相關(guān)資訊：芯粵能

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長(zhǎng)三角國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯粵能”）經(jīng)過(guò)近兩年時(shí)間的技術(shù)研發(fā)和測(cè)試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)。 該平臺(tái)采用芯粵能自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時(shí)，...  [詳內(nèi)文]

芯粵能完成約十億元A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 26 日 18:00 | 分類 企業(yè)
9月25日，據(jù)廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱：芯粵能）官微消息，芯粵能近日完成約十億元人民幣A輪融資。本輪融資由粵財(cái)基金管理的廣東省集成電路基金二期與國(guó)投創(chuàng)業(yè)基金聯(lián)合領(lǐng)投，社保灣區(qū)科創(chuàng)基金、深創(chuàng)投、廣州產(chǎn)投、科金控股集團(tuán)、大眾聚鼎、博原資本、復(fù)樸投資與曦晨資本聯(lián)合參與。 s...  [詳內(nèi)文]

合計(jì)91.8億，2個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目披露新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 13 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，合計(jì)投資91.8億元的芯粵能和晶旭半導(dǎo)體兩個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目同時(shí)披露了最新進(jìn)展。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 芯粵能SiC芯片制造項(xiàng)目加速一期產(chǎn)能爬坡 在這兩個(gè)項(xiàng)目當(dāng)中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項(xiàng)目是廣東“強(qiáng)芯工程”重大項(xiàng)目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資...  [詳內(nèi)文]