圖片來源：Wolfspeed

Wolfspeed介紹，C4MS系列采用軟恢復(fù)體二極管，可實現(xiàn)快速開關(guān)，同時將過沖和振鈴降至最低，從而為工程師提供了更大的設(shè)計空間，以便在應(yīng)用中調(diào)整和優(yōu)化性能。與前代C3M系列器件相比，C4MS系列在開通能量Eon、反向恢復(fù)能量Err和關(guān)斷能量Eoff損耗均有改善，同時在 125°C條件下的導(dǎo)通電阻RDS(on) 降低了 22%。這種平衡設(shè)計可在廣泛的硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供最大的性能和效率。

除了改進(jìn)的開關(guān)性能外，C4MS系列還提供瞬態(tài)過壓能力、在高母線電壓下更長的使用壽命以及寬柵極電壓兼容性，以實現(xiàn)簡化的即插即用替換。

新款器件提供TO-247-4、TO-247-4LP (Low Profile)(gate和Kelvin source pin粗細(xì)優(yōu)化)、TO-263-7XL和頂部散熱 (U2) 封裝選項，可在所有工作模式下實現(xiàn)更高效的功率輸出，使電源和逆變器設(shè)計人員能夠以更具成本效益的方式最大化效率，同時降低物料清單 (BOM) 成本和采購挑戰(zhàn)。

Wolfspeed表示，新款產(chǎn)品在滿足效率與功率輸出目標(biāo)的同時，提升功率密度，減小無源元件尺寸；憑借軟恢復(fù)體二極管，可抑制電壓尖峰并減少電壓降額，從而延長運(yùn)行壽命，同時減少元件的熱應(yīng)力；具備 15-18V柵極驅(qū)動兼容性，可降低供應(yīng)鏈風(fēng)險，實現(xiàn)多供應(yīng)商采購靈活性；0V關(guān)斷能力可實現(xiàn)更安全的運(yùn)行并降低物料清單成本；同時有助于簡化EMI濾波器設(shè)計。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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投資超6億元，年產(chǎn)16萬噸高品質(zhì)碳化硅制品公示

近日，內(nèi)蒙古自治區(qū)投資項目在線審批辦事大廳對“年產(chǎn)16萬噸高品質(zhì)碳化硅制品綠色高質(zhì)量發(fā)展項目”進(jìn)行備案公示。

圖片來源：備案公示截圖

該項目由巴彥淖爾利源合金材料有限公司新建，選址鎖定甘其毛都口岸加工園區(qū)?？偼顿Y超6億元，計劃2026年7月動工，2028年6月建成，主體工程包括4×40000kVA高品質(zhì)碳化硅冶煉爐及配套公輔設(shè)施，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)16萬噸高品質(zhì)碳化硅制品規(guī)模，產(chǎn)品面向工業(yè)耐磨、耐火材料和高端磨具市場。

公開股權(quán)穿透顯示，巴彥淖爾利源合金材料有限公司是遼寧和展能源集團(tuán)股份有限公司二級子公司。和展能源為深交所主板上市公司，原主業(yè)以土地一級開發(fā)、供水及污水處理為主，2023年起全面轉(zhuǎn)向風(fēng)電、光伏、氫能等清潔能源全周期開發(fā)運(yùn)營。

此次大手筆切入碳化硅新材料，被公司視為“清潔能源+新材料”雙輪驅(qū)動的關(guān)鍵落子，項目落地后既可內(nèi)部配套清潔能源建設(shè)，又能對外輸出高附加值產(chǎn)品，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

湖南重點研發(fā)計劃“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術(shù)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)”通過驗收

11月20日，由#宇環(huán)數(shù)控 牽頭承擔(dān)的湖南省重點研發(fā)計劃——“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術(shù)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)”項目，順利通過湖南省科技廳組織的綜合績效評價驗收。

圖片來源：數(shù)控裝備聯(lián)盟

項目實施期間，宇環(huán)數(shù)控圍繞碳化硅基片高效精密磨削、研磨與拋光工藝展開系統(tǒng)研究，在高精度氣浮電主軸、氣浮旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)臺、拋光盤壓力穩(wěn)定控制、高精度靜壓轉(zhuǎn)臺等核心模塊取得突破，創(chuàng)新性提出碳化硅減薄磨床立柱布局新結(jié)構(gòu)。

