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深圳/香港,碳化硅技術(shù)研究迎來新進(jìn)展!

作者 |發(fā)布日期 2025 年 02 月 20 日 14:30 | 分類 射頻 , 碳化硅SiC
近年來,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能,在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場價值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期,深圳與香港碳化硅研究新進(jìn)展曝光。 深圳平湖實驗室SiC襯底激...  [詳內(nèi)文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 14:27 | 分類 功率
據(jù)韓媒ETnews報道,3月26日,半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布,已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅(SiC)MOSFET,并將于明年初量產(chǎn)。 source:Power Cube Semi 據(jù)介紹,Power Cube Semi稱,2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]