6月10日，羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。
圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計(jì)模型”中下載
羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計(jì)階段的仿真驗(yàn)證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運(yùn)算時(shí)間較長等問題，亟待改進(jìn)。
新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型公式，能夠在保持計(jì)算穩(wěn)定性和開關(guān)波形精度的同時(shí)，將仿真時(shí)間較以往L1模型縮短約50%。由此，能夠高精度且快速地執(zhí)行電路整體的瞬態(tài)分析，從而有助于提升應(yīng)用設(shè)計(jì)階段的器件評估與損耗確認(rèn)的效率。
未來，羅姆將繼續(xù)通過提升仿真技術(shù)，助力實(shí)現(xiàn)更高性能以及更高效率的應(yīng)用設(shè)計(jì)，為電力轉(zhuǎn)換技術(shù)的革新貢獻(xiàn)力量。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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