1、漢京半導體基地項目今年10月試投產

6月19日，據遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導體”）產業(yè)基地已展露形象，預計今年10月試投產。

據悉，漢京半導體產業(yè)基地作為集成電路裝備產業(yè)集群重點項目，由遼寧漢京半導體材料有限公司投資建設，項目總投資10億元，主要生產集成電路產業(yè)專用材料及設備，包括石英、陶瓷、爐管碳化硅零部、半導體設備先進零部件的開發(fā)等，建成后將吸引集成電路產業(yè)鏈上下游企業(yè)加速聚集，推動遼寧省成為半導體設備重要材料供應基地。

公開資料顯示，漢京半導體是一家半導體材料研發(fā)商，專業(yè)從事SiC燒結、CVD涂層、精加工生產、檢驗、銷售業(yè)務，其自主研發(fā)的半導體設備用碳化硅制品在客戶端已正式通過客戶測試認證。

圖片來源：漢京半導體

漢京半導體副董事長李英龍披露，新廠將建成全球半導體石英精密度最高的生產線，也是國內第一條極高純石英生產線，其對應的是10納米以下工藝的先進制程。

而聚焦爐管碳化硅零部件而言，目前，全球能做同類產品的企業(yè)只有3家，產品交付周期在36個月左右。漢京半導體新廠建設國內第一條半導體爐管碳化硅零部件生產線投產后，產品交付周期預計從36個月縮短至12個月，極大緩解行業(yè)面臨的長交期困境。

不僅如此，新廠的研發(fā)中心還將專注于半導體設備先進零部件的開發(fā)，以期盡快取得技術突破，助力我國半導體產業(yè)延鏈補鏈強鏈。

2、重慶奕能碳化硅模組生產基地項目已封頂

6月4日，據重慶中建西部建設有限公司官微透露，重慶奕能碳化硅模組生產基地項目主體結構已圓滿封頂，標志著項目建設取得重要階段性成果。

圖片來源：中建西部建設集團第一有限公司

據重慶市發(fā)展改革委5月14日消息，重慶奕能碳化硅模組生產基地項目由重慶奕能電子有限公司負責建設，其主要股東為北京奕斯偉科技集團有限公司，占地面積約300畝，總投資達18億元人民幣。

項目規(guī)劃分三期建設。一期工程主要建設碳化硅晶圓制造車間、封裝測試中心及研發(fā)實驗室，設計年產能為12萬片6英寸碳化硅晶圓。項目規(guī)劃的月產能為73萬個碳化硅模組，產品將廣泛應用于電動汽車、新能源、工業(yè)等領域。

項目采用國際領先的物理氣相傳輸法（PVT）晶體生長技術，晶片良品率目標設定為85%，較行業(yè)平均水平提升15個百分點。此外，項目還引入了摻雜鈧元素等創(chuàng)新技術，以提升碳化硅晶格穩(wěn)定性，使器件擊穿場強達到3.5MV/cm。

項目自2024年12月5日取得建設用地規(guī)劃許可證以來進展順利，于2025年1月正式開工。目前，主體施工階段的推進標志著項目正按計劃穩(wěn)步實施。預計項目達產后，年產值將超過80億元，并有望帶動本地配套企業(yè)形成50億元規(guī)模的產業(yè)集群。

3、賽美特碳化硅模組CIM項目啟動

近日，賽美特官方披露，其與國內某碳化硅模組工廠達成項目合作，為其構建CIM解決方案，護航客戶填補國內高端碳化硅器件產能空白。

圖片來源：賽美特

此次項目聚焦打造高端碳化硅模組智慧產線，通過國產化智能制造系統(tǒng)解決方案，助力客戶實現(xiàn)順利量產、產能爬坡、良率管控的全流程精細化管理。

公開資料顯示，碳化硅材料作為第三代半導體核心器件，對生產工藝和質量管理要求極高。此次合作中，賽美特提供整套CIM解決方案，系統(tǒng)涵蓋MES、EAP、SPC、WMS等，助力工廠實現(xiàn)生產全流程的自動化、標準化與智能化管理，提升產能效率與產品良率。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子

