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北京量子院基于單晶碳化硅薄膜刷新了國際記錄

作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 04 日 14:30 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)新華網(wǎng)最新消息,近日,我國科學(xué)家領(lǐng)銜的一項(xiàng)重要成果突破世界紀(jì)錄——基于高硬度的單晶碳化硅薄膜,研制出的光聲量子存儲器,以4035秒的信息存儲時(shí)長刷新世界紀(jì)錄。該研究成果已發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然-通訊》。 據(jù)悉,北京量子信息科學(xué)研究院(以下簡稱“量子院”)量子計(jì)算云平臺的李鐵夫...  [詳內(nèi)文]

晶圓級立方SiC單晶生長取得突破

作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 22 日 17:51 | 分類 功率
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的載流子遷移率(2-4倍)、低的界面缺陷態(tài)密度(低1個(gè)數(shù)量級)和高的電子親和勢(3...  [詳內(nèi)文]