據(jù)悉，該項目成果已轉(zhuǎn)化為三款整機(jī)——高精度立式單面磨床、高精度立式雙面研磨（拋光）機(jī)，整體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平，累計形成顯著經(jīng)濟(jì)與社會效益。專家組建議企業(yè)繼續(xù)加大新產(chǎn)品推廣力度，并依托核心技術(shù)開發(fā)系列化裝備，滿足快速擴(kuò)張的第三代半導(dǎo)體市場。

此次驗收通過，標(biāo)志著宇環(huán)數(shù)控在第三代半導(dǎo)體加工裝備領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步，公司表示將持續(xù)深化技術(shù)迭代與成果轉(zhuǎn)化，為湖南先進(jìn)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖

目前，該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產(chǎn)品將主要面向新能源汽車、光伏儲能及充電樁等高壓高功率應(yīng)用場景。

根據(jù)投資方案，安意法8英寸SiC項目總體分兩期建設(shè)，每期設(shè)計年產(chǎn)能26萬片車規(guī)級MOSFET芯片，全面達(dá)產(chǎn)后合計年產(chǎn)52萬片。一期一階段先行釋放2萬片年產(chǎn)能，后續(xù)產(chǎn)能將根據(jù)市場需求與設(shè)備搬入節(jié)奏逐年爬坡。項目總占地約30.8萬平方米，總建筑面積約25.5萬平方米，涵蓋芯片廠房、外延廠房、動力中心、廢水處理站及配套辦公樓等完整生產(chǎn)與輔助設(shè)施。

據(jù)悉，重慶三安意法半導(dǎo)體碳化硅項目包含2個工廠：安意法8英寸SiC晶圓制造廠（由三安光電和意法半導(dǎo)體共同成立），以及8英寸SiC襯底制造廠（由三安獨立運(yùn)營）。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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Wolfspeed推出1200V碳化硅六單元動力模塊

Wolfspeed率先推出的1200V碳化硅六單元（Six-Pack）動力模塊，是一款高度集成的解決方案，專為需要最高功率密度和可靠性的應(yīng)用而設(shè)計，特別是重型車輛、工程機(jī)械和農(nóng)業(yè)機(jī)械等高功率需求領(lǐng)域。

圖片來源：Wolfspeed

該模塊在耐久性方面實現(xiàn)了顯著飛躍，它融合了燒結(jié)芯片粘接和銅夾互連等先進(jìn)封裝技術(shù)，使其在工作溫度下的功率循環(huán)能力達(dá)到同類產(chǎn)品的三倍，從而顯著提升了車輛的終身可靠性和使用壽命。

在電流能力方面，六單元模塊也有顯著提升。在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下，逆變器電流能力提高了15%。得益于Gen4技術(shù)，該模塊在125°C下的導(dǎo)通電阻降低了22%，同時開關(guān)損耗大幅優(yōu)化，直接轉(zhuǎn)化為更高的能源效率。此外，該模塊采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，可直接替代現(xiàn)有IGBT解決方案，無需復(fù)雜的冷板安裝和功率端子激光焊接，極大地簡化了系統(tǒng)集成過程，助力OEM廠商實現(xiàn)快速部署。

Wolfspeed宣布推出新型車規(guī)級塑封TM4功率模塊

Wolfspeed同步推出的1200V塑封TM4功率模塊系列，則專注于為設(shè)計人員提供極致的靈活性和可擴(kuò)展性。該模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的”TPAK”塑封封裝，并通過AQG 324認(rèn)證，具備值得信賴的車規(guī)級可靠性。

圖片來源：Wolfspeed

TM4模塊旨在將控制權(quán)交回給設(shè)計人員，以實現(xiàn)系統(tǒng)性能的靈活優(yōu)化。它提供2芯片、3芯片和4芯片選項，客戶可以根據(jù)具體的逆變器功率等級需求，輕松實現(xiàn)并聯(lián)擴(kuò)展。