鈞聯(lián)電子自2023年底開始與廣汽高域合作，針對eVTOL航空器的特殊需求，共同開發(fā)了這款高可靠性#SiC 控制器。經過多輪技術驗證，該產品于2024年底獲得GOVY AirCab適航量產機型的正式應用。作為飛行汽車動力系統(tǒng)的核心控制單元，該控制器采用了第三代半導體碳化硅技術。

這款SiC控制器具備高功率密度與超低損耗的特性。其能量轉化效率達到99.8%，有助于顯著提升航空器的續(xù)航能力。輕量化設計則有效釋放了航空器的有效載荷空間。同時，控制器支持800V高壓平臺以及400V至900V的寬電壓范圍。這些技術特性為GOVY AirCab實現(xiàn)高效的垂直起降與巡航飛行提供了關鍵支撐。

在量產能力方面，鈞聯(lián)電子于2025年2月在合肥建成了安徽省首條車規(guī)級SiC功率模塊產線，年產能規(guī)劃達到百萬只。該產線采用自動化測試工藝，以滿足航空級功能安全標準，為飛行汽車核心部件的穩(wěn)定供應提供了保障。

今年6月初，鈞聯(lián)電子完成了近億元人民幣的A輪融資，由國元股權領投。所募資金將重點用于SiC產線的擴產以及電驅產品在新能源汽車與eVTOL領域的應用拓展。目前，鈞聯(lián)電子的800V高壓電驅產品已在新能源汽車領域獲得超過10家頭部車企的項目定點。

隨著GOVY AirCab進入量產階段，鈞聯(lián)電子成為國內實現(xiàn)航空級碳化硅控制器量產應用的企業(yè)之一。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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圖片來源：中電化合物

作為國內領先的第三代半導體材料供應商，中電化合物專注于碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）材料的研發(fā)與生產，其產品廣泛應用于電力電子、射頻通信、光電子等領域。

甬江實驗室則作為省市共建的浙江省新材料實驗室，致力于材料前沿科學研究，突破材料關鍵核心技術，貫通材料創(chuàng)新全鏈條。甬江實驗室在新型顯示、光學器件及AR/VR技術領域具有深厚的研究積累，是浙江省重點打造的高能級創(chuàng)新平臺。

雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢，共同推動SiC晶片在AR顯示中的規(guī)模化應用，助力AR行業(yè)實現(xiàn)更清晰、更沉浸的視覺體驗。

此次戰(zhàn)略合作不僅聚焦于光學級SiC晶片的研發(fā)，還涵蓋了SiC材料制備所需的熱場涂層、專用原料等關鍵技術領域。通過產學研的深度結合，雙方將共同攻克SiC材料在光學應用中的技術難題，推動SiC材料的產業(yè)化進程。

近年來，隨著增強現(xiàn)實（AR）技術的快速發(fā)展，AR眼鏡作為下一代智能穿戴設備的核心產品，對光學材料提出了更高的要求。光學碳化硅（SiC）晶片憑借其高硬度、高熱導率、高透光性等優(yōu)異特性，成為AR眼鏡光學晶片的理想材料之一。相較于傳統(tǒng)玻璃或樹脂鏡片，SiC晶片能夠顯著提升光學性能、優(yōu)化散熱能力，并實現(xiàn)輕薄設計，為用戶帶來更清晰、更沉浸的視覺體驗。

隨著光學碳化硅（SiC）晶片在AR眼鏡領域的應用受到越來越多企業(yè)的關注，相關合作案例不斷涌現(xiàn)。

2月27日，晶盛機電與龍旗科技、XREAL、鯤游光電四家行業(yè)領軍企業(yè)正式簽署《AI/AR產業(yè)鏈戰(zhàn)略合作協(xié)議》。晶盛機電子公司SuperSiC浙江晶瑞憑借在碳化硅領域的全鏈條設備和工藝優(yōu)勢，將提供碳化硅襯底的產能、品質和成本保障，推動AR眼鏡的普及和應用。此次合作旨在通過“技術標準+產業(yè)閉環(huán)+國家品牌”的三重戰(zhàn)略，打造AI/AR產業(yè)鏈深度協(xié)同。

