雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營銷，力求每一個事情都準(zhǔn)確。新一代小米SU7汽車的“碳化硅高壓平臺”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒有叫800V或者900V。
雷軍認為，以前的350V叫400V是“行業(yè)陋習(xí)”，小米愿意接受更高標(biāo)準(zhǔn)的要求，不應(yīng)該開玩笑，也不應(yīng)該發(fā)牢騷，能用大字說明用大字說明、能寫完整的寫完整、能寫準(zhǔn)確的寫準(zhǔn)確，不要講行業(yè)過去怎么說。
資料顯示，小米新一代SU7車型即將于同年4月上市。新車在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全維升級，其中“全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺”的配置策略，成為碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)在中端豪華純電市場規(guī)?；瘧?yīng)用的重要里程碑。
具體而言，新車標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺，Max版升級為897V碳化硅高壓平臺；依托碳化硅材料高導(dǎo)熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車形成梯度化超長續(xù)航矩陣，其中標(biāo)準(zhǔn)版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補能效率方面，Max版車型在常溫環(huán)境下自營充電樁實測可實現(xiàn)15分鐘最快補能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點是如何從4英寸跨越到6英寸，以及解決8英寸襯底的良率瓶頸，那么2025年的主旋律則是“向下兼容硅基工藝生態(tài)”與“向上突破物理生長極限”。
隨著全球首款12英寸（300mm）SiC外延晶片的技術(shù)首發(fā)，以及長晶爐、切割設(shè)備、研磨拋光中試線的全面通線，一個由大尺寸驅(qū)動的成本革命正席回全球功率電子與光電產(chǎn)業(yè)鏈。
1、12英寸碳化硅為何成為“兵家必爭之地”？
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尺寸即效率，尺寸即成本，尺寸即戰(zhàn)略制高點。從6英寸向8英寸、12英寸演進，是摩爾定律在功率器件領(lǐng)域的“另類延續(xù)”。據(jù)行業(yè)測算，相較8英寸產(chǎn)線，12英寸碳化硅襯底可在單位晶圓上提升約2.25倍的有效芯片數(shù)量，同時顯著降低單位芯片制造成本（CoO），并提升制造一致性與良率窗口。
更重要的是，12英寸平臺與主流硅基CMOS產(chǎn)線實現(xiàn)設(shè)備兼容（如光刻機、刻蝕機、清洗機等），為SiC器件的“IDM+代工”融合模式打開通路，是實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)與國產(chǎn)替代的關(guān)鍵前提。
2025年，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正式進入“12英寸技術(shù)驗證與客戶送樣”關(guān)鍵年。而中國在12英寸碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從“點狀突破”到“鏈?zhǔn)絽f(xié)同”的躍遷，形成了以襯底—外延—設(shè)備—工藝為核心的完整技術(shù)生態(tài)。
圖片來源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
2、襯底環(huán)節(jié)多元突破，技術(shù)迭代加速推進
在襯底領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)呈現(xiàn)出百花齊放的態(tài)勢，多家廠商圍繞晶體質(zhì)量提升、缺陷密度降低及成本控制展開差異化布局，推動國產(chǎn)襯底在性能與供給能力上的持續(xù)改善。
晶盛機電于2025年5月12日宣布，其子公司浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好，標(biāo)志著中國在大尺寸晶體生長領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。
圖片來源：浙江晶瑞SuperSiC 圖為首顆12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶
緊隨其后，浙江晶越半導(dǎo)體于2025年7月23日宣布研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠，2025年上半年以來，晶越半導(dǎo)體在熱場設(shè)計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調(diào)整和優(yōu)化工藝，成功進入12英寸SiC襯底梯隊。
圖片來源：浙江晶越半導(dǎo)體有限公司
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料也同步推進，在2025年年內(nèi)成功研發(fā)出12英寸導(dǎo)電型SiC單晶，并同步啟動了針對大尺寸晶體的切割、研磨、拋光等后道工藝的系統(tǒng)性研究，體現(xiàn)了其“材料+工藝”一體化的深度布局思路。
圖片來源：合盛硅業(yè) 左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠
南砂晶圓則在2025年5月的行業(yè)大會上公開亮相了其12英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)品，成為國內(nèi)首家實現(xiàn)大尺寸襯底“實物化”并公開亮相的企業(yè)，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2025年3月，天岳先進更是攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底，展現(xiàn)了其全面的技術(shù)儲備和全品類供應(yīng)能力。
圖片來源：山東天岳先進科技股份有限公司
2025年10月，天成半導(dǎo)體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35mm厚。這一指標(biāo)對于制造高耐壓、大功率的電力電子器件至關(guān)重要，為下游應(yīng)用提供了更厚的有源層支撐。