在制造兼容性上，TM4模塊支持可燒結(jié)或可焊接的背面組裝方式，功率端子可激光焊接，讓OEM廠商能夠選擇最適合其生產(chǎn)線的制造方法。同時，該模塊采用了可靠的互聯(lián)技術(shù)，將熱性能提升高達(dá)8%，配合更強(qiáng)的功率循環(huán)能力，進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的耐用性。這使得TM4能夠滿足從標(biāo)準(zhǔn)乘用車到特定功能車輛的廣泛需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管

11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵(GaN)晶體管系列，正式進(jìn)軍車規(guī)級GaN市場。該系列命名為CoolGaN? 100V G1，已開始提供符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的預(yù)量產(chǎn)樣品，包括CoolGaN?高壓(HV)車規(guī)級晶體管及多種雙向開關(guān)。

圖片來源：英飛凌

英飛凌科技GaN業(yè)務(wù)線負(fù)責(zé)人Johannes Schoiswohl表示：”通過將GaN功率技術(shù)引入快速發(fā)展的軟件定義汽車和電動汽車市場，英飛凌將進(jìn)一步鞏固其在汽車半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先優(yōu)勢。此次推出100V GaN車規(guī)級晶體管解決方案和即將擴(kuò)展的高壓產(chǎn)品組合，是我們開發(fā)高能效、高可靠性的車規(guī)級功率晶體管進(jìn)程中的重要里程碑。”

相比傳統(tǒng)硅基器件，GaN功率器件能實現(xiàn)更小的尺寸、提供更高的能效，同時降低系統(tǒng)成本。在軟件定義汽車從12V向48V系統(tǒng)轉(zhuǎn)型的過程中，基于GaN的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不僅能提升性能，還可支持線控轉(zhuǎn)向、實時底盤控制等先進(jìn)功能，極大改善駕乘舒適性與操控性。

CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管主要適用于區(qū)域控制和主DC-DC轉(zhuǎn)換器、高性能輔助系統(tǒng)及D類音頻放大器等應(yīng)用場景，為車載信息娛樂系統(tǒng)、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和新型氣候控制系統(tǒng)提供高效電源解決方案。

02、GE Aerospace發(fā)布第4代碳化硅MOSFET器件

11月12日，GE Aerospace宣布在紐約尼斯卡尤納的研究中心成功演示了第四代碳化硅（SiC）功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）芯片，這將提升切換速度、效率和耐用性。

圖片來源：GE Aerospace官網(wǎng)

據(jù)了解，這款最新一代的SiC功率器件芯片尺寸為5毫米×5毫米，提供1200V和11mΩ的電壓，擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的200°C溫度額定。 隨著各行業(yè)在混合動力和純電動車（HEV和BEV）平臺中采用先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)，以及更高效的電力解決方案，這些先進(jìn)電力設(shè)備將在效率和功率密度上帶來重大突破，以滿足日益增長的能源和電力需求。

GE Aerospace 總裁兼總經(jīng)理Kris Shepherd表示：“我們最新的第四代SiC MOSFET在性能上帶來了飛躍性的變化，使其在汽車、可再生能源、人工智能數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電力行業(yè)等多個行業(yè)中極具吸引力?！边@些行業(yè)有機(jī)會在所有這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)效率、可靠性和功率密度的顯著提升?！?/p>

03、SemiQ推出新型SOT-227封裝高性能碳化硅模塊

11月13日，SemiQ Inc宣布推出了五款提供R功能的SOT-227模塊DSon（DSon）分別是7.4、14.5和34 mΩ。SemiQ的GCMS模塊采用肖特基勢場二極管（SBD），在高溫下開關(guān)損耗更低，尤其與非SBD的GCMX模塊相比。

圖片來源：SemiQ Inc官網(wǎng)

該設(shè)備面向中壓高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，包括電池充電器、光伏逆變器、服務(wù)器電源和儲能系統(tǒng)。所有模塊均通過晶圓級柵極氧化層燒入測試進(jìn)行篩查，電壓超過1400伏，并進(jìn)行了800 mJ的雪崩測試（34 mΩ模塊為330 mJ），它們專為堅固、易于安裝和熱性能而設(shè)計，具有隔離背板和直接安裝到散熱器的能力。

