近日，國(guó)內(nèi)超寬禁帶半導(dǎo)體材料企業(yè)北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司完成A++輪超億元股權(quán)融資。本輪投資方包括彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投、天鷹資本、國(guó)煜基金及洪泰基金等多家機(jī)構(gòu)，融資額約1.1億元，投后估值達(dá)9.1億元。至此公司累計(jì)總?cè)谫Y已近4億元。
圖片來(lái)源：北京中小企業(yè)服務(wù)平臺(tái)
本輪融資將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)、建設(shè)2-4英寸氧化鎵襯底中試產(chǎn)線、超寬禁帶半導(dǎo)體未來(lái)產(chǎn)業(yè)培育、以及磷化銦多晶產(chǎn)線規(guī)模化擴(kuò)產(chǎn)。
銘鎵半導(dǎo)體核心布局氧化鎵、磷化銦等關(guān)鍵材料。2025年初，企業(yè)運(yùn)用新工藝成功制備了4英吋（010）氧化鎵晶坯，為全球首次，為制造更大尺寸、更低成本的氧化鎵器件創(chuàng)造了條件。
大尺寸氧化鎵技術(shù)邁向產(chǎn)業(yè)化
作為第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的核心代表，氧化鎵憑借4.9eV超寬禁帶、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等特性，在高壓功率器件、高頻射頻、新能源等領(lǐng)域展現(xiàn)出替代碳化硅、氮化鎵的潛力，成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破的關(guān)鍵賽道。
杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年，核心產(chǎn)品包括氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片及VB法、EFG法晶體生長(zhǎng)裝備，已掌握從晶體生長(zhǎng)、襯底加工到外延制備的完整技術(shù)鏈。
2025年12月，中國(guó)科學(xué)院上海光機(jī)所聯(lián)合#富加鎵業(yè)，在國(guó)際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。去年9月，富加鎵業(yè)獲近億元融資，將主要用于建設(shè)國(guó)內(nèi)首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)萬(wàn)片產(chǎn)能。
圖片來(lái)源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司
杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司成立于2022 年，依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，首創(chuàng)鑄造法氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)帶工藝包的氧化鎵專(zhuān)用 VB 長(zhǎng)晶設(shè)備并對(duì)外銷(xiāo)售，在大尺寸襯底與裝備自主化方面處于國(guó)際領(lǐng)先。
2025年10月，#鎵仁半導(dǎo)體 宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長(zhǎng)。
地方政策精準(zhǔn)加碼氧化鎵發(fā)展
產(chǎn)業(yè)突破的背后，地方政策支持持續(xù)加碼。2026年開(kāi)年以來(lái)，廣州、浙江兩地相繼發(fā)布專(zhuān)項(xiàng)規(guī)劃，將氧化鎵納入重點(diǎn)發(fā)展范疇，形成政策引導(dǎo)與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的良性互動(dòng)，為第四代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展筑牢生態(tài)基礎(chǔ)。
2026年1月8日，廣州市人民政府辦公廳正式印發(fā)《廣州市加快建設(shè)先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃（2024—2035年）》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)《規(guī)劃》），明確將半導(dǎo)體與集成電路列為五大戰(zhàn)略先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)之一，提出大力發(fā)展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料制造，通過(guò)全產(chǎn)業(yè)鏈布局、核心技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動(dòng)廣州成為國(guó)家集成電路第三極核心承載區(qū)。
圖片來(lái)源：廣州市人民政府辦公廳文件截圖
2026年1月初，浙江省經(jīng)濟(jì)和信息化廳發(fā)布的《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見(jiàn)稿）》也明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料列為新一代半導(dǎo)體領(lǐng)域重點(diǎn)發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)等任務(wù)協(xié)同推進(jìn)。
業(yè)內(nèi)指出，國(guó)內(nèi)氧化鎵產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)向中試及規(guī)模化制備的關(guān)鍵跨越，疊加地方政策的精準(zhǔn)賦能，有望加速在電力電子等領(lǐng)域的應(yīng)用驗(yàn)證，推動(dòng)我國(guó)在第四代半導(dǎo)體賽道確立國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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