圖片來源：天成半導(dǎo)體
科友半導(dǎo)體在2025年9月初成功制備出12英寸SiC晶錠后，于10月中旬再傳捷報，成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶，實現(xiàn)了雙路線的重大跨越。
圖片來源：科友半導(dǎo)體
環(huán)球晶（GlobalWafers） 2025年11月4日宣布，其12英寸SiC晶圓原型開發(fā)成功，并已正式進入客戶送樣與驗證階段。同時，其方形SiC晶圓技術(shù)也取得了突破性進展，為提升芯片切割利用率提供了創(chuàng)新性的解決方案。
圖片來源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖
3、外延打通器件應(yīng)用關(guān)鍵鏈路
襯底之后，外延是決定器件性能的“最后一公里”。
瀚天天成于2025年12月重磅發(fā)布了全球首款12英寸SiC外延晶片技術(shù)。與此同時，晶盛機電也宣布向瀚天天成交付了12英寸單片式SiC外延設(shè)備，實現(xiàn)了“材料—設(shè)備—工藝”的完美閉環(huán)。
圖片來源：晶盛機電
目前，瀚天天成已啟動12英寸SiC外延晶片的批量供應(yīng)籌備工作。相關(guān)產(chǎn)品在關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)優(yōu)異，其外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
4、SiC設(shè)備反向賦能材料創(chuàng)新
設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“工業(yè)母機”，2025年，中國SiC設(shè)備企業(yè)集體崛起，成為12英寸突破的核心支撐力量。
晶升股份在年底壓軸登場，于2025年12月29日完成12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應(yīng)用。這一里程碑事件標(biāo)志著國產(chǎn)長晶設(shè)備已從前期的“技術(shù)驗證”階段，正式邁入“量產(chǎn)導(dǎo)入”的實戰(zhàn)階段。
圖片來源：晶升股份
晶馳機電則成功開發(fā)出電阻法12英寸晶體生長設(shè)備，為行業(yè)主流的PVT（物理氣相傳輸法）技術(shù)提供了新的設(shè)備路徑選擇。
圖片來源：晶馳機電
山東力冠攻克了12英寸PVT電阻加熱長晶爐的技術(shù)難關(guān)，其設(shè)備在高溫、高真空環(huán)境下的溫度場與氣流場穩(wěn)定性控制能力達到新高度。
在加工設(shè)備方面，#天晶智能 在2025年4月就推出了TJ320型超高速多線切割機，該設(shè)備專為12英寸SiC晶錠切割設(shè)計，有效解決了大尺寸晶錠切割效率低下的瓶頸問題，單臺年產(chǎn)能達20萬片，可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。
圖片來源：天晶智能 圖為天晶智能TJ3545多線切割機
西湖儀器與晟光硅研分別在激光剝離與水導(dǎo)激光加工領(lǐng)域取得突破，前者率先實現(xiàn)12英寸襯底激光剝離，后者完成了晶錠小批量加工驗證，為后續(xù)的薄片化、異構(gòu)集成等先進工藝提供了關(guān)鍵的設(shè)備支撐。
圖片來源：西湖儀器
值得一提的是，晶飛半導(dǎo)體利用自研的激光剝離設(shè)備成功實現(xiàn)了12英寸晶圓的剝離，標(biāo)志著中國在“無損解理”這一高難度工藝環(huán)節(jié)實現(xiàn)了自主可控。
5、12英寸技術(shù)解鎖多元市場新空間
12英寸碳化硅技術(shù)的成熟正在打開新的市場空間。
在新能源汽車領(lǐng)域，大尺寸襯底可顯著提升功率器件的性能與可靠性，契合下游市場對高效節(jié)能的迫切需求。
AR眼鏡領(lǐng)域也成為12英寸SiC的重要增長極。SiC的高折射率可以使其以更薄的鏡片承載更大的視場角，并且一塊12英寸SiC晶圓可加工出8-9副AR眼鏡鏡片，生產(chǎn)效率呈幾何級數(shù)提升。
此外，在AI芯片先進封裝領(lǐng)域，隨著AI模型規(guī)模的指數(shù)級增長，芯片功耗已突破極限。行業(yè)消息透露，頭部企業(yè)計劃在2027年前將CoWoS封裝中的硅中介層替換為碳化硅材料，以提升散熱效率、縮小封裝尺寸。
更值得關(guān)注的是，隨著12英寸半絕緣型襯底的突破，碳化硅在智能電網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用加速推進，國家電網(wǎng)相關(guān)專家表示，電網(wǎng)對碳化硅器件的需求未來或?qū)⒖氨刃履茉雌囶I(lǐng)域，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海。
6、結(jié)語
全球范圍內(nèi)，12英寸碳化硅領(lǐng)域仍不乏強有力的競爭對手，國際老牌巨頭憑借技術(shù)積淀維持著顯著的競爭優(yōu)勢。
Wolfspeed在2025年9月正式開啟200mm（8英寸）SiC材料的商業(yè)化投放，并已在2026年初成功演示了單晶12英寸SiC晶圓。#Coherent 亦在2025年12月宣布了其300mm SiC平臺的重大進展，目標(biāo)直指AI數(shù)據(jù)中心的散熱管理。這種策略上的趨同反映出，12英寸SiC的主戰(zhàn)場已從單純的功率模塊延伸至熱管理與光電集成領(lǐng)域。
然而，中國產(chǎn)業(yè)也并非在同一條起跑線上被動追趕。我們擁有全球最活躍的新能源汽車與智能制造應(yīng)用市場，這為12英寸大尺寸產(chǎn)線提供了寶貴的嘗試空間。同時，國內(nèi)已形成的“材料-裝備-工藝”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新機制，使得設(shè)備國產(chǎn)化與工藝改進的響應(yīng)速度極快。
未來幾年，隨著產(chǎn)業(yè)鏈上下游的持續(xù)磨合與技術(shù)成熟度的不斷提升，國產(chǎn)12英寸SiC不僅將重塑國內(nèi)功率半導(dǎo)體格局，更將在全球高端制造版圖中占據(jù)舉足輕重的一席之地。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>安徽10億元碳化硅項目簽約
1月13日，據(jù)“合肥高新發(fā)布”官方消息，合肥高新區(qū)在推動“產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)”建設(shè)方面取得重要進展，思朗科技區(qū)域中心及3D科學(xué)計算中心等16個高質(zhì)量項目相繼簽約落地，總投資106.7億元。
圖片來源：合肥高新發(fā)布