2月21日，天科合達宣布與慕德微納簽署了投資合同，共同出資成立合資公司。雙方將在AR衍射光波導鏡片技術研發(fā)與市場推廣方面展開深度合作，共同推動AR行業(yè)的技術創(chuàng)新與應用落地。

此外，三安光電的碳化硅襯底在AI/AR眼鏡領域與國內外終端廠商、光學元件廠商緊密合作，已向多家客戶送樣驗證。這表明碳化硅材料在AR眼鏡領域的應用正在加速推進，相關產業(yè)鏈企業(yè)正在積極布局。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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圖片來源：芯粵能

這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能的深度協(xié)同與長期技術積累。芯聚能憑借其在新能源汽車主驅模塊領域累計超過45萬個的豐富交付經驗，奠定了堅實的芯片篩選測試與工藝質量管控基礎。此次量產的主驅模塊，正是搭載了由芯粵能半導體制造的SiC芯片。這些芯片和模塊通過了從芯片、模塊、電驅系統(tǒng)到整車的全產業(yè)鏈車規(guī)級驗證，不僅獲得了多個主驅項目定點，更已進入大規(guī)模交付階段。

圖片來源：芯粵能

芯粵能強調，這一突破在激烈競爭中實現(xiàn)了關鍵技術自主可控，構建了碳化硅功率半導體的車規(guī)級保障體系，旨在通過技術整合優(yōu)化產品性能、可靠性和成本效益，為客戶提供強大競爭力。芯聚能也將以此為契機，深化SiC技術創(chuàng)新，提供高可靠性功率半導體解決方案。

芯粵能半導體研發(fā)副總裁相奇在2025年3月接受《廣州日報》專訪時曾預言，2025年將是國產碳化硅芯片量產上車的“元年”，芯粵能的產品有望在上半年上車，這一規(guī)劃如今已成為現(xiàn)實。

芯粵能作為首個通過國家重大項目審批的大規(guī)模碳化硅芯片制造項目，規(guī)劃了一期6英寸、二期8英寸SiC芯片年產能各24萬片，產能規(guī)模全球領先。公司自建廠伊始便對標先進硅基制造體系，配備全自動化設備，確保了產品在可靠性、穩(wěn)定性方面的優(yōu)勢。

近年來，芯粵能持續(xù)加大研發(fā)投入，成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺，并已通過可靠性測試。該平臺采用自主知識產權的溝槽MOSFET結構，顯著降低了導通電阻、提高了電流密度，并在確保可靠性的同時突破了平面MOSFET的性能瓶頸，有效降低了成本并使性能接近國際先進水平。

芯粵能半導體研發(fā)副總裁相奇表示，未來SiC芯片價格的下降將加速對IGBT的替代，尤其是在新能源汽車高壓快充技術（800V以上電壓系統(tǒng)）領域，SiC芯片將因其卓越的耐高溫和穩(wěn)定性而成為不可替代的選擇。

（集邦化合物半導體 EMMA 整理）

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圖片來源：論文首頁截圖

在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借低功耗、高臨界電場強度以及優(yōu)異熱導率等顯著特性，在新能源汽車、智能電網、軌道交通等高壓高頻應用場景中占據重要地位。然而，為了進一步降低導通損耗、提升能量轉換效率，業(yè)界始終面臨著在確保擊穿電壓（BV）的前提下，如何優(yōu)化導通電阻（Ron）這一關鍵難題。當溝道電阻的優(yōu)化逐漸逼近極限后，漂移區(qū)電阻的降低就成為了高壓功率器件進一步優(yōu)化Ron的核心方向。

電荷平衡技術作為解決上述問題的有效手段，其典型結構——超結（SJ）器件，通過在漂移區(qū)交替排列n/p柱結構，能夠在不犧牲BV的情況下降低Ron，并實現(xiàn)較低的電阻溫度系數。但由于碳化硅材料本身的特殊性，傳統(tǒng)超結結構制備過程中所依賴的多次外延生長、溝槽回填等工藝，在應用于碳化硅基器件制造時面臨著材料缺陷增多、工藝復雜度高、成本高昂等諸多挑戰(zhàn)，嚴重制約了高壓SiC功率器件的產業(yè)化進程。

