文章分類： 功率

第三代半導體13項標準有新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 31 日 17:20 |
| 分類: 功率
近日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標準化委員會（CASAS）公布了13項標準新進展，包括2項GaN HEMT動態(tài)導通電阻測試標準形成委員會草案、2項SiC單晶生長用等靜壓石墨標準征求意見、9項SiC MOSFET技術標準已完成征求意見稿的編制。 ...  [詳內(nèi)文]

德高化成GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 30 日 17:59 |
| 分類: 功率
據(jù)天津經(jīng)開區(qū)一泰達消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡稱德高化成）在天津經(jīng)開區(qū)的施工現(xiàn)場打下第一根樁，標志著德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)項目正式開工建設。 據(jù)悉，第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

設備入場！三安半導體8英寸碳化硅提速

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 25 日 15:53 | | 分類: 功率
據(jù)三安半導體官微消息，7月24日，三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式。這標志著三安碳化硅（SiC）項目二期通線在即，將為全面加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局，實現(xiàn)產(chǎn)線正式投產(chǎn)奠定良好基礎。 source：三安半導體 據(jù)介紹，湖南三安SiC項目總投資高達160億人民幣，旨在打造6...  [詳內(nèi)文]

韓國首個1200V 氧化鎵SBD問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:30 |
| 分類: 功率
7月22日，韓國化合物半導體公司Siegtronics宣布，公司已開發(fā)出可應用于高速開關的氧化鎵（Ga2O3）肖特基勢壘二極管（SBD）。 source：Siegtronics 據(jù)悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高...  [詳內(nèi)文]

悉智科技車規(guī)級碳化硅模塊項目正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 24 日 16:27 |
| 分類: 功率
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布其首批車規(guī)級功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。 source：悉智科技 據(jù)介紹，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅碳化硅（SiC）塑封功率模塊產(chǎn)品。悉智科技表示，該產(chǎn)品已經(jīng)贏得了國內(nèi)外多家知名OEM廠商的認...  [詳內(nèi)文]

130um，全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 12 日 17:20 |
| 分類: 功率
江蘇通用半導體有限公司（原：河南通用智能裝備有限公司，下文簡稱“通用半導體”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研設備（碳化硅晶錠激光剝離設備）成功實現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備（source：通用半導體） 資料顯示，通用...  [詳內(nèi)文]

18臺碳化硅整線濕法設備，創(chuàng)微微電子再次中標

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:07 | | 分類: 功率
7月9日，光伏設備大廠捷佳偉創(chuàng)宣布，繼4月份半導體碳化硅整線濕法設備訂單并完成合同簽署后，近日公司子公司創(chuàng)微微電子（常州）有限公司（以下簡稱：創(chuàng)微微電子）再次斬獲另一家半導體頭部企業(yè)整線濕法設備訂單，目前已完成合同簽訂工作。 據(jù)介紹，此次簽訂的合同標的位于該客戶新產(chǎn)業(yè)園的碳化硅產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

上海新一代化合物半導體研制基地項目通過竣工驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 10 日 14:05 | | 分類: 功率
據(jù)中建八局消息，近日，公司承建的新一代化合物半導體研制基地項目已竣工，并通過了驗收。 source：中建八局 項目位于上海臨港新片區(qū)總建筑面積約5.8萬平方米，總投資11.6億元，由生產(chǎn)廠房及其配套設施等6個單體構成，著力打造國內(nèi)領先、國際一流的紅外探測器研發(fā)與生產(chǎn)基地。項目主...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、天域半導體等碳化硅大廠迎最新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 08 日 13:54 | | 分類: 功率
今年以來，國內(nèi)外碳化硅大廠動態(tài)交織，深刻體現(xiàn)行業(yè)從6英寸過渡到8英寸的加速步伐。 據(jù)外媒消息，意法半導體（ST）近日表示，將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產(chǎn)工藝從6英寸升級為8英寸。 中國某頭部大廠生產(chǎn)負責人在近日接受全球半導體觀察時表示，預計從2026年至2...  [詳內(nèi)文]

愛思強公布Q2初步業(yè)績，碳化硅&氮化鎵設備訂單旺盛

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 07 月 05 日 18:21 |
| 分類: 功率
昨日（7/4），德國半導體設備大廠AIXTRON愛思強公布2024年第二季度初步業(yè)績成果。在SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）功率半導體市場的驅動下，愛思強設備訂單報喜。 愛思強第二季SiC/GaN設備訂單占比達87% 第二季度，愛思強實現(xiàn)訂單總額1.76歐元（約合人民幣13.8...  [詳內(nèi)文]