其中包括總投資超10億元的碳化硅功率模塊封裝測試項目，該項目達產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值15億元、稅收1億元，有效支撐新能源汽車、光伏儲能等下游應(yīng)用。
合肥已集聚一批覆蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的代表性企業(yè)，形成了從材料、器件到模塊、封測的產(chǎn)業(yè)生態(tài)雛形。
其中，#鈞聯(lián)電子 在2025年2月建成安徽省首條先進工藝碳化硅車規(guī)功率模塊產(chǎn)線，新產(chǎn)線全面交付后，將形成年產(chǎn)20萬臺電控、10萬套電驅(qū)總成及100萬只功率模塊的綜合供應(yīng)能力。
合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體成立于2019年，是第三代半導(dǎo)體碳化硅材料服務(wù)商，重點研發(fā)生產(chǎn)碳化硅單晶材料，已攻克高純碳化硅粉料提純、6-8 英寸碳化硅單晶制備等關(guān)鍵技術(shù)。
芯合半導(dǎo)體（合肥）有限公司是合肥產(chǎn)投旗下碳化硅功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋 SiC 晶圓、MOSFET、SBD 及功率模塊研發(fā)生產(chǎn)，合肥八吋產(chǎn)線已成功產(chǎn)出晶圓，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光儲充等多個行業(yè)。
云南1000噸/年碳化硅制品項目落地
1月7日，昆明市生態(tài)環(huán)境發(fā)布了關(guān)于碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料加工銷售新建項目環(huán)境影響報告表的批復(fù)。標(biāo)志著云南劍峰新材料有限公司投資建設(shè)的1000噸/年碳化硅制品項目已完成關(guān)鍵環(huán)保審批流程，即將進入實質(zhì)性建設(shè)階段。
圖片來源：公告截圖
據(jù)官方批復(fù)信息顯示，該項目全稱為“碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料加工銷售新建項目”，建設(shè)單位為#云南劍峰新材料有限公司，項目性質(zhì)為新建，選址定于云南省昆明市嵩明縣楊林鎮(zhèn)震?？苿?chuàng)園1號。項目總投資530萬元，其中專門安排環(huán)保投資18.3萬元。
項目建設(shè)將采用集約高效的發(fā)展模式，租用已建標(biāo)準(zhǔn)化廠房開展生產(chǎn)活動，有效降低建設(shè)周期與土地資源占用成本。在此基礎(chǔ)上，將新建原輔料庫、五金庫房、修理車間、模具及鋁墊板堆放區(qū)、配料混料區(qū)、干燥室等完善的配套基礎(chǔ)設(shè)施，構(gòu)建起全流程標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)體系。
根據(jù)規(guī)劃，項目建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)碳化硅制品1000噸，產(chǎn)品涵蓋碳化硅陶瓷及非金屬復(fù)合材料等，可廣泛應(yīng)用于機床制造、精密機械、電子信息等多個高端領(lǐng)域。
新佳電子車規(guī)級碳化硅功率模塊生產(chǎn)線全線運轉(zhuǎn)
1月6日，據(jù)“威海高新區(qū)發(fā)布”官方消息，新佳電子去年投產(chǎn)的車規(guī)級碳化硅功率模塊生產(chǎn)線目前正全線滿負荷運轉(zhuǎn)，設(shè)備國產(chǎn)化率超60%。
車規(guī)級碳化硅功率模塊被譽為新能源汽車的”最強大腦”，承擔(dān)著直流電與交流電轉(zhuǎn)換、功率控制等核心功能，其性能直接影響新能源汽車的續(xù)航里程、動力性能與安全穩(wěn)定性。
圖片來源：威海高新區(qū)發(fā)布
回顧項目推進歷程，新佳電子車規(guī)級碳化硅模塊專用生產(chǎn)線于2025年1月進入設(shè)備安裝調(diào)試階段，當(dāng)年第二季度正式投產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)車規(guī)級碳化硅模塊30萬只；2025年10月，一期產(chǎn)線全部投入使用，二期進入設(shè)備安裝調(diào)試；2025年12月底，全線實現(xiàn)滿負荷運轉(zhuǎn)，項目建設(shè)與產(chǎn)能釋放速度遠超行業(yè)平均水平。
目前，新佳電子車規(guī)級碳化硅功率模塊已成功進入比亞迪、吉利等多家知名車企供應(yīng)鏈，同時正積極拓展風(fēng)光儲能、智能電控、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域市場。
公司相關(guān)負責(zé)人表示，二期項目全部達產(chǎn)后，可實現(xiàn)年產(chǎn)功率半導(dǎo)體模塊1200萬只、產(chǎn)值20億元的目標(biāo)。
碳化硅產(chǎn)業(yè)項目熱潮涌動
2026年1月，#浙江堅膜科技有限公司 與#福建浦城 簽約的碳化硅膜高端裝備項目進入廠房選址階段，正式啟動產(chǎn)業(yè)化進程。
該項目將建設(shè)兩條碳化硅膜高端裝備組裝生產(chǎn)線，涵蓋核心設(shè)備加工、精密制造、系統(tǒng)集成等全鏈條服務(wù)，全面投產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)值突破2000萬元。
項目依托企業(yè)自主研發(fā)的重結(jié)晶燒結(jié)技術(shù)與純質(zhì)碳化硅膜制備技術(shù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于飲用水凈化、海水淡化、工業(yè)污水資源化回用等場景，技術(shù)水平處于國內(nèi)領(lǐng)先地位，已構(gòu)筑34項相關(guān)專利的技術(shù)體系。
2026年1月4日，士蘭微在廈門海滄區(qū)舉行8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式，該產(chǎn)線為企業(yè)自主研發(fā)且規(guī)?；慨a(chǎn)的8英寸碳化硅芯片生產(chǎn)線，成功突破多項核心工藝難題。
項目總投資120億元，分兩期建設(shè)，一期設(shè)計產(chǎn)能每年42萬片晶圓，一二期全部達產(chǎn)后將形成年產(chǎn)72萬片晶圓的生產(chǎn)能力，重點服務(wù)于新能源電動汽車、光伏、儲能、充電樁等應(yīng)用場景，可滿足國內(nèi)40%以上的車規(guī)級碳化硅芯片需求。
