Author Archives: huang, Mia

與AI算法結合,國產(chǎn)碳化硅檢測設備亮相!

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 17:25 | 分類 企業(yè)
4月9日,在中國光谷舉辦的2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會上,華工科技發(fā)布碳化硅檢測靈睛Aeye系列新品,包括國產(chǎn)碳化硅襯底外觀缺陷檢測智能裝備、碳化硅晶圓關鍵尺寸測量智能裝備。 華工激光精密系統(tǒng)事業(yè)群PCB微電子事業(yè)部總經(jīng)理王莉介紹道:“通過自主研發(fā)散光抑制圖...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日,杭州鎵仁半導體有限公司(下文簡稱“鎵仁半導體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source:鎵仁半導體 據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點,使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

汽車+封測,英飛凌合作+2!

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:50 | 分類 企業(yè)
4月8日,英飛凌宣布了兩起合作項目,分別涉及汽車與封測領域。 英飛凌與吉利汽車集團成立創(chuàng)新應用中心 近日,英飛凌和汽車制造商吉利汽車集團成立創(chuàng)新應用中心,雙方將深化在智能汽車等領域的長期合作,共同聚焦客戶需求,加速新產(chǎn)品新方案落地。創(chuàng)新應用中心設立在寧波杭州灣吉利汽車研究院,以增...  [詳內(nèi)文]

韓國電子通信研究院將啟動GaN晶圓代工服務

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 09 日 10:39 | 分類 功率
據(jù)韓媒報道,近日,韓國電子通信研究院(ETRI)宣布將啟動150nm氮化鎵(GaN)半導體本土代工試點服務。 source:拍信網(wǎng) 4月4日,ETRI公布了根據(jù)科學與信息通信技術部”電信用化合物半導體研究代工廠”項目開發(fā)的150nm GaN微波集成電路(...  [詳內(nèi)文]

韓國釜山將新建2座8英寸化合物半導體工廠

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 09 日 10:37 | 分類 功率
4月6日,釜山市政府宣布投資400億韓元(折合人民幣約2.14億元),在東南放射科學產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新一代材料的8英寸化合物功率半導體生產(chǎn)設施,該項目已獲國家及市級基金資助。 source:拍信網(wǎng) 為構建生產(chǎn)下一代功率半導體的生態(tài)系統(tǒng),釜山市...  [詳內(nèi)文]

意法半導體碳化硅電源解決方案被肯微科技采用

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 07 日 17:58 | 分類 企業(yè)
近日,服務橫跨多重電子應用領域的全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布與高效能電源供應領導廠商肯微科技合作,設計及研發(fā)使用ST的碳化硅(SiC)、電氣隔離和微控制器的服務器電源參考設計技術。 肯微科技指出,該參考方案是電源設計數(shù)位電源轉(zhuǎn)換器...  [詳內(nèi)文]

沖出地球!GaN功率半導體龍頭廠布局太空領域

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 07 日 17:50 | 分類 企業(yè)
近日,EPC?Space宣布與全球電子元件和服務分銷商安富利(Avnet)達成分銷協(xié)議。Avnet將成為EPC?Space耐輻射(抗輻射)氮化鎵(GaN)功率器件系列的全球分銷商,該系列產(chǎn)品適用于衛(wèi)星和高可靠性應用。 據(jù)了解,EPC?Space是Efficient?Power?C...  [詳內(nèi)文]

碳化硅設備公司Aehr、Axcelis獲美國、日本大廠訂單

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 07 日 17:08 | 分類 企業(yè)
近日,2家國際碳化硅(SiC)設備公司——Aehr和Axcelis于同一天宣布公司獲得了新訂單。 圖片 Aehr的FOX-NP SiC MOSFET多晶圓測試和老化系統(tǒng)獲美企訂單 4月2日,全球半導體測試和老化設備供應商Aehr Test Systems宣布,公司已收到客戶的初步...  [詳內(nèi)文]

總投資10億,武漢鑫威源化合物半導體項目竣工

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 14:30 | 分類 企業(yè)
4月1日,據(jù)南光谷公眾號消息,由武漢鑫威源電子科技有限公司(下文簡稱“武漢鑫威源”)總投資10億元打造的大功率藍光半導體激光器產(chǎn)業(yè)化項目竣工儀式在大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行。 source:南光谷 據(jù)介紹,該項目廠房面積一萬余平米,主要建設基于半導體化合物(GaN)技術的大功率藍光...  [詳內(nèi)文]

韓國首款2300V SiC MOSFET問世

作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 03 日 14:27 | 分類 功率
據(jù)韓媒ETnews報道,3月26日,半導體設計公司Power Cube Semi宣布,已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅(SiC)MOSFET,并將于明年初量產(chǎn)。 source:Power Cube Semi 據(jù)介紹,Power Cube Semi稱,2300V SiC M...  [詳內(nèi)文]