7.4mΩ GCMX007C120S1-E1模塊實現(xiàn)了4.66mJ（3.72mJ導(dǎo)通，0.94mJ關(guān)斷）的低開關(guān)損耗和593nC的體二極管反向恢復(fù)電荷。結(jié)到殼的熱阻范圍為0.23°C/W至0.70°C/W，具體取決于模塊。

資料顯示，SemiQ Inc是一家總部位于美國的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體專業(yè)企業(yè)，專注為高壓場景提供高性能碳化硅解決方案，產(chǎn)品包括分立、模塊和裸芯片格式的MOSFET和二極管等。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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據(jù)介紹，該技術(shù)平臺通過器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車主驅(qū)、車載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場。

在電驅(qū)領(lǐng)域，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅(qū)版憑借更低導(dǎo)通損耗與優(yōu)異開關(guān)軟度，功率密度提升20%，可顯著增強(qiáng)新能源汽車主驅(qū)系統(tǒng)動力輸出與能效表現(xiàn)，為整車?yán)m(xù)航提升提供關(guān)鍵支撐。

圖片來源：芯聯(lián)集成

在電源場景中，芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對性優(yōu)化寄生電容設(shè)計，通過封裝優(yōu)化強(qiáng)化散熱，開關(guān)損耗降低高達(dá)30%，兼具強(qiáng)化的動態(tài)可靠性設(shè)計，實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車載OBC電源需求。

資料顯示，芯聯(lián)集成成立于2018年，是一家專注于功率、傳感和傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬ICMCU的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，為汽車、新能源、工控家電等領(lǐng)域提供完整的一站式芯片系統(tǒng)代工方案。

11月12日，芯聯(lián)集成旗下產(chǎn)業(yè)投資機(jī)構(gòu)芯聯(lián)資本宣布完成首期12.5億元主基金募集。該支基金整體規(guī)模預(yù)計超15億元，當(dāng)前重點布局半導(dǎo)體上游(設(shè)備、材料和零部件）、設(shè)計公司以及下游人工智能、機(jī)器人和新能源等硬科技相關(guān)領(lǐng)域。

在財報表現(xiàn)方面，10月27日芯聯(lián)集成發(fā)布了2025年第三季度財報，數(shù)據(jù)顯示，第三季度公司實現(xiàn)營收19.27億元，同比增長15.52%。受第三季度良好業(yè)績帶動，公司前三季度累計營業(yè)收入達(dá)54.22億元，同比增長19.23%，實現(xiàn)毛利率3.97%，連續(xù)五個季度正毛利增長，盈利基本面持續(xù)夯實。

此外，據(jù)介紹，芯聯(lián)集成自主研發(fā)的8英寸SiCMOSFET器件已送樣歐美AI公司，這也標(biāo)志著芯聯(lián)集成在“新能源+AI”雙賽道布局中取得關(guān)鍵突破。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Niko 整理）

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1、SiC價格趨勢分析：基礎(chǔ)原料上揚(yáng)與高階襯底價格戰(zhàn)

近期碳化硅（SiC）市場價格呈現(xiàn)出明顯的結(jié)構(gòu)性分化特征。

一方面，SiC大宗流通價格（如黑碳化硅、綠碳化硅的流通粉末或顆粒）受多重因素推動而走強(qiáng)。根據(jù)CIP商品行情網(wǎng)、生意社等價格網(wǎng)站披露，過去一周SiC流通價報每公噸6,271人民幣，實現(xiàn)0.21%的周漲幅。

這波上漲主要由三股力量驅(qū)動：原材料成本的堅挺、下游需求應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)擴(kuò)大，以及供應(yīng)端因環(huán)保檢查或產(chǎn)能限制所導(dǎo)致的供應(yīng)整頓。這些因素共同作用，將成本壓力傳導(dǎo)至市場流通環(huán)節(jié)，推動基礎(chǔ)原料價格上揚(yáng)。