2026年1月9日，無錫高新區(qū)官方發(fā)布消息，#基本半導(dǎo)體 車規(guī)級第三代半導(dǎo)體研發(fā)制造總部基地項目已正式簽約落戶。
作為國內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝等核心技術(shù)，其汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實現(xiàn)全面量產(chǎn)，累計出貨碳化硅功率器件超3000萬顆，服務(wù)全球數(shù)百家客戶。
此次簽約的總部基地項目，將聚焦車規(guī)級第三代半導(dǎo)體研發(fā)與制造，進一步強化無錫高新區(qū)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局。
結(jié)語
2026年開年以來碳化硅產(chǎn)業(yè)項目的密集落地與推進，是我國新能源產(chǎn)業(yè)升級需求、核心技術(shù)突破與政策引導(dǎo)共振的必然結(jié)果。
此外，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體核心材料的戰(zhàn)略價值——其在新能源汽車、光伏儲能等領(lǐng)域的應(yīng)用已進入規(guī)?；l(fā)期，市場需求為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了強勁牽引力。
未來，隨著更多項目落地投產(chǎn)，我國碳化硅產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)從“跟跑”向“并跑”“領(lǐng)跑”的跨越，為新能源產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展與高端制造業(yè)升級提供核心支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>國內(nèi)方面，晶盛機電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破；國際方面，Wolfspeed宣布成功制造出單晶12英寸碳化硅晶圓。
01、晶盛機電實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破
1月13日，晶盛機電官微宣布，依托自主搭建的12英寸中試線，其子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（以下簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）于近日成功實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底厚度均勻性（TTV）≤1μm的關(guān)鍵技術(shù)突破。
圖片來源：晶盛機電
碳化硅憑借高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高耐壓等優(yōu)異特性，已成為新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等高壓高頻場景的關(guān)鍵支撐材料，而隨著AI/AR眼鏡、先進封裝等新興領(lǐng)域的崛起，大尺寸碳化硅襯底的需求愈發(fā)迫切。
但大尺寸化進程中，厚度均勻性控制始終是技術(shù)攻堅難點——碳化硅莫氏硬度高達9.5，僅次于鉆石，精密加工難度極大，尤其12英寸襯底在后道光刻、先進封裝鍵合等工藝中，對TTV的控制精度提出了嚴(yán)苛要求。
此次晶盛機電實現(xiàn)的12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破，核心依托于其“裝備+材料”的協(xié)同創(chuàng)新優(yōu)勢。
2025年9月，浙江晶瑞SuperSiC搭建的12英寸碳化硅中試線正式通線。據(jù)了解，該中試線已實現(xiàn)從晶體生長、激光切割、減薄、拋光到清洗、檢測的全流程覆蓋，且核心加工與檢測設(shè)備100%國產(chǎn)化，其中高精密減薄機、雙面精密研磨機等關(guān)鍵設(shè)備均為晶盛機電自主研發(fā)，性能指標(biāo)達到行業(yè)領(lǐng)先水平。
圖片來源：晶盛機電
晶盛機電表示，針對12英寸碳化硅TTV控制的行業(yè)痛點，晶盛機電研發(fā)中心與浙江晶瑞SuperSiC團隊從減薄設(shè)備剛性、研磨和拋光盤形控制、減薄-研磨-拋光工藝對面形影響等多個維度協(xié)同攻關(guān)，最終達成TTV≤1μm的關(guān)鍵突破。
資料顯示，晶盛機電成立于2006年，是一家專注于半導(dǎo)體材料裝備、化合物半導(dǎo)體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)。浙江晶瑞SuperSiC是晶盛機電的全資子公司，成立于2014年5月，專注于化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。2024年9月，浙江晶瑞SuperSiC公司注冊資本由5億人民幣增至10億人民幣。
2025年5月，浙江晶瑞SuperSiC成功實現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅單晶生長技術(shù)突破，首顆晶體直徑達309mm且質(zhì)量完好，基于自主研發(fā)的SiC單晶生長爐及迭代升級的長晶工藝，攻克溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現(xiàn)6-12英寸全尺寸長晶技術(shù)自主可控。
2025年7月，浙江晶瑞SuperSiC(Malaysia)SdnBhd在馬來西亞檳城柏淡（Bertam）科技園舉辦新廠房奠基儀式。該新廠區(qū)占地面積達40000平方米，預(yù)計將在未來一年內(nèi)啟動建設(shè)。根據(jù)規(guī)劃，項目一期完工后，將實現(xiàn)年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)能。
02、Wolfspeed制造出單晶300mm碳化硅晶圓
當(dāng)?shù)貢r間1月13日，Wolfspeed宣布成功生產(chǎn)出單晶300毫米（12英寸）碳化硅晶圓。
圖片來源：Wolfspeed官網(wǎng)新聞稿
Wolfspeed的300毫米平臺將統(tǒng)一用于電力電子的高量碳化硅制造與高純度半絕緣基板的先進能力，應(yīng)用于光學(xué)和射頻系統(tǒng)。這一融合將支持一種跨光學(xué)、光子、熱能和功率領(lǐng)域的新型晶圓尺度集成。
依托全球碳化硅領(lǐng)域規(guī)模最大、基礎(chǔ)最深厚的知識產(chǎn)權(quán)組合，Wolfspeed目前擁有超2300項已授權(quán)及待審專利，正加速推進300毫米碳化硅技術(shù)的商業(yè)化進程。