復旦團隊在此次研究中，深入探索離子注入工藝的優(yōu)化方向。團隊成員經過大量實驗，精確調控離子注入的能量、劑量以及注入角度等關鍵參數，巧妙地在碳化硅材料中構建起獨特的電荷分布。在這一過程中，研究人員克服了碳化硅材料硬度高、離子注入損傷修復困難等重重難關，通過反復試驗與數據分析，最終實現(xiàn)了局部電荷平衡效果。

圖片來源：論文截圖-圖為器件結構示意圖及注入結果仿真

實驗數據有力證明了這兩種新型器件的優(yōu)異性能。新制備的正交結構和平行結構器件在維持約2.0kV擊穿電壓的情況下，Ron分別降低了19.61%和38.06%，這一顯著提升主要得益于漂移區(qū)電阻的有效優(yōu)化，且器件的轉移特性并未受到任何不良影響。

此外，通過TCAD仿真分析可以清晰看到，在阻斷狀態(tài)下，該結構所形成的電場屏蔽能夠有效抑制漏致勢壘降低效應，進一步保障了器件的可靠性。值得一提的是，這兩種新型電荷平衡輔助MOSFET在高頻工作場景下，展現(xiàn)出了更為出色的頻率響應特性，開關損耗也得到明顯降低，開關性能得到全面提升。

從行業(yè)發(fā)展角度來看，這項研究成果意義深遠。僅通過優(yōu)化離子注入工藝便實現(xiàn)局部電荷平衡效果，成功避免了傳統(tǒng)超結器件復雜的多層外延或溝槽填充工藝，這意味著未來高壓SiC功率器件的大規(guī)模生產將不再受限于高成本、高難度的工藝條件。這不僅為企業(yè)降低生產成本、提高生產效率提供了新的可能，還將加速推動高壓SiC功率器件在更多領域的廣泛應用，有望為新能源、電力傳輸等行業(yè)的技術革新注入強勁動力。

（集邦化合物半導體 niko 整理）

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圖片來源：Coherent公告截圖

Coherent此次發(fā)布的專利金剛石-碳化硅材料，其各向同性導熱系數突破 800 W/m-K，導熱性能是當前行業(yè)基準材料銅的兩倍。此外，它還能與硅的熱膨脹系數（CTE）高度匹配，這使得它非常適合與半導體器件直接集成，為下一代計算設備的散熱提供了理想的解決方案。

Coherent工程材料高級副總裁 Steve Rummel表示，金剛石在管理電子產品極端熱負荷方面的能力仍然無與倫比。我們獲得專利的金剛石-碳化硅材料大大優(yōu)于傳統(tǒng)材料，能夠實現(xiàn)更可靠的運行、更長的組件壽命以及顯著降低的冷卻成本。隨著冷卻消耗高達數據中心能源消耗的 50%，熱效率比以往任何時候都更加關鍵。

這項突破性材料的推出，預計將對半導體、數據中心、汽車以及航空航天等多個行業(yè)產生深遠影響。

Coherent公司正通過一項激進的戰(zhàn)略重塑其業(yè)務。首席執(zhí)行官Jim Anderson在投資者日宣布，具體措施包括剝離五條非盈利產品線，將碳化硅業(yè)務集中于晶圓和外延片領域，并徹底關停器件模塊業(yè)務。

同時，公司計劃在18個月內退出九家工廠，并有更多工廠關停計劃正在推進。此外，Coherent將研發(fā)資源轉向更高利潤的領域，以實現(xiàn)42%的毛利率目標。這項戰(zhàn)略的核心在于通過結構性改革，將資源投入毛利率超過40%的市場，即聚焦于AI數據中心和工業(yè)激光兩大業(yè)務領域。

