近期，山西省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布重要通知，經(jīng)省科技廳第13次黨組（擴(kuò)大）會(huì)議審議通過，同意7項(xiàng)省科技重大專項(xiàng)計(jì)劃“揭榜掛帥”（半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域）項(xiàng)目延期至2025年12月。
圖片來源：山西省科學(xué)技術(shù)廳通知截圖
此次延期的7個(gè)項(xiàng)目主要是半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，包含三個(gè)碳化硅領(lǐng)域項(xiàng)目，分別是：
1、大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目，由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)4000萬元。
2、8英寸SiC單晶生長設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所揭榜，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長設(shè)備，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)3000萬元。
3、SiC晶體激光誘導(dǎo)剝離工藝與裝備研發(fā)項(xiàng)目，由中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所發(fā)起需求，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司揭榜，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)5000萬元。
業(yè)界指出，“揭榜掛帥”項(xiàng)目獲延期攻關(guān)這一舉措旨在給予科研團(tuán)隊(duì)更充足的時(shí)間，全力攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，推動(dòng)山西在半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
在“雙碳”目標(biāo)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的雙重背景下，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正成為全球科技競爭的焦點(diǎn)。山西作為我國傳統(tǒng)能源大省，憑借資源稟賦與戰(zhàn)略眼光，在碳化硅領(lǐng)域展開深度布局。
《山西省“十四五”新材料規(guī)劃》明確提出將碳化硅列為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心發(fā)展方向，提出打造500億級(jí)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)集群的目標(biāo)。規(guī)劃提出“三個(gè)倍增”計(jì)劃，通過技術(shù)創(chuàng)新、企業(yè)培育和集群化發(fā)展，推動(dòng)碳化硅材料在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。
政策利好推動(dòng)之下，山西碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，并涌現(xiàn)多家代表性廠商。
√ 山西爍科晶體有限公司構(gòu)建了從碳化硅粉料制備、單晶生長到晶片加工的全流程生產(chǎn)線，率先突破4英寸、6英寸及8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)，打破了國外技術(shù)壟斷。
√ 山西中電科公司 聚焦碳化硅材料應(yīng)用的關(guān)鍵裝備研發(fā)，其自主研發(fā)的碳化硅化學(xué)氣相沉積（CVD）裝備技術(shù)指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先。
√ 山西天成半導(dǎo)體材料有限公司 注于6/8英寸碳化硅襯底材料及晶體生長裝備的研發(fā)。公司突破缺陷抑制、快速生長等關(guān)鍵技術(shù)，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，產(chǎn)品性能達(dá)國內(nèi)先進(jìn)水平。
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從傳統(tǒng)能源到戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，山西正以碳化硅為支點(diǎn)，撬動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。未來，隨著8英寸及以上碳化硅材料的產(chǎn)業(yè)化加速，山西有望在全球第三代半導(dǎo)體競爭中占據(jù)先機(jī)，為“中國芯”注入山西力量。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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