在Wolfspeed官方新聞稿中，Wolfspeed多次提及300毫米碳化硅技術(shù)對AI基礎(chǔ)設(shè)施、AR/VR以及其他先進的電力設(shè)備應(yīng)用的變革性作用。
具體而言，在AI基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域，隨著數(shù)據(jù)處理負載攀升，數(shù)據(jù)中心電力需求激增，碳化硅材料優(yōu)異的導(dǎo)熱性與機械強度可精準(zhǔn)匹配高功率密度、高效散熱及能源效率提升的核心需求。
而在下一代AR/VR領(lǐng)域，其導(dǎo)熱性與光學(xué)折射可控特性，成為構(gòu)建緊湊輕薄、高亮度、廣視野設(shè)備多功能光學(xué)架構(gòu)的理想選擇。
同時，該技術(shù)還將為電網(wǎng)級高壓能量傳輸、下一代工業(yè)系統(tǒng)等場景提供先進功率器件支撐，推動相關(guān)組件向更小體積、更優(yōu)性能、更低發(fā)熱量方向升級。
當(dāng)前，300毫米碳化硅已成為全球半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的競爭焦點。
據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體不完全觀察，截至目前國內(nèi)外已有15家企業(yè)成功制備12英寸碳化硅晶體或襯底，其中國內(nèi)廠商如#天岳先進、#晶盛機電 等也在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重要突破，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正加速重塑。
盡管現(xiàn)階段12英寸碳化硅晶體生長仍處于技術(shù)突破早期，良率提升與成本優(yōu)化仍是行業(yè)共同面臨的挑戰(zhàn)，但隨著頭部企業(yè)持續(xù)研發(fā)投入及下游新興應(yīng)用需求拉動，其技術(shù)成熟與商業(yè)化進程有望持續(xù)加速。
03、結(jié)語
行業(yè)普遍認為，12英寸碳化硅技術(shù)的突破具有關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)價值。相較于當(dāng)前主流的6英寸、8英寸產(chǎn)品，12英寸碳化硅襯底及晶圓可顯著提升單片芯片產(chǎn)出量。數(shù)據(jù)顯示，12英寸產(chǎn)品單片晶圓芯片產(chǎn)出量較8英寸增加約2.5倍，能大幅降低長晶、加工及下游器件制造的單位成本。
此次國內(nèi)外兩大突破，不僅印證了12英寸碳化硅技術(shù)的可行性，更將加速碳化硅材料在新能源汽車、可再生能源發(fā)電、數(shù)據(jù)中心供電模塊、5G/6G射頻器件、AR/VR光學(xué)模組等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，為全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>中科光智成都子公司主要聚焦研發(fā)與制造高精度貼片機、光通信封裝關(guān)鍵設(shè)備以及用于顯示封裝等領(lǐng)域的設(shè)備，解決高端封裝領(lǐng)域尤其是第三代半導(dǎo)體（如碳化硅）的工藝難題，致力于成為國產(chǎn)高端封裝裝備的領(lǐng)先供應(yīng)商。
資料顯示，中科光智成立于2021年，專注于半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域。憑借多年研發(fā)積累，公司率先在國內(nèi)推出用于高可靠性SiC芯片封裝的預(yù)貼片和納米銀燒結(jié)設(shè)備，并于2024年陸續(xù)導(dǎo)入客戶SiC模塊產(chǎn)線。
2025年末，媒體報道中科光智已經(jīng)完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。
根據(jù)規(guī)劃，該項目不僅涵蓋高精度全自動貼片機及納米銀壓力燒結(jié)機等核心設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與結(jié)算，還將同步打造半導(dǎo)體封裝測試驗證公共服務(wù)平臺。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)，其性能優(yōu)化直接決定下游器件的可靠性與應(yīng)用上限。近期公開的兩項襯底相關(guān)專利，分別從絕緣層設(shè)計與光學(xué)結(jié)構(gòu)制備兩大方向?qū)崿F(xiàn)創(chuàng)新。
騰云創(chuàng)芯半導(dǎo)體材料（上海）有限公司于2026年1月2日公開的“一種六方氮化硼絕緣體上碳化硅襯底結(jié)構(gòu)的制備方法”（CN121262882A），創(chuàng)新性采用六方氮化硼作為絕緣層材料。該方案通過精準(zhǔn)控制頂層SiC薄膜厚度，有效減少電荷散射現(xiàn)象，顯著提升器件穩(wěn)定性，可精準(zhǔn)匹配高壓功率器件對絕緣層均勻性與薄膜質(zhì)量的嚴(yán)苛要求，為新能源汽車電控、光伏逆變器等高壓場景提供了高性能襯底解決方案。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
北京阿法龍科技有限公司于2026年1月6日公開的“基于碳化硅襯底的連續(xù)深度漸變的光柵結(jié)構(gòu)及其制備方法”（CN121276675A），實現(xiàn)了碳化硅在光學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)突破。該專利采用漸變犧牲層+兩步等離子刻蝕+等離子拋光的集成工藝，在碳化硅襯底上成功制備出高精度連續(xù)深度漸變光柵，可精準(zhǔn)匹配RGB三色波長的衍射需求。據(jù)專利摘要顯示，該技術(shù)有效消除了傳統(tǒng)刻蝕工藝中的微溝槽缺陷，解決了單層全彩光波導(dǎo)制備中深寬比與表面質(zhì)量難以兼顧的行業(yè)痛點，同時降低了光波導(dǎo)傳輸損耗，提升了產(chǎn)品良率。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
在功率器件領(lǐng)域，結(jié)構(gòu)優(yōu)化與制備工藝升級成為近期專利創(chuàng)新的核心方向，旨在實現(xiàn)器件性能提升與制造成本降低的雙重目標(biāo)。
