日經(jīng)BP消息，羅姆取締役兼常務執(zhí)行董事、功率元器、件業(yè)務負責人伊野和英向外透露，羅姆正倍速開發(fā)碳化硅半導體產(chǎn)品，以增強競爭力，等待需求復蘇。
產(chǎn)品進展上，羅姆計劃從第5代開始生產(chǎn)口徑8英寸（約200毫米）的SiC基板，第6代產(chǎn)品的生產(chǎn)計劃從2027年啟動。羅姆將同時推進第7代、第8代的開發(fā)，將技術(shù)世代的升級速度加快至2年以內(nèi)。
伊野和英指出，中國企業(yè)的發(fā)速度非?？?，因此公司必須進一步加快迭代速度才能與之抗衡。原來每四年更新一代，現(xiàn)在將更新間隔縮短為兩年，并計劃進一步縮短。
展望功率半導體未來， 伊野和英預計AI服務器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速增長。數(shù)據(jù)中心的電源需要大量功率半導體，SiC也會進入，但主要市場應該是GaN和Si。
（集邦化合物半導體整理）
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