據悉，Coherent在2025財年（FY25）已展現(xiàn)出強勁的增長勢頭，預計全年收入將達到57.81億美元，同比增長22.8%；毛利率提升至37.9%；營業(yè)利潤率躍升至17.8%；每股收益飆升2.8倍至3.45美元。季度業(yè)績同樣出色，其中數據中心與通信業(yè)務的爆發(fā)式增長，特別是受AI需求驅動，是業(yè)績增長的主要引擎。

在數據中心領域，Coherent首席技術官Julie Sheridan預計，可插拔收發(fā)器將繼續(xù)引領增長，同時公司正積極布局共封裝光學（CPO）和基于液晶技術的光電路交換機（OCS）等下一代互連技術，預計數據中心光互連市場將從2024年的約100億美元飆升至2030年的300億美元。

（集邦化合物半導體整理）

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論文第一作者為電機系2023級博士研究生陳禹志，通訊作者為鄭澤東副教授。這是清華大學首次以第一完成單位在ISPSD會議發(fā)表論文。

圖片來源：清華電機

碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)因其高壓、高頻、低導通損耗等優(yōu)異特性，已為新能源汽車、可再生能源發(fā)電、智能電網等多個領域帶來變革。為了進一步提高SiC MOSFET的開關速度與可靠性，鄭澤東老師研究團隊提出了一種集成P+緩沖層的分裂柵極SiC MOSFET新結構(SG-PB-MOS)，并成功完成了1200V/80mΩ等級器件的流片制備與實驗驗證。

該結構通過在元胞JFET區(qū)中集成P+緩沖注入層，利用電荷耦合效應，顯著優(yōu)化了器件性能：柵氧電場強度峰值降低32.6%，短路耐受時間提升26.8%，器件柵漏電容減小64.3%，衡量器件高頻性能的高頻優(yōu)值(HF-FOM)提升達3.01倍。

在與采用相同版圖布局的國際廠商Wolfspeed C2M 1200V/80mΩ系列產品的對比測試中，電機系團隊研發(fā)的器件展現(xiàn)出更優(yōu)的動態(tài)性能，其柵極開關速度顯著提升。與此同時，該器件結構兼容已有工藝平臺，流片良率高達94%，展現(xiàn)出良好的工程應用潛力，為高效、高可靠、高功率密度碳化硅基變換器提供了創(chuàng)新解決方案。目前，相關核心技術已申請國家發(fā)明專利。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：納微半導體

此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料電池充電器提供汽車級第三代“Fast”碳化硅（G3F）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET） 。這種#碳化硅 器件憑借其在高溫、高壓環(huán)境下出色的性能表現(xiàn)，能夠顯著提升氫燃料電池充電系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性，滿足農業(yè)及重型運輸設備對于大功率、快速充電的嚴苛需求。

BrightLoop在功率電子領域經驗豐富，其專注于開發(fā)高功率密度和高效率的轉換器。通過與納微半導體合作，BrightLoop得以將納微先進的第三代半導體技術融入自身產品體系，有望進一步優(yōu)化氫燃料電池充電器的性能，提高能源轉換效率，縮短充電時間，從而為農業(yè)和重型運輸設備提供更便捷、高效的能源補給方案。

納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“我們很榮幸能與BrightLoop合作，他們在前沿高功率密度和效率轉換器領域是公認的領導者。雙方公司在技術和系統(tǒng)層面的領先優(yōu)勢，將助力實現(xiàn)下一代高功率密度、高可靠性轉換器解決方案的發(fā)展藍圖?！贝舜魏献鞑粌H體現(xiàn)了納微半導體對自身技術實力的自信，也反映出其積極拓展市場應用領域的戰(zhàn)略布局。

事實上，這并非納微半導體在近期的唯一重要合作。

就在5月21日，納微半導體宣布與英偉達合作開發(fā)下一代800伏高壓直流（HVDC）架構，為包括Rubin Ultra在內的GPU提供支持的“Kyber”機架級系統(tǒng)供電。在這一合作中，納微的氮化鎵和碳化硅技術發(fā)揮了關鍵作用。

