近日，珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）正式宣布全面推廣上市。
圖片來源：鎵未來
鎵未來公司指出，該系列產(chǎn)品將從器件可靠性、效率最大化、應(yīng)用集成度等方面重新定義功率半導(dǎo)體性能邊界，其核心突破將為消費(fèi)電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領(lǐng)域帶來革命性的能效躍升。
據(jù)悉，Gen3技術(shù)平臺(tái)采用創(chuàng)新柵極設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)所有寬禁帶器件中最強(qiáng)的柵極魯棒性，柵極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單且與傳統(tǒng)Si MOSFET完全兼容。這一特性使現(xiàn)有產(chǎn)線無需大規(guī)模改造即可實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)，顯著降低客戶導(dǎo)入成本。
Gen3技術(shù)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)同規(guī)格產(chǎn)品最低的反向電壓降特性，較行業(yè)平均水平降低25%，顯著減少續(xù)流損耗。在高頻開關(guān)應(yīng)用中，這一優(yōu)勢(shì)可使整體系統(tǒng)效率提升0.3-0.5個(gè)百分點(diǎn)，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器。
通過引入新工藝設(shè)備，Gen3平臺(tái)成功攻克了老產(chǎn)線的制造桎梏。公司采用更緊湊的互連結(jié)構(gòu)與低延遲柵極優(yōu)化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結(jié)構(gòu)的協(xié)同創(chuàng)新，平臺(tái)DPW相對(duì)提升33%，F(xiàn)OM相對(duì)優(yōu)化15%，達(dá)成了更小尺寸與更強(qiáng)性能的統(tǒng)一。
在最大輸出功率約7700W的嚴(yán)苛條件下，相同 Rds(on) 器件實(shí)測(cè)溫升降低8.6℃，相對(duì)降幅高達(dá)66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和壽命。
Gen3技術(shù)平臺(tái)提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費(fèi)電子到工業(yè)級(jí)應(yīng)用的全場(chǎng)景需求：
支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20種封裝。
Gen3技術(shù)平臺(tái)已覆蓋多個(gè)戰(zhàn)略領(lǐng)域，消費(fèi)電子領(lǐng)域，鎵未來已與聯(lián)想、大疆、LG、惠普、臺(tái)達(dá)、小米等多家PD快充適配器頭部企業(yè)達(dá)成量產(chǎn)合作，助力多款適配器走進(jìn)用戶生活。
工業(yè)與能源領(lǐng)域，鎵未來憑借業(yè)界首款3.6kW雙向儲(chǔ)能逆變器及效率高達(dá)98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業(yè)與能源領(lǐng)域的穩(wěn)固地位。
交通電動(dòng)化領(lǐng)域，鎵未來G3E65R009系列——全球Rdson最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse) 實(shí)測(cè)可達(dá)1500A，是全球通流能力最大的GaN分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應(yīng)商開啟研發(fā)驗(yàn)證。
此外，鎵未來Gen3系列產(chǎn)品的應(yīng)用已廣泛覆蓋LED照明、高性能計(jì)算、家電與電機(jī)等多個(gè)領(lǐng)域。同時(shí)，面對(duì)AI等智能化領(lǐng)域的快速發(fā)展，公司正通過持續(xù)的技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，積極開拓新的合作機(jī)會(huì)與技術(shù)切入點(diǎn)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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