10月11日，上海召開(kāi)市政府新聞發(fā)布會(huì)，介紹最新出臺(tái)的《關(guān)于加快推動(dòng)前沿技術(shù)創(chuàng)新與未來(lái)產(chǎn)業(yè)培育的若干措施》。
發(fā)布會(huì)上，上海市科委副主任屈煒透露，上海圍繞未來(lái)制造、未來(lái)信息、未來(lái)材料、未來(lái)能源、未來(lái)空間、未來(lái)健康六大方向，分近、中、遠(yuǎn)三個(gè)層次，合理規(guī)劃、分層推進(jìn)、精準(zhǔn)培育。其中包括加快培育硅光、6G、第四代半導(dǎo)體、類腦智能等領(lǐng)域，重點(diǎn)支持優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)、拓展應(yīng)用場(chǎng)景、驗(yàn)證市場(chǎng)價(jià)值。
第四代半導(dǎo)體是繼第一代硅（Si）、鍺（Ge），第二代砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），第三代碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）之后的新型半導(dǎo)體材料體系。主要包括氧化鎵（Ga?O?）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等超寬禁帶半導(dǎo)體材料，以及銻化鎵（GaSb）、銻化銦（InSb）等超窄禁帶半導(dǎo)體材料。
此前5月，上海在臨港新片區(qū)宣布建設(shè)上海超寬禁帶半導(dǎo)體未來(lái)產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，同時(shí)，上海市寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室正式揭牌，臨港新片區(qū)發(fā)布了十條支持寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策，超寬禁帶半導(dǎo)體概念驗(yàn)證中心、集成電路材料概念驗(yàn)證中心也啟動(dòng)建設(shè)，寬禁帶與超寬禁帶產(chǎn)業(yè)基金矩陣正式發(fā)布，超寬禁帶半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟也發(fā)起成立。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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