廣東芯粵能半導(dǎo)體于2025年12月26日公開的“碳化硅功率器件及其制備方法”（CN121218646A），采用條狀MPS與條狀柵極交替的復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計，融合PiN與肖特基器件的技術(shù)優(yōu)勢，不僅實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻（Ron）、低正向壓降（Vf）的性能表現(xiàn)，還增強了器件的抗浪涌能力。該技術(shù)方案有效降低了制造成本，可廣泛適配新能源汽車、光伏儲能等高壓大電流應(yīng)用場景，契合當(dāng)前功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝?、低成本器件的市場需求?/p>
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
江蘇集芯先進材料于2026年1月6日公開的“碳化硅制備裝置和碳化硅的制備方法”（CN121266460A），通過底部補氣組件的特殊設(shè)計，在加熱過程中通入氫氣形成由上至下的氣相雜質(zhì)排出通道，顯著提升了碳化硅材料的合成純度。同時，該設(shè)計有效避免了氫氣對爐體的腐蝕，延長了設(shè)備使用壽命，進一步降低了規(guī)?；a(chǎn)的綜合成本。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
單晶生長質(zhì)量與加工精度是制約碳化硅產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵瓶頸，近期授權(quán)及公開的多項專利聚焦這一領(lǐng)域展開技術(shù)創(chuàng)新。
湖南頂立科技于2026年1月6日獲得授權(quán)的“帶晶體換熱裝置的碳化硅單晶生長設(shè)備”（CN223766475U），通過可滑動的晶體換熱裝置實現(xiàn)對籽晶溫度的精準(zhǔn)控制，有效優(yōu)化了單晶生長過程中的熱場均勻性，減少了晶體缺陷，為高品質(zhì)碳化硅單晶的穩(wěn)定制備提供了設(shè)備保障。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
紹興自遠磨具于2026年1月8日公開的“基于多模態(tài)分散技術(shù)的碳化硅研磨漿料及其制備方法”（CN121271506A），采用化學(xué)改性與多物理分散相結(jié)合的技術(shù)路徑，有效抑制了碳化硅微粉的團聚現(xiàn)象，通過改性層緩沖研磨過程中的剛性碰撞，減少了材料表面的深劃痕與亞表面損傷，可適配高端光通信、功率器件襯底等領(lǐng)域的超精密研磨需求。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
連云港沃鑫高新材料于2026年1月9日獲得授權(quán)的“一種用于碳化硅微粉生產(chǎn)的多級研磨設(shè)備及其使用方法”（CN120790336B），則通過多級研磨工藝的設(shè)計，可適配不同粒徑碳化硅微粉的生產(chǎn)需求，顯著提升了研磨效率與粒度分布均勻性，能夠滿足先進封裝、陶瓷材料等領(lǐng)域?qū)ξ⒎奂兌扰c粒徑的差異化要求。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
除核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)外，碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域也在持續(xù)拓展。
泰州晶澤路新材料于2026年1月9日獲得授權(quán)的“一種碳化硅節(jié)能型的電阻絲”（CN223786206U），采用多基體并聯(lián)結(jié)構(gòu)降低總電阻，配合雙層防護設(shè)計，實現(xiàn)了節(jié)能與抗機械沖擊的雙重效果，成功將碳化硅材料應(yīng)用于高溫工業(yè)加熱場景，進一步豐富了碳化硅的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用生態(tài)。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權(quán)局
結(jié)語
結(jié)合行業(yè)發(fā)展趨勢，隨著8英寸碳化硅產(chǎn)線的逐步通線與產(chǎn)能爬坡，以及12英寸襯底技術(shù)的持續(xù)推進，碳化硅材料的規(guī)模化應(yīng)用成本將進一步降低。而此次多項專利技術(shù)的落地，將與產(chǎn)能擴張形成協(xié)同效應(yīng)，加速推動碳化硅在新能源、AR顯示、先進封裝等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進程。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>因應(yīng)電動車智能化與高效化目標(biāo)，車廠持續(xù)提高底盤的電驅(qū)系統(tǒng)整合度，以降低布線及相關(guān)硬件成本，同時提高通信效率及續(xù)航力。在2025年第三季整體逆變器裝機量中，與減速器、馬達等其他零件以“3 in 1”(含)以上型態(tài)整合的裝機占比已突破70%?！? in 1”(含)以上整合的占比更從2024年同期的16%，上升至23%。
TrendForce集邦咨詢表示，SiC功率半導(dǎo)體因具備更緊湊的尺寸，以及更高的電壓耐受力，成為電驅(qū)系統(tǒng)整合的關(guān)鍵零件。2025年第三季全球SiC逆變器裝機量突破150萬臺，創(chuàng)下歷史新高。其在電動車的滲透率從2024同期的14%，成長至18%；若只算新能源車，滲透率達到22%。
進一步分析SiC逆變器裝機車型，高達84%由BEV貢獻，其余則來自PHEV及增程式電動車(REEV)。目前中國市場仍是SiC逆變器最大裝機市場，占據(jù)約75%的裝機量，而歐美市場需求持續(xù)疲軟。此結(jié)構(gòu)特性在地緣國際局勢中，成為IDM廠難以移轉(zhuǎn)的風(fēng)險。
盡管逆變器裝機量受整車市場帶動而持續(xù)成長，2025年第三季市場總值卻較2024年同期下降10%，反映出即便市場規(guī)模持續(xù)擴大，相關(guān)供應(yīng)鏈仍承受來自車廠的降價壓力也日益加重。
備注:
[1] 新能源車: 包括純電動車(BEV)、插電混合式電動車(PHEV)、增程式電動車(REEV)、燃料電池車(FCV)
[2] 電動車: 包括油電混合車(HEV)、純電動車(BEV)、插電混合式電動車(PHEV)、增程式電動車(REEV)、燃料電池車(FCV)
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>根據(jù)規(guī)劃，項目將分階段推進建設(shè)，全面達產(chǎn)后預(yù)計每年可實現(xiàn)百萬只#車規(guī)級碳化硅功率模塊 的生產(chǎn)規(guī)模，為基本半導(dǎo)體在車規(guī)半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場拓展提供產(chǎn)能支撐。
