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廣州、無(wú)錫兩個(gè)射頻芯片項(xiàng)目同時(shí)封頂

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 03 日 18:00 | 分類(lèi) 射頻
射頻芯片的主要用途是在無(wú)線電波和數(shù)字信號(hào)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,以便設(shè)備進(jìn)行處理和傳輸,作為5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的關(guān)鍵器件,射頻芯片在通信系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用,被廣泛應(yīng)用于各種通信設(shè)備中,如5G基站和微基站。 近日,位于廣州和無(wú)錫的兩個(gè)射頻芯片項(xiàng)目同時(shí)披露了最新進(jìn)展。 廣州艾佛光通項(xiàng)目主體結(jié)...  [詳內(nèi)文]

華潤(rùn)微:碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 03 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日,華潤(rùn)微接受投資機(jī)構(gòu)調(diào)研,對(duì)其MOSFET產(chǎn)品、12英寸產(chǎn)線、碳化硅產(chǎn)品等相關(guān)業(yè)務(wù)進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 在碳化硅業(yè)務(wù)方面,華潤(rùn)微表示,其碳化硅二極管、碳化硅MOSFET產(chǎn)品均已實(shí)現(xiàn)批量供貨,同時(shí)碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段,相關(guān)產(chǎn)品正在圍繞新能源汽車(chē)...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體獲碳化硅模塊新訂單

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 03 日 17:55 | 分類(lèi) 企業(yè)
12月3日,意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)達(dá)成了一項(xiàng)多年期協(xié)議——作為雙方在Amper超高效電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)逆變器電源盒方面合作的一部分,從2026年開(kāi)始,意法半導(dǎo)體將為雷諾集團(tuán)供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊。 據(jù)悉,Ampere是由意法半導(dǎo)體和雷諾集團(tuán)共同打造的電動(dòng)汽車(chē)智能制造商。后續(xù),A...  [詳內(nèi)文]

碳化硅相關(guān)廠商頂立科技完成上市輔導(dǎo)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 02 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
沉寂了近2個(gè)月的碳化硅材料相關(guān)廠商IPO風(fēng)云再起,國(guó)內(nèi)又有一家碳化硅材料相關(guān)企業(yè)近日披露了IPO新進(jìn)展。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 今年5月20日晚間,安徽楚江科技新材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):楚江新材)發(fā)布公告稱(chēng),其控股(持股比例66.72%)子公司湖南頂立科技股份有限公司(...  [詳內(nèi)文]

23億元,浙江麗水簽約第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 02 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
11月29日,據(jù)“麗水發(fā)布”官微消息,近日在浙西南革命老區(qū)發(fā)展論壇主旨會(huì)議上,浙江麗水舉辦項(xiàng)目簽約儀式,其中包括一個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。 source:麗水發(fā)布 據(jù)介紹,該項(xiàng)目為麗水經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)簽約的第三代半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目,總投資23億元,屬于新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科上市備案通過(guò)

作者 |發(fā)布日期 2024 年 12 月 02 日 17:55 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月27日,英諾賽科收到中國(guó)證監(jiān)會(huì)發(fā)布的《關(guān)于英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書(shū)》,這意味著其已完成了證監(jiān)會(huì)境外發(fā)行上市備案流程,并且獲得了證監(jiān)會(huì)對(duì)其境外發(fā)行上市及股份轉(zhuǎn)換的確認(rèn)。 文件顯示,英諾賽科擬發(fā)行不超過(guò)106,539,400股境外上市普通股并在...  [詳內(nèi)文]

102億,日本2家半導(dǎo)體大廠合作生產(chǎn)碳化硅

作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 17:13 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月29日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省宣布,將為日本電裝與富士電機(jī)共同投資的碳化硅(SiC)半導(dǎo)體項(xiàng)目提供補(bǔ)貼,該項(xiàng)目投資額達(dá)2116億日元(折合人民幣約102億元),補(bǔ)助金額最高達(dá)705億日元(折合人民幣約34億元)。 據(jù)悉,在此次合作中,電裝將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC襯底,而富士電機(jī)將負(fù)責(zé)制造S...  [詳內(nèi)文]

加碼碳化硅,Vishay將向旗下晶圓廠投資5100萬(wàn)英鎊

作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:39 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
11月28日,據(jù)外媒消息,Vishay Intertechnology(威世科技)將向位于南威爾士的紐波特晶圓廠(Newport Wafer Fab,NWF)投資5100萬(wàn)英鎊(約4.69億人民幣),紐波特晶圓廠是英國(guó)最大的半導(dǎo)體晶圓制造工廠,這項(xiàng)投資得到了威爾士政府500萬(wàn)英鎊...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導(dǎo)體生長(zhǎng)出直拉法2英寸N型氧化鎵單晶

作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 29 日 16:38 | 分類(lèi) 企業(yè) , 功率
氧化鎵作為一種新興的半導(dǎo)體材料,受益于其優(yōu)良的物理特性,成為了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體的潛在競(jìng)爭(zhēng)者。目前,國(guó)內(nèi)外相關(guān)企業(yè)正在加速推進(jìn)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化。近日,又有一家國(guó)內(nèi)企業(yè)披露其在氧化鎵領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 source:鎵仁半導(dǎo)體 11月29日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,今年10月...  [詳內(nèi)文]

連科半導(dǎo)體8吋碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐獲得數(shù)十臺(tái)批量驗(yàn)收

作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 28 日 17:50 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月28日,據(jù)“連城數(shù)控”官微消息,近日連科半導(dǎo)體8吋碳化硅(SiC)電阻式長(zhǎng)晶爐(型號(hào):PVT-RS-40)在客戶現(xiàn)場(chǎng)完成批量驗(yàn)收。 與此同時(shí),連科半導(dǎo)體還成功制備出了直徑超210毫米,厚度30毫米的8吋導(dǎo)電型碳化硅晶體,晶體表面光滑無(wú)缺陷。 source:連城數(shù)控 據(jù)介紹...  [詳內(nèi)文]