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總投資10個億，江蘇又新增一個SiC項目
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 06 日 15:09 | 分類 功率 , 碳化硅SiC
繼斯科半導(dǎo)體碳化硅芯片模組項目、天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項目、芯華睿Si/SiC 車規(guī)級功率半導(dǎo)體項目 等多個SiC獲得最新進(jìn)展以后，近日，江蘇再添一個SiC項目。 3月2日，利普思半導(dǎo)體發(fā)文宣布，他們位于江蘇揚州的SiC模塊封裝測試基地建設(shè)正式啟動。據(jù)悉，3月1日，利普思車規(guī)...  [詳內(nèi)文]

SiC襯底持續(xù)突破“天花板”，全球8英寸晶圓廠將達(dá)11座
作者 |發(fā)布日期 2024 年 02 月 28 日 9:35 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近年來，隨著碳化硅（SiC）市場需求持續(xù)水漲船高，終端對于SiC降本的訴求也在不斷增強(qiáng)，因為最終的產(chǎn)品價格始終是決定消費端買單的關(guān)鍵。而SiC襯底成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高，可達(dá)50%左右，這就意味著襯底環(huán)節(jié)的降本增效尤為重要，也因此，大尺寸襯底由于成本優(yōu)勢比較明顯，逐漸被寄予...  [詳內(nèi)文]