另一方面，用于功率器件的高階6英寸SiC晶圓襯底市場卻面臨激烈的價格競爭。由于全球主要制造商產(chǎn)能的快速釋放，市場一度出現(xiàn)供過于求的風(fēng)險，導(dǎo)致SiC襯底價格持續(xù)暴跌。

供應(yīng)鏈消息顯示，襯底價格在2024年年中至Q4期間已跌至500美元/片以下，降幅超過20%。進(jìn)入2025年后，價格競爭仍在持續(xù)，主流報價保持在400美元/片左右或更低，部分產(chǎn)品報價甚至逼近生產(chǎn)商的成本線，市場競爭格局正在加速洗牌。

圖片來源：千庫網(wǎng)

2、應(yīng)用趨勢聚焦：AI高性能計算（HPC）領(lǐng)域的結(jié)構(gòu)性爆發(fā)

SiC在高性能計算（HPC）領(lǐng)域的導(dǎo)入確定性，成為截至2025年11月最新的強(qiáng)勁增長驅(qū)動力。隨著AI算力芯片（如GPU）的功率飆升，傳統(tǒng)散熱材料難以應(yīng)對，SiC憑借其卓越的導(dǎo)熱性能（熱導(dǎo)率高達(dá)500W/mK）成為解決方案的核心。

行業(yè)最新消息顯示，全球龍頭企業(yè)的布局已透露出最新進(jìn)展：

NVIDIA平臺導(dǎo)入SiC襯底作為中介層：英偉達(dá)（NVIDIA）傳出將在2025年推出的Rubin平臺中導(dǎo)入SiC技術(shù)。計劃與臺積電合作，將現(xiàn)行的CoWoS先進(jìn)封裝工藝中的硅中介層升級為碳化硅（SiC Interposer），以應(yīng)對高功耗散熱挑戰(zhàn)。

臺積電推動12英寸SiC載板供應(yīng)鏈：晶圓代工巨頭#臺積電（TSMC）正積極推動供應(yīng)鏈配合，研究將12英寸單晶碳化硅應(yīng)用于散熱載板，以取代現(xiàn)有的陶瓷基板，解決未來HPC芯片極限熱功耗問題。襯底龍頭企業(yè)之一天岳先進(jìn)也已在2025年Q1推出全系列12英寸SiC襯底，為此應(yīng)用提供材料基礎(chǔ)。

數(shù)據(jù)中心架構(gòu)轉(zhuǎn)型：受惠于NVIDIA推動數(shù)據(jù)中心過渡至800V HVDC架構(gòu)，對SiC功率元件的需求可望大幅躍升，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC在AI服務(wù)器電源供應(yīng)鏈中的市場份額。

新興光學(xué)應(yīng)用：VR/AR/MR眼鏡：SiC因其折射率高達(dá)2.6-2.7（遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)玻璃），有潛力用于制造AR/MR眼鏡的核心光學(xué)元件，幫助設(shè)備實現(xiàn)更輕薄、視場角更廣（例如70度以上）的設(shè)計，有望成為下一代消費電子光學(xué)元件的關(guān)鍵材料。

這些舉措標(biāo)志著SiC不僅限于電力電子，更將深度參與到HPC的核心散熱體系中，開辟了SiC產(chǎn)業(yè)的第二成長曲線。

3、結(jié)語

截至2025年11月，SiC市場正經(jīng)歷從產(chǎn)能擴(kuò)張到應(yīng)用升級的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。盡管高階襯底市場的價格戰(zhàn)和整合仍在持續(xù)，但資本市場已將目光從短期價格波動轉(zhuǎn)向SiC在AI/HPC領(lǐng)域的長期戰(zhàn)略價值。

預(yù)期未來幾年，隨著NVIDIA和TSMC平臺SiC方案的落地，產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入需求結(jié)構(gòu)性爆發(fā)期，技術(shù)領(lǐng)先且具備成本控制優(yōu)勢的企業(yè)將主導(dǎo)市場，并引領(lǐng)SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個更高價值、更廣應(yīng)用的新紀(jì)元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：SK keyfoundry官網(wǎng)新聞稿截圖

