9月3日，“鎵仁半導(dǎo)體”官微透露，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”) 8英寸氧化鎵襯底今年7月通過(guò)了國(guó)內(nèi)/國(guó)外知名機(jī)構(gòu)的檢測(cè)，并聯(lián)合發(fā)布檢測(cè)結(jié)果。
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線(xiàn)半高寬測(cè)試結(jié)果：22~26 arcsec。
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圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體
圖為8英寸襯底XRD搖擺曲線(xiàn)半高寬第三方測(cè)試結(jié)果-（深圳平湖實(shí)驗(yàn)室）
馬爾文帕納科亞太卓越應(yīng)用中心檢測(cè)結(jié)果顯示，本次測(cè)試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點(diǎn)共計(jì)5個(gè)，XRD搖擺曲線(xiàn)半高寬測(cè)試結(jié)果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。
資料顯示，2025年3月，鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶，并加工出8英寸襯底。
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圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體
目前在售的氧化鎵襯底晶圓主要以2英寸和4英寸為主，難以與主流的Fab場(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)設(shè)備兼容，這提高了下游器件廠(chǎng)商研發(fā)的難度與成本，導(dǎo)致氧化鎵應(yīng)用推進(jìn)緩慢。
鎵仁半導(dǎo)體表示，上述第三方檢測(cè)結(jié)果表明，8英寸襯底XRD搖擺曲線(xiàn)半高寬<30 arcsec，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。同時(shí)，該公司指出，本次質(zhì)量檢測(cè)結(jié)果充分證明，鎵仁半導(dǎo)體8英寸晶圓襯底質(zhì)量能夠滿(mǎn)足硅基8英寸產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)要求，這將大幅降低下游應(yīng)用端研發(fā)的難度與成本，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的快速落地。
據(jù)悉，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵襯底已逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，為下游客戶(hù)提供大尺寸高質(zhì)量的氧化鎵單晶襯底產(chǎn)品。目前，鎵仁半導(dǎo)體8英寸襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷(xiāo)售出貨。
資料顯示，氧化鎵（Ga?O?）是第四代半導(dǎo)體材料，因其超寬禁帶、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和低成本潛力，正成為電力電子、軍事雷達(dá)、電動(dòng)汽車(chē)充電等領(lǐng)域的關(guān)鍵材料。
氧化鎵熔點(diǎn)高達(dá)1900℃，不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液。其β相穩(wěn)定性最佳，具有4.9eV的禁帶寬度（遠(yuǎn)超硅的1.1eV和碳化硅的3.3eV），以及8MV/cm的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)，使其在高壓、高頻、高溫等極端環(huán)境下表現(xiàn)優(yōu)異，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮?，全球?jìng)相角逐研發(fā)，我國(guó)也不例外。
業(yè)界指出，我國(guó)在氧化鎵領(lǐng)域已形成從材料生長(zhǎng)到器件研發(fā)的完整產(chǎn)業(yè)鏈，部分技術(shù)達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，主要氧化鎵公司包括北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)、中電科46所、鎵仁半導(dǎo)體等。與此同時(shí)，西安電子科技大學(xué)、浙江大學(xué)等高校也為氧化鎵技術(shù)突破做出了貢獻(xiàn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）
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