圖片來源：納微半導體

隨著人工智能（AI）行業(yè)的迅猛發(fā)展，AI模型規(guī)模不斷擴大，算力需求激增，高性能GPU的電源管理成為關鍵瓶頸。納微的第三代半導體技術能夠大幅提升“Kyber”機架級系統(tǒng)的能效比、改善散熱管理并增強系統(tǒng)可靠性，有力地支撐了英偉達在數據中心和AI領域的業(yè)務拓展，同時也為納微半導體打開了數據中心市場的廣闊空間，使其技術優(yōu)勢在新領域得到充分發(fā)揮 。

4月8日，兆易創(chuàng)新與納微半導體也正式達成戰(zhàn)略合作。雙方通過整合兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術，旨在打造智能、高效、高功率密度的數字電源產品，加速相關產品在AI數據中心、光伏逆變器、儲能、充電樁和電動汽車等領域的商業(yè)化布局。此外，雙方還攜手共建聯(lián)合研發(fā)實驗室，進一步融合技術專長和生態(tài)資源優(yōu)勢，推動智能、高效電源管理方案的創(chuàng)新升級 。

圖片來源：納微半導體

納微半導體與BrightLoop的合作，以及納微在近期開展的一系列合作，表明在技術快速迭代、市場需求多樣化的當下，企業(yè)間通過合作實現(xiàn)優(yōu)勢互補、資源共享，已成為推動第三代半導體技術創(chuàng)新與產業(yè)發(fā)展的重要途徑。這不僅有助于企業(yè)加速技術研發(fā)進程、降低成本，還將促使第三代半導體技術在更廣泛的應用領域得到推廣和應用，為新能源、數據中心、汽車等多個行業(yè)的發(fā)展注入新的活力 。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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01奧通碳素半導體級等靜壓石墨項目：設備調試收官+試生產并行

6月9日，據“最內江”公眾號消息，奧通碳素（內江）科技有限公司的半導體級等靜壓石墨項目目前已進入設備調試收官與試生產并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經濟圈的東興經開區(qū)，是東興區(qū)布局產業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關鍵項目。其瞄準半導體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領域，所生產的高端等靜壓石墨主要應用于碳化硅半導體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產品模具行業(yè)，同時兼顧光伏產業(yè)。

項目分三期建設，一期工程總投資1.5億元，新建了年產2000噸石墨粉、配料、混捏生產線，目前大型設備已全部安裝完畢，調試工作進入最后階段，預計9月可全面投產。二期工程計劃總投資4億元，將建設8.7萬平方米廠房，新建年產5000噸半導體級等靜壓石墨全工藝流程生產線，目前前期工作已啟動，計劃于2026年建成投產。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元，將建設11.3萬平方米廠房及配套生產線，將在二期投產當年同步啟動。項目整體建成后，可形成年產1萬噸半導體級等靜壓石墨產能，預計實現(xiàn)年營收15億元，帶動當地300余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產業(yè)化項目：順利封頂

6月8日，全磊光電的化合物半導體外延片/芯片研發(fā)及產業(yè)化項目也披露最新進展，該項目順利封頂。項目位于火炬（翔安）產業(yè)區(qū)，由全磊光電股份有限公司投建，計劃采購金屬有機化學氣相沉積設備等主要生產工藝設備、測試設備和配套設備設施，用于生產化合物半導體外延片/芯片產品。

圖片來源：天映投資集團有限公司

建成投產后，全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）基外延片產品，逐步拓展至氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第三代半導體產品，并應用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領域。

項目建設期為兩年，其中一期建設內容為生產車間、綜合樓以及動力車間等，計劃于2026年1月份投產；二期主要建設3號樓和4號樓的研發(fā)車間，將于2027年2月份投產，投產后產能是年產40萬片化合物半導體的外延片和芯片。該項目的推進將進一步完善廈門市化合物半導體產業(yè)的核心環(huán)節(jié)，填補國內光通信領域高端產品的空白。

03晶旭半導體超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線：沖刺試產

據“上杭融媒”6月9日消息，全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線進入沖刺試產階段。該項目由福建#晶旭半導體?科技有限公司投資建設，總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)。目前，項目土建部分以及主體的封頂工程已經完成，正在進行雨污管網和路面的建設，內部裝修也全面進入精裝修工程，動力站機房的建設以及廠房的裝修工程預計在9月份可完成初步試產動作。

