今日，英諾賽科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆，目前，InnoGaN產品已在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數據中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現小體積、高能效、低損耗的產品設計。
出貨量漲勢強勁，上半年銷售額增長500%
據此前消息，截至2023年Q1，英諾賽科GaN芯片出貨量累計出貨量突破1.5億顆（2022年12月：突破1億顆；2023年Q1：突破5000萬顆），這意味著，在后面不到半年的時間里，英諾賽科的GaN芯片出貨量相比之前翻了一番，增長勢頭迅猛。
作為業(yè)內少數的IDM廠商，英諾賽科經過7年左右時間的積累，已基本形成全產品的生態(tài)鏈，產品覆蓋15V-700V，分為晶圓、分立器件、合封芯片三大類。截至8月，英諾賽科成功量產高壓GaN芯片（650V-700V）54 款，中低壓GaN芯片（30V-150V）20 款。
應用創(chuàng)新與拓展方面，英諾賽科也持續(xù)取得了突破。在手機快充的基礎上，InnoGaN產品的應用場景已經延伸到手機內部的電源管理、TV/筆電/智能音箱等半消費類產品的電源管理、汽車激光雷達、數據中心電源/光伏逆變器等工業(yè)類應用。
其中，在消費電子應用領域，英諾賽科助力GaN開拓了新應用空間。據介紹，2021年3月，英諾賽科正式量產自主研發(fā)的雙向導通產品VGaN，并于10月率先導入OPPO手機，成為當時全球首款導入智能手機內部電源開關領域的GaN芯片。隨后，Realme、一加、聯想、摩托羅拉等手機也相繼采用VGaN實現充電保護。
在汽車應用領域，英諾賽科也已經拿下了較快量產的激光雷達應用市場。今年4月，英諾賽科低壓產品從工業(yè)級應用進軍到車規(guī)級應用，成功進入汽車激光雷達市場。
在工業(yè)電源應用領域，英諾賽科去年10月首次在工業(yè)電源產品上實現大規(guī)模量產，今年7月開始將GaN應用于新能源光伏發(fā)電領域。
在工業(yè)應用的數據中心電源上，英諾賽科經過3年的布局和儲備，現已可為數據中心提供端到端的all GaN方案，具體來說，從前端的高壓轉到12V或者48V，2000W到4000W的電源，英諾賽科可提供60V/100V/40V的產品，實現整體供電架構都是GaN的解決方案，真正實現數據中心的功率密度提升和效率提升，同時減少整體能耗，達到50%的收益。
結合產品類別的拓展、應用場景的逐一攻破，英諾賽科在消費級、工業(yè)級、車規(guī)級GaN市場已經獲得頭部客戶的認可，銷量和市占率同步提升。業(yè)績方面，Q1在GaN芯片銷量5000萬的情況下，英諾賽科的銷售額達1.5億，同比增長3倍；累計上半年，銷售額同比大漲500%，由此可以推測，英諾賽科Q2銷售額相比Q1有更出色的表現。
GaN需求成長空間逐步打開，市場競爭逐漸激烈
不難發(fā)現，隨著GaN快速普及消費電子市場，并進一步滲透工業(yè)電源、汽車等中高功率市場，GaN需求日益增長，相關廠商開啟收割模式。
除了英諾賽科以外，Navitas、Transphorm近日也傳來捷報。其中，Navitas Q2收入同比增長110%，環(huán)比增長35%，GaN累計已發(fā)貨超過1億顆。Transphorm Q2（2024財年Q1）收入同比增長14%，環(huán)比增長84%，預期下個季度產品收入恢復連續(xù)增長。
中長期來看，GaN是低碳、綠色能源趨勢下提高效率及節(jié)省能耗的關鍵，需求將呈現逐年增長的態(tài)勢。根據TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 – Part1》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
盡管目前消費電子仍是GaN最主要的增長引擎，但隨著英飛凌收購GaN Systems帶來的聯動效應，GaN在中高功率市場的應用已經啟動了“快進鍵”。
從市場競爭格局來看，根據TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 – Part1》分析，按照2022年的營收來看，GaN功率器件前六大供應商分別是PI、Navitas、英諾賽科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。未來，英飛凌加上GaN Systems的市場份額有可能將繼續(xù)擴大。因此，市場應用打開的同時，各廠之間的競爭也更為激烈了。
在六大GaN功率器件供應商中，僅英諾賽科是中國廠商。目前，國際廠商在產品、產能布局上持續(xù)發(fā)力，全球化布局的步伐也不斷加快，但英諾賽科也不甘落后。
產品和應用上，上文已可見到英諾賽科的布局已經較為全面。
工藝上，英諾賽科目前仍是全球唯一一家量產8英寸硅基GaN平臺的廠商。據其介紹，相比業(yè)界6英寸的平臺而言，英諾賽科單片晶圓器件可以增加80%，意味著其在單顆產品上，成本具備30%的優(yōu)勢。
產能上，截至目前，英諾賽科珠海廠和蘇州廠在量產的產能加起來是15000片/月，據稱，在GaN行業(yè)早期來講，相當于英諾賽科已占據了全球50%以上的產能，結合其先進工藝和IDM規(guī)模化的效應，英諾賽科擁有較大的成本優(yōu)勢。
綜合各個維度的布局和儲備，以及逐漸凸顯的成本優(yōu)勢，英諾賽科接下來在GaN各應用市場的市占率有望進一步提升。（文：集邦化合物半導體Jenny）
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