8月26日，國產半導體氮化鎵激光芯片昨天在六安實現(xiàn)量產，距離從安徽格恩半導體有限公司的實驗室里誕生，僅用了180天，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域實現(xiàn)突破。
同日，格恩半導體在六安曙光鉑尊酒店舉辦氮化鎵激光芯片產品發(fā)布會。
會上，格恩半導體共發(fā)布了十多款氮化鎵激光芯片產品，其中包括藍光、綠光及紫光等系列產品，據(jù)稱，這些產品關鍵性能指標已達到國外同類產品的先進水平。
據(jù)介紹，氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領域，近年來總體市場需求呈現(xiàn)較高的復合增長趨勢，由于氮化鎵激光技術壁壘較高，長期被國外少數(shù)企業(yè)壟斷，我國企業(yè)需求全部依賴進口。
圖片來源：拍信網正版圖庫
近年來，格恩半導體集中優(yōu)勢資源力量，憑借在化合物半導體、尤其是氮化鎵材料領域豐富的研發(fā)和生產經驗，攻克了一系列技術難點，成為國內首家可以規(guī)模量產氮化鎵激光芯片的企業(yè)。
目前，格恩半導體已具備覆蓋氮化鎵激光器結構設計、外延生長、芯片制造、封裝測試全系列工程技術能力及量產制造能力，擁有國際領先的半導體研發(fā)與量產設備500余臺，以及行業(yè)先進的產品研發(fā)平臺和自動化生產線。
本次發(fā)布會的舉辦，意味著我國在氮化鎵激光芯片領域已真正實現(xiàn)突破，打破了被國外企業(yè)長期壟斷的局面，填補了國內氮化鎵激光芯片產業(yè)化空白，緩解了該類芯片的進口“卡脖子”問題，在我國半導體激光器的發(fā)展史上具有里程碑的意義。（文：：格恩半導體、化合物半導體市場整理）
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