圖片來源：上杭融媒

福建晶旭半導體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產權的高新技術企業(yè)，面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上處于國際領先地位。該生產線建成后，不僅將填補國內在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，同時也對上杭縣新材料產業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項目的逐步推進和落地，第三代半導體產業(yè)將迎來更快速的發(fā)展，有望在能源、通信、汽車等多個領域實現(xiàn)廣泛應用，為相關產業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）

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與此同時，格力電器董事長兼總裁董明珠卸任格力電器全資子公司珠海零邊界集成電路有限公司（以下簡稱“零邊界”）的法定代表人及董事長職務，由格力電器副總裁李紹斌接任。

圖片來源：企查查截圖

格力電器在芯片研發(fā)方面有著明確的戰(zhàn)略規(guī)劃。公開資料顯示，格力電器最早在2015年便開始布局芯片研究，最初從硅基芯片入手，逐步積累技術經驗。2018年起，格力陸續(xù)參與多個碳化硅項目，正式進軍第三代半導體領域。其投資30億元參與聞泰科技收購安世半導體，布局功率芯片；注資湖南國芯半導體，瞄準IGBT和碳化硅；認購三安光電20億元定增，切入LED芯片。

同年，格力正式成立珠海零邊界微電子有限公司，專攻工業(yè)級MCU、AIoT芯片。零邊界并非一家傳統(tǒng)的初創(chuàng)公司，它脫胎于格力通信技術研究院的微電子所和功率半導體所，是格力電器實現(xiàn)芯片自主可控戰(zhàn)略的核心載體。其業(yè)務涵蓋廣泛，包括工業(yè)級32位MCU、AIoT SoC芯片和功率器件的設計研發(fā)、軟件方案、系統(tǒng)應用、生產質量及市場銷售。

在產品方面，零邊界已推出了EP系列功率器件，覆蓋600V和1200V電壓平臺的高可靠性Trench Field-Stop IGBT、FRD（快恢復二極管）和IPM（智能功率模塊）。更值得一提的是，2024年，零邊界承擔的“空調主控芯片國產化”項目取得突破，部分產品已實現(xiàn)量產應用，為格力電器核心家電產品的國產化替代提供了堅實支撐。

2025年6月，董明珠卸任珠海零邊界集成電路有限公司法定代表人及董事長職務，由格力電器副總裁李紹斌接任。?這一調整標志著零邊界將進入更為獨立和專業(yè)化的市場運營階段，有助于其在競爭激烈的芯片市場中靈活應變并加速發(fā)展。

格力在SiC芯片領域的雄心，體現(xiàn)在其全球領先的制造能力上。位于珠海高新區(qū)的6英寸SiC芯片工廠是亞洲首座全自動化IDM（垂直整合制造）工廠，從2022年7月奠基至2024年12月通線僅用388天。這座投資55億元、占地20萬平方米的工廠規(guī)劃年產24萬片SiC晶圓，目前良率穩(wěn)定在99.6%，且單片制造成本較行業(yè)平均水平低18%，這為格力SiC芯片的成本控制和市場競爭力奠定了堅實基礎。

格力自研的SiC芯片已在家用空調中實現(xiàn)規(guī)?；瘧茫b機量突破100萬臺，顯著提升了空調的能效和性能。此外，格力正積極將SiC技術延伸至新能源汽車、光伏儲能等更廣闊領域。例如，其“無稀土+碳化硅”技術矩陣在深圳地鐵12號線應用，預計每年可節(jié)電1500萬元。

格力計劃在2025年將SiC芯片推廣應用至光伏逆變器和電動汽車等核心領域。通過自建SiC芯片工廠，格力成功整合了SiC材料、器件、應用等環(huán)節(jié)，形成了強大的內部協(xié)同效應，有效降低了成本并提升了供應鏈穩(wěn)定性。同時，格力還與華為等企業(yè)合作，探索SiC芯片在更多場景的創(chuàng)新應用。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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