截至2025年11月，碳化硅市場(chǎng)正經(jīng)歷關(guān)鍵的價(jià)值重估與結(jié)構(gòu)性分化。在價(jià)格端，低端大宗原料成本推升價(jià)格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過(guò)剩而持續(xù)暴跌。但在應(yīng)用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺(tái)和臺(tái)積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關(guān)鍵材料，預(yù)示SiC產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)由HPC應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的第二波高價(jià)值增長(zhǎng)。
1、SiC價(jià)格趨勢(shì)分析：基礎(chǔ)原料上揚(yáng)與高階襯底價(jià)格戰(zhàn)
近期碳化硅（SiC）市場(chǎng)價(jià)格呈現(xiàn)出明顯的結(jié)構(gòu)性分化特征。
一方面，SiC大宗流通價(jià)格（如黑碳化硅、綠碳化硅的流通粉末或顆粒）受多重因素推動(dòng)而走強(qiáng)。根據(jù)CIP商品行情網(wǎng)、生意社等價(jià)格網(wǎng)站披露，過(guò)去一周SiC流通價(jià)報(bào)每公噸6,271人民幣，實(shí)現(xiàn)0.21%的周漲幅。
這波上漲主要由三股力量驅(qū)動(dòng)：原材料成本的堅(jiān)挺、下游需求應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)大，以及供應(yīng)端因環(huán)保檢查或產(chǎn)能限制所導(dǎo)致的供應(yīng)整頓。這些因素共同作用，將成本壓力傳導(dǎo)至市場(chǎng)流通環(huán)節(jié)，推動(dòng)基礎(chǔ)原料價(jià)格上揚(yáng)。
另一方面，用于功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場(chǎng)卻面臨激烈的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。由于全球主要制造商產(chǎn)能的快速釋放，市場(chǎng)一度出現(xiàn)供過(guò)于求的風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致SiC襯底價(jià)格持續(xù)暴跌。
供應(yīng)鏈消息顯示，襯底價(jià)格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過(guò)20%。進(jìn)入2025年后，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)仍在持續(xù)，主流報(bào)價(jià)保持在400美元/片左右或更低，部分產(chǎn)品報(bào)價(jià)甚至逼近生產(chǎn)商的成本線，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局正在加速洗牌。
圖片來(lái)源：千庫(kù)網(wǎng)
2、應(yīng)用趨勢(shì)聚焦：AI高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的結(jié)構(gòu)性爆發(fā)
SiC在高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的導(dǎo)入確定性，成為截至2025年11月最新的強(qiáng)勁增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。隨著AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統(tǒng)散熱材料難以應(yīng)對(duì)，SiC憑借其卓越的導(dǎo)熱性能（熱導(dǎo)率高達(dá)500W/mK）成為解決方案的核心。
行業(yè)最新消息顯示，全球龍頭企業(yè)的布局已透露出最新進(jìn)展：
NVIDIA平臺(tái)導(dǎo)入SiC襯底作為中介層：英偉達(dá)（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平臺(tái)中導(dǎo)入SiC技術(shù)。計(jì)劃與臺(tái)積電合作，將現(xiàn)行的CoWoS先進(jìn)封裝工藝中的硅中介層升級(jí)為碳化硅（SiC Interposer），以應(yīng)對(duì)高功耗散熱挑戰(zhàn)。
臺(tái)積電推動(dòng)12英寸SiC載板供應(yīng)鏈：晶圓代工巨頭#臺(tái)積電（TSMC）正積極推動(dòng)供應(yīng)鏈配合，研究將12英寸單晶碳化硅應(yīng)用于散熱載板，以取代現(xiàn)有的陶瓷基板，解決未來(lái)HPC芯片極限熱功耗問(wèn)題。襯底龍頭企業(yè)之一天岳先進(jìn)也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC襯底，為此應(yīng)用提供材料基礎(chǔ)。
數(shù)據(jù)中心架構(gòu)轉(zhuǎn)型：受惠于NVIDIA推動(dòng)數(shù)據(jù)中心過(guò)渡至800V HVDC架構(gòu)，對(duì)SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC在AI服務(wù)器電源供應(yīng)鏈中的市場(chǎng)份額。
新興光學(xué)應(yīng)用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達(dá)2.6-2.7（遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃），有潛力用于制造AR/MR眼鏡的核心光學(xué)元件，幫助設(shè)備實(shí)現(xiàn)更輕薄、視場(chǎng)角更廣（例如70度以上）的設(shè)計(jì)，有望成為下一代消費(fèi)電子光學(xué)元件的關(guān)鍵材料。
這些舉措標(biāo)志著SiC不僅限于電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體系中，開辟了SiC產(chǎn)業(yè)的第二成長(zhǎng)曲線。
3、結(jié)語(yǔ)
截至2025年11月，SiC市場(chǎng)正經(jīng)歷從產(chǎn)能擴(kuò)張到應(yīng)用升級(jí)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。盡管高階襯底市場(chǎng)的價(jià)格戰(zhàn)和整合仍在持續(xù)，但資本市場(chǎng)已將目光從短期價(jià)格波動(dòng)轉(zhuǎn)向SiC在AI/HPC領(lǐng)域的長(zhǎng)期戰(zhàn)略價(jià)值。
預(yù)期未來(lái)幾年，隨著NVIDIA和TSMC平臺(tái)SiC方案的落地，產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入需求結(jié)構(gòu)性爆發(fā)期，技術(shù)領(lǐng)先且具備成本控制優(yōu)勢(shì)的企業(yè)將主導(dǎo)市場(chǎng)，并引領(lǐng)SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個(gè)更高價(jià)值、更廣應(yīng)用的新紀(jì)元。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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