7月1日，北方華創(chuàng)披露，其自主研發(fā)的兩款MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）外延設(shè)備——Satur N800和Satur V700順利通過行業(yè)龍頭客戶驗(yàn)收，并獲得批量重復(fù)訂單。
MOCVD設(shè)備是一種以金屬有機(jī)化合物為原料，通過氣相外延生長技術(shù)來制備高質(zhì)量薄膜材料的先進(jìn)設(shè)備。其核心優(yōu)勢在于能夠在原子級別對復(fù)雜材料進(jìn)行精準(zhǔn)操控，實(shí)現(xiàn)納米級別的精度控制以及量子級別的界面調(diào)控。為了保障生長過程中材料的純度和生長的穩(wěn)定性，該設(shè)備配備了高真空環(huán)境以及高精度的溫控系統(tǒng)，從而確保薄膜材料的高質(zhì)量生長。
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圖片來源：北方華創(chuàng)——圖為北方華創(chuàng)化合物半導(dǎo)體設(shè)備布局
北方華創(chuàng)自2010年啟動外延裝備研發(fā)以來，已積累了十余年的技術(shù)沉淀與創(chuàng)新突破。公司在硅薄膜外延設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從4英寸到12英寸的全覆蓋，產(chǎn)品涵蓋8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備，并累計銷售突破千腔，取得了多項技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化成果。
憑借在硅外延設(shè)備領(lǐng)域的深厚積累，北方華創(chuàng)積極拓展化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備研發(fā)，形成了GaN（氮化鎵）、GaAs（砷化鎵）、SiC（碳化硅）等化合物半導(dǎo)體材料外延設(shè)備的系列化產(chǎn)品，為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了關(guān)鍵的國產(chǎn)化裝備支持。
北方華創(chuàng)的GaN MOCVD外延設(shè)備Satur N800，專為8英寸硅基氮化鎵功率器件設(shè)計，具備大面積均勻溫度場、穩(wěn)定氣流場、多片式大產(chǎn)能和自動化配置，滿足外延層高要求，已在國內(nèi)多家客戶穩(wěn)定運(yùn)行并批量出貨。
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圖片來源：北方華創(chuàng)——圖為Satur系列MOCVD設(shè)備
GaAs MOCVD外延設(shè)備Satur V700，突破關(guān)鍵技術(shù)，具備高均勻性、大產(chǎn)能、低成本優(yōu)勢，適用于Micro LED、射頻、光電子等領(lǐng)域，已批量出貨并獲客戶重復(fù)訂單。
SiC外延設(shè)備MARS iCE115/120S，工藝調(diào)試簡單，維護(hù)便捷，迅速占領(lǐng)市場。其中MARS iCE120S兼容6/8英寸SiC外延，具備C2C能力，為SiC產(chǎn)業(yè)過渡期提供良好選擇。
根據(jù)北方華創(chuàng)2024年年度報告及2025年一季度財報顯示，北方華創(chuàng)半導(dǎo)體設(shè)備收入持續(xù)強(qiáng)勁增長。其中，SiC外延設(shè)備作為公司重要增長點(diǎn)之一，受益于新能源汽車和工業(yè)電源對SiC器件的強(qiáng)勁需求，其市場份額進(jìn)一步擴(kuò)大，獲得了多家頭部SiC制造企業(yè)的訂單及重復(fù)采購。公司產(chǎn)品，特別是MARS iCE120S在兼容6/8英寸SiC外延方面的優(yōu)勢，持續(xù)助力客戶產(chǎn)能升級。
（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）
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