圖片來源：無錫高新區(qū)在線
基本半導(dǎo)體表示，項目建成后將進一步加大投入，深化產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。未來將與無錫本地產(chǎn)業(yè)伙伴展開深度協(xié)同，共同構(gòu)建覆蓋材料、設(shè)計、制造與封測等環(huán)節(jié)的完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為綠色能源、新能源汽車等領(lǐng)域提供關(guān)鍵半導(dǎo)體產(chǎn)品支持。
基本半導(dǎo)體董事長汪之涵提到，此次項目落地將進一步完善公司從芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試到驅(qū)動應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。特別是在新能源汽車主驅(qū)、超充樁等核心應(yīng)用領(lǐng)域，將為下游客戶提供更穩(wěn)定的產(chǎn)能保障和技術(shù)支持。
公開資料顯示，基本半導(dǎo)體成立于2016年，專注于碳化硅功率器件領(lǐng)域，業(yè)務(wù)覆蓋材料制備、芯片設(shè)計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)。2025年12月上旬，在首版招股書失效之后，基本半導(dǎo)體再次向香港聯(lián)交所遞交主板上市申請。
圖片來源：基本半導(dǎo)體招股書
據(jù)招股書，基本半導(dǎo)體本次赴港上市募集資金將主要用于擴大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機器，對新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術(shù)創(chuàng)新，以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。其余募集資金將作為營運資金及其他一般公司用途。
業(yè)績方面，基本半導(dǎo)體近年來營收實現(xiàn)快速增長，但尚未實現(xiàn)盈利。具體來看，2022年至2024年，公司營業(yè)收入從1.17億元增長至2.99億元，復(fù)合年增長率59.9%；2025年上半年實現(xiàn)營收1.04億元，同比增長52.74%。但公司同期持續(xù)虧損，凈虧損分別為2.42億元、3.42億元、2.37億元和1.77億元，三年半累計虧損達9.98億元。
產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面，2024年，公司碳化硅功率模塊貢獻48.7%的收入，碳化硅分立器件及功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動分別占17.4%和26.8%。
由于行業(yè)競爭激烈，基本半導(dǎo)體部分產(chǎn)品的價格呈下降趨勢。2023年，公司碳化硅功率模塊的平均銷售價格較2022年大幅下滑，2024年繼續(xù)小幅下降；功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動的價格2024年同比降了70.96%；碳化硅分立器件的平均售價也呈波動趨勢。
融資方面，招股書顯示，基本半導(dǎo)體成立至今已完成超十輪融資，投資方包括聞泰科技、廣汽集團、博世創(chuàng)投等知名企業(yè)和機構(gòu)。2025年4月完成D輪融資后，公司估值達51.60億元。
在產(chǎn)能建設(shè)上，2021年12月末，基本半導(dǎo)體官方宣布國內(nèi)首條車規(guī)級SiC功率模塊專線正式通線，2022年25萬只模塊，2025年前提升至150萬只；此外，2024年無錫封裝產(chǎn)線全年產(chǎn)量12萬件，產(chǎn)能利用率52.6%；深圳光明6英寸SiC晶圓廠2024年產(chǎn)能利用率45.2%。去年6月，基本半導(dǎo)體（中山）有限公司年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項目已通過備案，擬在中山市火炬開發(fā)區(qū)建設(shè)碳化硅模塊封裝基地，主要產(chǎn)品包括車規(guī)級碳化硅半橋模塊、三相全橋模塊和塑封半橋模塊等。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>
圖片來源：湖南三安
公開資料顯示，三安光電成立于2000年，2008年登陸上海證券交易所，是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，核心戰(zhàn)略定位為“LED+化合物半導(dǎo)體”雙主業(yè)協(xié)同發(fā)展。在SiC業(yè)務(wù)板塊，三安光電以湖南三安為核心運營主體，已建成國內(nèi)領(lǐng)先的6英寸SiC襯底、外延及芯片產(chǎn)線。
梳理三安光電近期動態(tài)可見，自2025年12月底以來，公司在核心業(yè)務(wù)突破、資本運作、產(chǎn)能建設(shè)等多個維度動作頻頻。
除此次SiC MOSFET批量供貨外，公司2026年1月8日同步披露，其砷化鎵多結(jié)太陽能電池已成功應(yīng)用于商用衛(wèi)星電源領(lǐng)域，供應(yīng)多家國內(nèi)外客戶，進一步鞏固了在太空光伏賽道的先發(fā)優(yōu)勢。
值得關(guān)注的是，在新能源汽車領(lǐng)域，公司1200V 13mΩ SiC MOSFET芯片已成功搭載理想汽車高壓平臺車型，實現(xiàn)車規(guī)級產(chǎn)品從技術(shù)攻關(guān)到規(guī)模化裝車的里程碑突破。
圖片來源：三安半導(dǎo)體
2025年12月29日，公司董事會審議通過為全資及控股子公司提供不超過183億元擔(dān)保額度的議案，以支持各子公司在SiC、光通信等核心業(yè)務(wù)的產(chǎn)能建設(shè)與市場拓展，該議案將于2026年1月14日提交臨時股東會審議。同期，公司控股股東三安電子完成部分股份質(zhì)押，累計質(zhì)押5.99億股，占其持股比例的49.38%；三安集團及三安電子合計質(zhì)押7.66億股，占其合計持股的52.11%，質(zhì)押融資全部用于生產(chǎn)經(jīng)營，未觸發(fā)平倉風(fēng)險，公司控制權(quán)及經(jīng)營穩(wěn)定性不受影響。
產(chǎn)能布局上，湖南三安二期6/8英寸兼容產(chǎn)線正在加緊建設(shè)，規(guī)劃年產(chǎn)能36萬片（6英寸等效），預(yù)計2026年第二季度正式投產(chǎn)，屆時將進一步提升公司SiC業(yè)務(wù)的規(guī)模優(yōu)勢。
