近期，江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱超芯星）正式在全球同步發(fā)布High Purity P-type SiC（高純度P型碳化硅）襯底。 圖片來源：超芯星 資料顯示，P型碳化硅襯底是制備超高壓IGBT的核心基礎(chǔ)材料。長期以來，全球P型碳化硅襯底行業(yè)始終被一個致命痛點(diǎn)困擾——Fe...  [詳內(nèi)文]