資料顯示，SK keyfoundry是韓國一家專注于8英寸晶圓代工的企業(yè)，總部位于韓國清州。其擁有一座晶圓廠，月產(chǎn)能約為10萬片晶圓。主要從事模擬混合信號芯片的代工業(yè)務(wù)，產(chǎn)品包括顯示驅(qū)動芯片（DDI）、微控制器（MCU）和8英寸功率分立器件等，適用于小批量多樣化產(chǎn)品生產(chǎn)。

2025年3月，SK keyfoundry在董事會會議上宣布達(dá)成收購協(xié)議，以250億韓元（約1.25億元人民幣）從SK集團(tuán)手中收購其子公司SK Powertech98.59%的股權(quán)。據(jù)外媒報道，該收購案已于近期完成。

被收購方SK Powertech前身為YesPowerTechnics，2022年5月被SKInc.納入SK集團(tuán)旗下，其掌握SiC核心單元工藝等批量生產(chǎn)技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)SiC功率半導(dǎo)體的穩(wěn)定量產(chǎn)與研發(fā)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、太陽能逆變器、家用電器、工業(yè)傳動以及智能電網(wǎng)等場景。

通過收購，SK keyfoundry直接獲得了SK Powertech的碳化硅工藝與設(shè)計技術(shù)，快速補(bǔ)齊技術(shù)短板。收購?fù)瓿珊螅琒K keyfoundry計劃加速推進(jìn)碳化硅（SiC）化合物功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)，目標(biāo)在今年年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工藝技術(shù)，并于明年上半年啟動碳化硅功率半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)，逐漸將碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打造為新一代增長引擎。

政策+企業(yè)雙輪驅(qū)動，韓國發(fā)力第三代半導(dǎo)體

韓國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域起步早、布局完善，通過政府長期政策扶持與三星、SK等龍頭企業(yè)的密集動作，已構(gòu)建起涵蓋碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等核心材料的產(chǎn)業(yè)體系，當(dāng)前正處于技術(shù)突破與產(chǎn)能擴(kuò)張的關(guān)鍵階段。

早在2000年韓國就制訂了氮化鎵（GaN）開發(fā)計劃，2004-2008年政府聯(lián)合企業(yè)累計投入超12億美元支持光電子產(chǎn)業(yè)，助力韓國成為亞洲最大光電子器件生產(chǎn)國；2024年宣布投資約5.22億人民幣在釜山建設(shè)8英寸SiC示范基地。

2025年又拿出364億韓元支持下一代半導(dǎo)體相關(guān)研發(fā)項目。同時，韓國還設(shè)定了清晰目標(biāo)，計劃到2030年將SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)自給率從當(dāng)前的10%提升至20%，以此帶動全產(chǎn)業(yè)鏈核心技術(shù)突破。

在企業(yè)方面，三星電子重啟功率半導(dǎo)體事業(yè)部后，聚焦SiC/GaN材料研究，還通過投資IVworks等初創(chuàng)企業(yè)完善GaN產(chǎn)業(yè)鏈，其與美國康寧合資公司早在2011年就完成4英寸高品質(zhì)GaN基板研發(fā)；

SK集團(tuán)構(gòu)建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈，旗下SK keyfoundry通過收購SK Powertech快速補(bǔ)齊SiC技術(shù)、短板。

LGInnotek成功開發(fā)6英寸單晶氮化鎵Heating-FreeLED技術(shù)，大幅提升生產(chǎn)效率并降低成本。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來源：羅姆

業(yè)務(wù)方面，羅姆將大幅拓展基于碳化硅的功率器件業(yè)務(wù)，同時縮減并淘汰不盈利的業(yè)務(wù)。應(yīng)用領(lǐng)域中，羅姆的增長戰(zhàn)略是專注于汽車領(lǐng)域的增長，未來羅姆汽車行業(yè)的銷售額提升至2750億日元，占總銷售額的55%，并擴(kuò)大人工智能服務(wù)器工業(yè)設(shè)備的銷售。

