11月12日，韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，已完成SK Powertech的收購，正加速開發(fā)碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術(shù)，目標在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于2026年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務(wù)。
圖片來源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖
資料顯示，SK keyfoundry是韓國一家專注于8英寸晶圓代工的企業(yè)，總部位于韓國清州。其擁有一座晶圓廠，月產(chǎn)能約為10萬片晶圓。主要從事模擬混合信號芯片的代工業(yè)務(wù)，產(chǎn)品包括顯示驅(qū)動芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，適用于小批量多樣化產(chǎn)品生產(chǎn)。
2025年3月，SK keyfoundry在董事會會議上宣布達成收購協(xié)議，以250億韓元（約1.25億元人民幣）從SK集團手中收購其子公司SK Powertech98.59%的股權(quán)。據(jù)外媒報道，該收購案已于近期完成。
被收購方SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC功率半導體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應用于新能源汽車、太陽能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動以及智能電網(wǎng)等場景。
通過收購，SK keyfoundry直接獲得了SK Powertech的碳化硅工藝與設(shè)計技術(shù)，快速補齊技術(shù)短板。收購完成后，SK keyfoundry計劃加速推進碳化硅（SiC）化合物功率半導體技術(shù)開發(fā)，目標在今年年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于明年上半年啟動碳化硅功率半導體代工業(yè)務(wù)，逐漸將碳化硅功率半導體業(yè)務(wù)打造為新一代增長引擎。
政策+企業(yè)雙輪驅(qū)動，韓國發(fā)力第三代半導體
韓國在第三代半導體領(lǐng)域起步早、布局完善，通過政府長期政策扶持與三星、SK等龍頭企業(yè)的密集動作，已構(gòu)建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系，當前正處于技術(shù)突破與產(chǎn)能擴張的關(guān)鍵階段。
早在2000年韓國就制訂了氮化鎵（GaN）開發(fā)計劃，2004-2008年政府聯(lián)合企業(yè)累計投入超12億美元支持光電子產(chǎn)業(yè)，助力韓國成為亞洲最大光電子器件生產(chǎn)國；2024年宣布投資約5.22億人民幣在釜山建設(shè)8英寸SiC示范基地。
2025年又拿出364億韓元支持下一代半導體相關(guān)研發(fā)項目。同時，韓國還設(shè)定了清晰目標，計劃到2030年將SiC功率半導體技術(shù)自給率從當前的10%提升至20%，以此帶動全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)突破。
在企業(yè)方面，三星電子重啟功率半導體事業(yè)部后，聚焦SiC/GaN材料研究，還通過投資IVworks等初創(chuàng)企業(yè)完善GaN產(chǎn)業(yè)鏈，其與美國康寧合資公司早在2011年就完成4英寸高品質(zhì)GaN基板研發(fā)；
SK集團構(gòu)建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈，旗下SK keyfoundry通過收購SK Powertech快速補齊SiC技術(shù)、短板。
LGInnotek成功開發(fā)6英寸單晶氮化鎵Heating-FreeLED技術(shù)，大幅提升生產(chǎn)效率并降低成本。
（集邦化合物半導體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。