盡管目前以碳化硅(SiC)/氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料正在被廣泛應(yīng)用,風(fēng)光無(wú)限,但產(chǎn)業(yè)界仍然在持續(xù)加碼以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導(dǎo)體材料,以期挖掘砷化鎵、磷化銦材料更長(zhǎng)遠(yuǎn)和更大的價(jià)值。
近日,國(guó)內(nèi)又有2個(gè)砷化鎵、磷化銦相關(guān)項(xiàng)目幾乎同時(shí)披露...  [詳內(nèi)文]
總投資超50億,國(guó)內(nèi)2個(gè)化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目通線(xiàn)、投產(chǎn) |
作者
chen, zac
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發(fā)布日期:
2024 年 12 月 25 日 18:00
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關(guān)鍵字:
化合物半導(dǎo)體, 立昂微
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