近日，呂梁經濟技術開發(fā)區(qū)與深圳羲航半導體有限公司在數字經濟產業(yè)園舉行簽約儀式，總投資2.44億元的高純鎵及下游化合物半導體材料產業(yè)基地項目正式落戶呂梁。呂梁市副市長任磊、市科技局局長李永勝等領導出席儀式，呂梁經開區(qū)管委會副主任劉挨照主持簽約活動，廣東省半導體行業(yè)協會相關專家及省內8家產業(yè)鏈企業(yè)代表見證簽約。
據介紹，該項目將聚焦7N級（純度99.99999%）及以上超高純鎵的研發(fā)與生產，規(guī)劃年產規(guī)模達200噸，旨在構建從粗鎵提純到單晶制備的完整產業(yè)鏈，為國內半導體芯片、5G通信、新能源汽車逆變器等高端領域提供關鍵基礎材料。
項目實施將分兩階段推進：第一階段重點完成高純鎵提純工藝優(yōu)化與產能建設，快速形成核心產品供給能力；第二階段將啟動赤泥綜合利用項目，提取鎵、鈧、銻等稀有金屬，實現工業(yè)廢渣的資源循環(huán)利用與產業(yè)價值鏈延伸。項目投產后，預計年產值超10億元，年利稅超1億元，將顯著提升區(qū)域高端半導體材料供給能力。
公開資料顯示，深圳羲航半導體有限公司成立于2022年，是一家聚焦半導體領域的高新技術企業(yè)。公司主營業(yè)務涵蓋集成電路芯片設計及服務、集成電路制造、半導體分立器件銷售、光電子器件制造等多個領域。
中國是全球最大的原生鎵生產國，產量占全球90%以上。鎵主要作為氧化鋁生產過程中的副產品回收，產業(yè)布局高度依托大型氧化鋁企業(yè)。其中，中國鋁業(yè)作為全球金屬鎵產能龍頭，已在貴州華錦、云鋁文山等地建成鎵回收項目；東方希望、南山鋁業(yè)、開曼鋁業(yè)等企業(yè)也具備相應的回收能力。
然而，盡管中國在粗鎵（4N–6N級）供應上占據主導地位，高端化合物半導體（如GaN功率器件、Micro-LED）所需的7N（99.99999%）甚至8N級高純鎵，對鐵、銅、鋅等雜質的控制極為嚴苛，必須通過區(qū)域熔煉、電解精煉、真空蒸餾等多級提純工藝制備。
目前，中鋁鄭州研究院、昆明冶金研究院、有研集團等機構已長期開展高純鎵技術攻關，部分單位實現了小批量7N鎵制備，并通過三安集成、蘇州納維等下游外延廠商的送樣驗證。但受限于工藝穩(wěn)定性與成本，尚未形成大規(guī)模、低成本的量產能力，高端市場仍部分依賴日本Dowa、美國Indium Corporation和德國Valence等國際供應商。
國內化合物半導體廠商正加速推動高純鎵的國產化進程。三安光電、英諾賽科、海威華芯等企業(yè)已與中鋁、有研集團等材料單位建立緊密合作，開展7N級高純鎵的聯合驗證與工藝適配。部分GaN功率器件產線已實現國產高純鎵的小批量導入，良率表現穩(wěn)步提升。
隨著下游應用場景快速拓展，包括消費電子快充、數據中心電源和新能源汽車OBC（車載充電機）等，對高性價比、本地化供應的需求日益增強，進一步激發(fā)了材料—器件—系統(tǒng)全鏈條的協同創(chuàng)新。
（集邦化合物半導體 Niko 整理）
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