斷減少，標志著整個行業(yè)朝著電動化出行的成功轉型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技術的EVSys800電驅(qū)動系統(tǒng)，展...  [詳內(nèi)文]

易達通GaN功率元件能源轉換效率已超92%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
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近日據(jù)報道，IDM創(chuàng)企易達通科技已推出多款氮化鎵（GaN）功率IC，采用藍寶石襯底及LED制程，獲得全球三大LED集團青睞，其中2家已下單。執(zhí)行長林仕國表示，GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動及耐高溫特性，搭載藍寶石襯底可制造各種功率元件，采用碳化硅（SiC）襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 11 日 17:41 |
| 分類: 功率
近日，蘇州中科重儀半導體材料有限公司（以下簡稱中科重儀）自主研發(fā)的應用于電力電子領域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹，目前GaN材料外延生長的主流方法是金屬有機化學氣相沉積法（MOCVD），由于針對功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

193億，羅姆和東芝攜手生產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 08 日 17:27 |
| 分類: 功率
12月7日，根據(jù)外國媒體報道，為鞏固自身在電動汽車零部件領域的地位，羅姆（ROHM）和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體器件，這一計劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進行密集投資，兩者將依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 06 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。 據(jù)介紹，AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標志。試驗項目包含...  [詳內(nèi)文]

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 | | 分類: 功率
11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]