Author Archives: huang, Mia

SiC/GaN外延設備廠愛思強2023年業(yè)績創(chuàng)新高
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 13 日 15:47 | 分類 企業(yè)
近日，愛思強公布2023全年及四季度業(yè)績報告。盡管外部環(huán)境較為低迷，但在G10系列新設備及其他設備產(chǎn)品的推動下，2023全年愛思強仍實現(xiàn)了訂單量、銷售額和利潤的大幅增長。 01、2023年，訂單、營收、利潤創(chuàng)新高 2023全年，愛思強實現(xiàn)總營收6.299億歐元（約合人民幣49....  [詳內(nèi)文]

營收可達數(shù)百萬美元，納微GaN/SiC技術助攻AI數(shù)據(jù)中心
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 12 日 17:43 | 分類 企業(yè)
3月11日，納微半導體（下文簡稱“納微”）公布了其AI數(shù)據(jù)中心技術路線圖，為滿足預計在未來12-18月內(nèi)類似指數(shù)級增長的AI功率需求，路線圖中的產(chǎn)品功率將提高3倍。 納微表示，傳統(tǒng)CPU一般只需要300W，而數(shù)據(jù)中心交流/直流電源的功率大小通常等于10個CPU功率總和或3,000...  [詳內(nèi)文]

2家企業(yè)SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性認證
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 12 日 17:14 | 分類 企業(yè)
3月11日，瞻芯電子和蓉矽半導體均有SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級可靠性認證。 瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品 瞻芯電子表示，公司開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualifi...  [詳內(nèi)文]

SiC/GaN外延廠百識電子完成A+輪投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 11 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月11日，南京百識電子科技有限公司（下文簡稱“百識電子”）宣布，公司已完成A+輪融資，多家知名機構參投。 據(jù)介紹，百識電子成立于2019年，可提供6吋碳化硅（SiC），以及6吋、 8吋硅基氮化鎵（GaN-on-Si）專業(yè)外延代工服務。 百識電子指出，2023年公司外延工藝和技術...  [詳內(nèi)文]

東芝開始量產(chǎn)第三代1700V SiC MOSFET模塊
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 11 日 11:01 | 分類 企業(yè)
3月6日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（下文簡稱“東芝”）宣布，公司已開始批量生產(chǎn)用于工業(yè)設備的第三代碳化硅（SiC）1700 V、漏極電流（DC）額定值為250 A的SiC MOSFET模塊“MG250V2YMS3”，并擴大了產(chǎn)品陣容。 source：東芝 據(jù)介紹，新產(chǎn)品M...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)安森德與高校合作建立實驗室
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 11 日 11:00 | 分類 企業(yè)
3月6日，安森德半導體（下文簡稱“安森德”）官微發(fā)文稱，“南方科技大學深港微電子學院-安森德半導體聯(lián)合實驗室”（以下簡稱“聯(lián)合實驗室”）于近日在南科大微電子學院正式揭牌。 source：南方科技大學 安森德表示，聯(lián)合實驗室的成立，標志著雙方將在電源管理及模擬芯片設計等技術領域的...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、羅姆產(chǎn)品新進展
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分類 功率
近日，英飛凌和羅姆兩大SiC龍頭在產(chǎn)品端公布了新進展。 英飛凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日，英飛凌宣布，公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術產(chǎn)品，CoolSiC MOSFET G2系列產(chǎn)品。 source：英飛凌 英飛凌表示，新一代C...  [詳內(nèi)文]

成本降低75%，SiC公司Gaianixx再獲得1700萬元融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 07 日 10:25 | 分類 企業(yè)
3月6日，日本東京大學初創(chuàng)企業(yè)Gaianixx Co., Ltd宣布，公司在B輪第二輪融資中籌集了3.5億日元（折合人民幣1700萬元）。 公開資料顯示，Gaianixx專注于開發(fā)、制造和銷售“多能中間膜”和外延膜。公司旗下“多能中間膜”可用于生產(chǎn)調(diào)節(jié)電壓和電流的功率半導體。該技...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科擬赴港上市
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 17:50 | 分類 企業(yè)
3月5日，據(jù)《路透社》旗下IFR報道，英諾賽科正計劃最早于今年內(nèi)，在香港進行IPO，融資規(guī)模約3億美元。 消息還指出，英諾賽科正與中金公司、招銀國際就上市一事進行合作。 據(jù)悉，英諾賽科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術企業(yè)。而...  [詳內(nèi)文]

布局SiC，軍工電子龍頭出手振華科技
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 06 日 14:57 | 分類 企業(yè)
3月4日，中國振華（集團）科技股份有限公司（下文簡稱“振華科技”）在投資者關系平臺表示，“十四五”期間，公司大力發(fā)展以SiC、GaN為代表的第三代半導體。SiC方面，未來公司將具備芯片自主設計、封測能力，實現(xiàn)SiC SBD系列產(chǎn)品自制，同時開展SiC VDMOS系列產(chǎn)品的設計開發(fā)...  [詳內(nèi)文]