行業(yè)分析人士指出，三安光電近期在SiC、砷化鎵等核心業(yè)務(wù)領(lǐng)域的密集突破，疊加產(chǎn)能擴張與資本運作的穩(wěn)步推進，正推動公司從傳統(tǒng)LED龍頭向全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)型。
隨著8英寸SiC產(chǎn)線良率提升、1.6T光芯片客戶驗證推進及車規(guī)級產(chǎn)品滲透率提升，公司有望在2026年迎來業(yè)績增長的關(guān)鍵拐點，同時為我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的崛起提供支撐。
（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>
圖片來源：雷軍社交平臺截圖
作為小米SU7系列的首次重大改款，新車在三電系統(tǒng)、智能駕駛等核心領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全維升級，其中“全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺”的配置策略，成為碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)在中端豪華純電市場規(guī)模化應(yīng)用的重要里程碑，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。
從公布的產(chǎn)品細節(jié)來看，小米新一代SU7在智能駕駛、底盤調(diào)校及豪華配置上實現(xiàn)全面進階。智能駕駛領(lǐng)域，新車實現(xiàn)“入門即滿配”，全系標(biāo)配激光雷達、4D毫米波雷達及700TOPS算力旗艦芯片，可覆蓋全天候、全場景精準(zhǔn)環(huán)境識別，后續(xù)將通過OTA持續(xù)升級至更高階輔助駕駛功能；底盤系統(tǒng)進一步優(yōu)化，搭載升級后的智能懸架，兼顧操控穩(wěn)定性與乘坐舒適性。
值得注意的是，新一代SU7全系標(biāo)配碳化硅高壓平臺，成為此次升級最核心的技術(shù)亮點之一。具體來看，新車標(biāo)準(zhǔn)版、Pro版配備752V碳化硅高壓平臺，Max版升級為897V碳化硅高壓平臺；依托碳化硅材料高導(dǎo)熱、低損耗的優(yōu)異特性，新車形成梯度化超長續(xù)航矩陣，其中標(biāo)準(zhǔn)版CLTC續(xù)航720km、Pro版902km、Max版835km，最低能耗僅11.7kWh/100km。補能效率方面，Max版車型在常溫環(huán)境下自營充電樁實測可實現(xiàn)15分鐘最快補能CLTC續(xù)航670km的高效表現(xiàn)，大幅緩解用戶充電焦慮。
圖片來源：小米汽車
從技術(shù)原理與行業(yè)價值來看，新一代SU7標(biāo)配碳化硅高壓平臺的戰(zhàn)略選擇，精準(zhǔn)契合新能源汽車高效化、高壓化的發(fā)展趨勢。
首先是能效提升顯著，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，具備高導(dǎo)熱系數(shù)、高擊穿電壓及快速開關(guān)速度等特性，相較于傳統(tǒng)硅基器件，可使車載逆變器效率提升10%～15%，直接轉(zhuǎn)化為續(xù)航里程的增加，這也是新一代SU7 Pro版能實現(xiàn)902km超長續(xù)航的關(guān)鍵支撐之一。
其次是補能效率優(yōu)化，碳化硅器件適配的高壓平臺可大幅提升充電功率，結(jié)合小米自營超充網(wǎng)絡(luò)，能實現(xiàn)“充電15分鐘，續(xù)航670公里”的補能體驗，逐步拉近純電車型與燃油車的補能便利性差距。
最后是整車輕量化與成本優(yōu)化，碳化硅材料載流子遷移率高，相同功率等級下封裝尺寸僅為硅功率模塊的1/3～2/3，同時可減少濾波器、無源器件及散熱系統(tǒng)的體積與重量，助力整車能耗進一步降低，長期來看更有利于通過規(guī)模化應(yīng)用攤薄碳化硅器件的成本。
全球車企加速碳化硅布局 產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐步成型
事實上，近年來，國內(nèi)外主流車企紛紛加快碳化硅技術(shù)的裝車落地。
在自主車企中，比亞迪是碳化硅自研路線的代表，其全棧自研的碳化硅模塊已配裝旗下多款車型，通過垂直整合打通“芯片設(shè)計-模組封裝-整車應(yīng)用”鏈條，搭載該模塊的車型電驅(qū)效率提升至97.5%，配合800V高壓平臺實現(xiàn)充電5分鐘行駛150公里的突破。
小鵬汽車則選擇與半導(dǎo)體企業(yè)深度合作，2025年與芯聯(lián)集成聯(lián)合宣布國內(nèi)首個混合碳化硅產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)，通過硅與碳化硅的創(chuàng)新性結(jié)合，在保持電驅(qū)系統(tǒng)效率提升的同時，顯著降低了碳化硅用量及成本，為技術(shù)規(guī)模化滲透開辟新路徑。零跑汽車也在2025年完成多款車型的800V碳化硅高壓平臺標(biāo)配，并計劃2026年將配套的智能駕駛體驗升級至行業(yè)第一梯隊水平。
海外品牌與合資企業(yè)同樣動作頻頻，嵐圖汽車近期發(fā)布的全棧自研“嵐海智混技術(shù)”，便以全域800V碳化硅高壓系統(tǒng)為核心，通過5C超充、大容量電池等綜合解決方案，將電驅(qū)效率提升9％以上。
德國馬勒2025年上海車展期間展示了中國團隊開發(fā)的800V/11kW碳化硅雙向三合一車載充電器，并與一家豪華電動汽車制造商簽訂價值2億歐元的供貨合同。
供應(yīng)鏈端，三安光電與意法半導(dǎo)體合資成立的安意法半導(dǎo)體，2025年實現(xiàn)國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅晶圓量產(chǎn)線通線，全面達產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)48萬片晶圓，將大幅提升國產(chǎn)化碳化硅器件的供給能力與成本競爭力。
業(yè)內(nèi)分析認為，隨著小米、零跑等車企將碳化硅技術(shù)下沉至20萬級主流市場，疊加8英寸碳化硅晶圓產(chǎn)能的逐步釋放，2025年已成為國內(nèi)碳化硅技術(shù)的“普及元年”。新一代SU7的推出，不僅將進一步加劇純電市場的競爭格局，更將以規(guī)?；瘧?yīng)用的示范效應(yīng)，推動整個碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從技術(shù)研發(fā)向市場化、產(chǎn)業(yè)化加速邁進。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。
]]>