近日，由杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司牽頭的《β相氧化鎵同質(zhì)外延片》（T/CEMIA 050-2025）與《氧化鎵單晶位錯(cuò)密度測(cè)試方法》（T/CEMIA 051-2025）兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)批準(zhǔn)正式發(fā)布，將于2026 年1月1日起全面實(shí)施。
圖片來(lái)源：中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)公告截圖
鎵仁半導(dǎo)體牽頭兩項(xiàng)氧化鎵團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布！
《β相氧化鎵同質(zhì)外延片》（T/CEMIA 050-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司。
其它參編單位有中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、中山大學(xué)、甬江實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進(jìn)化半導(dǎo)體有限公司、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、華潤(rùn)微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學(xué)、安徽大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來(lái)半導(dǎo)體科技(晉江)有限公司、大連理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院東莞材料科學(xué)與技術(shù)研究院、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、杭州芯創(chuàng)德半導(dǎo)體有限公司、西南大學(xué)、香港科技大學(xué)。
《氧化鎵單晶位錯(cuò)密度測(cè)試方法》（T/CEMIA 051-2025）的牽頭單位為杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司。
其它參編單位有中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所、西安電子科技大學(xué)、南京大學(xué)、中山大學(xué)、甬江實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、進(jìn)化半導(dǎo)體有限公司、深圳平湖實(shí)驗(yàn)室、華潤(rùn)微電子有限公司、NEXTGO EPI UG、電子科技大學(xué)、安徽大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、鎵創(chuàng)未來(lái)半導(dǎo)體科技(晉江)有限公司、大連理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院東莞材料科學(xué)與技術(shù)研究院、湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室、杭州芯創(chuàng)德半導(dǎo)體有限公司、西南大學(xué)、香港科技大學(xué)。
這兩項(xiàng)由中國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)發(fā)布的氧化鎵領(lǐng)域團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，將為β相氧化鎵同質(zhì)外延片的質(zhì)量管控與氧化鎵單晶位錯(cuò)密度的統(tǒng)一測(cè)試提供依據(jù)。標(biāo)準(zhǔn)的落地將推動(dòng)氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)?；a(chǎn)，為我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體賽道建立技術(shù)與產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)奠定基礎(chǔ)，助力實(shí)現(xiàn) “超寬禁帶半導(dǎo)體之王” 的產(chǎn)業(yè)化價(jià)值釋放，支撐國(guó)家新能源與高端制造戰(zhàn)略。
鎵仁半導(dǎo)體賦能氧化鎵研究新突破
杭州#鎵仁半導(dǎo)體 有限公司成立于2022年9月，位于浙江省杭州市蕭山區(qū)，是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵單晶材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司核心產(chǎn)品包括：2-8英寸氧化鎵單晶與襯底（其中8英寸為國(guó)際首發(fā)）、氧化鎵垂直布里奇曼法（VB法）長(zhǎng)晶設(shè)備、氧化鎵外延片等，致力于構(gòu)建 “設(shè)備-晶體-襯底-外延” 全鏈條產(chǎn)品體系，為全球客戶提供系統(tǒng)性解決方案。
2025年3月，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底，刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄。7月，鎵仁半導(dǎo)體研發(fā)的8英寸氧化鎵襯底通過(guò)了國(guó)內(nèi)/國(guó)外知名機(jī)構(gòu)的檢測(cè)，并聯(lián)合發(fā)布檢測(cè)結(jié)果。
第三方檢測(cè)結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬<30 arcsec，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。8英寸高質(zhì)量氧化鎵襯底的問(wèn)世，標(biāo)志著氧化鎵產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用邁入全面加速落地階段，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要里程碑。
2025年11月，鎵仁半導(dǎo)體完成Pre-A+輪戰(zhàn)略融資。根據(jù)企查查信息顯示，本輪融資由余杭金控、九智資本、方廣資本、深創(chuàng)投、華睿投資等共同投資。
2025年12月，鎵仁半導(dǎo)體推出 “SCIENCE系列” 科研級(jí)VB法長(zhǎng)晶設(shè)備，專為2-6英寸氧化鎵科研場(chǎng)景量身打造，以全自主核心技術(shù)助力科研工作者在長(zhǎng)晶、摻雜、缺陷控制及材料性能優(yōu)化等領(lǐng)域高效探索。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）
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