羅姆計劃2028財年實現(xiàn)碳化硅業(yè)務(wù)的盈利，并使其成為利潤增長的驅(qū)動力。目前，羅姆已在中國，歐洲、日本和美洲等地拓展其碳化硅裸芯片業(yè)務(wù)，還通過推出第五代產(chǎn)品來增強(qiáng)自身競爭力。

此外，羅姆已開始交付高附加值的碳化硅功率模塊“TRCDRIVE pack”，并預(yù)計隨著模塊業(yè)務(wù)占比的提高，其銷售額也將隨之增長。

羅姆將從襯底、器件等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)碳化硅業(yè)務(wù)盈利。羅姆德國子公司SiCrystal將負(fù)責(zé)推進(jìn)碳化硅晶體襯底制造工藝的改進(jìn)；器件方面，羅姆將通過自主生產(chǎn)外延晶片來降低成本，并提高良率。

同時，羅姆也認(rèn)為加快向8英寸晶圓的過渡至關(guān)重要，因為8英寸晶圓的良率更高，質(zhì)量更好。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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此次合作的核心產(chǎn)品是Wolfspeed的2.3kV LM Pack模塊。該模塊為風(fēng)電應(yīng)用帶來了顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢，包括簡化系統(tǒng)設(shè)計、提高能效、增加功率密度以及改善運(yùn)行可靠性。這些關(guān)鍵因素對于降低大型風(fēng)電項目的整體系統(tǒng)成本和提供卓越性能至關(guān)重要。Wolfspeed預(yù)計，2.3kV LM Pack模塊將于2026年初實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)供應(yīng)。

據(jù)悉，此次合作助力禾望電氣推出風(fēng)電行業(yè)首個全碳化硅功率柜。在此前10月末舉行的CWP 2025北京風(fēng)能展上，禾望電氣就與Wolfspeed聯(lián)合推出了全球首個以碳化硅為核心器件的風(fēng)電變流器全碳化硅功率柜。

這一創(chuàng)新成果標(biāo)志著風(fēng)電行業(yè)的一個重要里程碑，為解決當(dāng)前風(fēng)電產(chǎn)業(yè)面臨的風(fēng)機(jī)單機(jī)容量持續(xù)提升、深遠(yuǎn)海項目加速推進(jìn)等嚴(yán)峻挑戰(zhàn)提供了技術(shù)突破。傳統(tǒng)的IGBT方案性能遇到瓶頸，而SiC器件憑借其高壓、高溫、高頻的特性，為行業(yè)提供了整體升級的解決方案。

圖片來源：禾望電氣 圖為禾望電氣下一代風(fēng)電變流器

作為中國最大的風(fēng)電變流器供應(yīng)商之一，禾望電氣對其風(fēng)電解決方案采用了新穎的方法：該產(chǎn)品采用碳化硅器件和高可靠性封裝技術(shù)，實現(xiàn)了功率密度提升38%和高達(dá)6kHz的高開關(guān)頻率，顯著提高了效率和可靠性。Wolfspeed與禾望電氣的合作有望加速全球市場下一代風(fēng)電解決方案的開發(fā)。

Wolfspeed與禾望電氣的此次合作，標(biāo)志著風(fēng)電行業(yè)持續(xù)發(fā)展的一個關(guān)鍵里程碑，有助于為全球范圍內(nèi)更清潔、更高效的能源解決方案鋪平道路。

Wolfspeed副總裁兼中電壓與高電壓產(chǎn)品總經(jīng)理John Perry對此合作表示：“Wolfspeed的2.3kV LM Pack模塊完美契合了風(fēng)電行業(yè)對更高電壓、更高電流和更高效率系統(tǒng)日益增長的需求?！边@一合作不僅標(biāo)志著兩家公司技術(shù)實力的高度融合，更預(yù)示著一個更清潔、更高效的全球能源解決方案時代的到來。

公開資料顯示，總部位于深圳的禾望電氣專注于可再生能源領(lǐng)域，其產(chǎn)品線除了風(fēng)電變流器外，還涵蓋光伏逆變器、儲能系統(tǒng)和氫能解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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