英飛凌、巨子半導體推出1200V MOSFET新品

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 28 日 14:40 | 分類 企業

英飛凌擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列

近日,英飛凌宣布采用新的行業標準封裝,以擴展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。

該款經過驗證的62mm器件采用半橋拓撲設計,并基于最近推出的先進M1H碳化硅(SiC)MOSFET技術打造。該封裝使SiC適合250 kW以上的中功率應用,其中通過IGBT技術可使硅達到功率密度極限。

與62mm IGBT模塊相比,新系列模塊還可應用于太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電器、機車、商用感應烹飪和電源轉換系統等領域。

M1H 技術可實現顯著更寬的柵極電壓窗口,確保對驅動器和布局引起的柵極電壓尖峰具有高魯棒性,即使在高開關頻率下也不受任何限制。

除此之外,極低的開關和傳輸損耗最大限度地減少了散熱需求,并且通過使用英飛凌的 CoolSiC芯片技術,可以提高轉換器設計的效率,提高每個逆變器的標稱功率并降低系統成本。

圖片來源:拍信網正版圖庫

巨子半導體推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET單管器件

11月24日,成都巨子半導體有限公司(下文簡稱“巨子半導體”)推出100A1200V大功率碳化硅MOSFET單管器件,GC2M016120S1。

GC2M016120S1產品是由巨子半導體新開發推出的大功率碳化硅MOSFET單管器件。產品采用SOT-227封裝形式,屬于內絕緣封裝的一種,電流大于100A,耐壓超過1200V,可廣泛應用于感應電源、等離子電源、太陽能逆變器等場景。

據悉,巨子半導體是一家深耕中國先進功率半導體碳化硅(SiC)器件的應用型高新科技企業,目前主營業務為SiC芯片器件的研發、設計與銷售。(集邦化合物Rick整理)

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