據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題，通過產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

公開消息顯示，揚杰科技中央研究院按照國內(nèi)一流電子實驗室標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，總建筑面積達(dá)5000平方米，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS（中國合格評定國家認(rèn)可委員會）認(rèn)證，具備芯片設(shè)計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學(xué)失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機(jī)械應(yīng)力模擬仿真等多項功能。

中央研究院整合了揚杰科技的多個研發(fā)團(tuán)隊，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領(lǐng)域。此外，該公司還與東南大學(xué)共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實驗室的成立將進(jìn)一步推動公司在高端功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實現(xiàn)技術(shù)突破。

揚杰科技中央研究院獲批省重點實驗室后，將重點解決大功率半導(dǎo)體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù)，助力我國在IGBT等新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外，實驗室還將為揚杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場版圖擴(kuò)展提供強(qiáng)有力的保障。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01華潤微：公司SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中

華潤微披露投資者關(guān)系活動記錄表顯示，該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預(yù)計受益于汽車智能化、電子化趨勢及AI、超計算等新興領(lǐng)域帶來的變革，實現(xiàn)增長。

source：華潤微電子官微（圖為華潤微電子（重慶）功率半導(dǎo)體研發(fā)中心）

產(chǎn)能方面，華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實現(xiàn)通線，處于新品驗證和新工藝轉(zhuǎn)移階段；重慶12吋產(chǎn)線已達(dá)成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。

產(chǎn)品進(jìn)展方面，華潤微表示，目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中，已處于上量階段。

SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn)，覆蓋650V/1200V/1700V系列，性能達(dá)到國際領(lǐng)先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲能逆變、服務(wù)器電源等領(lǐng)域全面推廣上量，預(yù)計今年將實現(xiàn)高增長。

業(yè)界指出，碳化硅在AI服務(wù)器中的應(yīng)用圍繞高效能電源設(shè)計與高可靠性散熱管理展開，通過替代傳統(tǒng)硅基器件，顯著提升能效比并降低運營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù)，碳化硅技術(shù)將成為AI數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。

02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊

瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品，可應(yīng)用于光伏等領(lǐng)域，已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導(dǎo)入驗證。

該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm，能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積，金屬底座讓模塊安裝更牢固，并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路，共用電源接地，分為2組，集成熱敏電阻以監(jiān)測溫度，可靈活適配2路或者4路直流輸入（DC input），滿足個性化設(shè)計需求。相對于分立器件方案，大幅提升功率密度，同時顯著簡化了電路的設(shè)計。

瞻芯電子介紹，2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中，2000V SiC分立器件能簡化電路拓?fù)?、減少元器件數(shù)量，降低總物料成本，同時讓應(yīng)用控制更簡單。對比分立器件的方案，若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品，還進(jìn)一步簡化了電路設(shè)計，大幅提升了功率密度。

03重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線

近日，重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片，在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。

器件耐壓性能突出，擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上；閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異，通過率達(dá)到98%，實測值分布集中，具有較強(qiáng)的抗干擾能力，在大批量使用時更易于配對，從而節(jié)約成本。（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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公開資料顯示，龍騰半導(dǎo)體成立于2009年7月，是陜西省唯一一家集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)、測試于一體的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)。

目前，龍騰半導(dǎo)體已成功攻克高壓超結(jié)MOSFET、SiC功率器件等關(guān)鍵技術(shù)，并主導(dǎo)制定了國家超級結(jié)MOSFET行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，累計申請知識產(chǎn)權(quán)300余項。其技術(shù)成果不僅填補(bǔ)了國內(nèi)空白，還在國際市場上占據(jù)了一席之地。公司形成了包括高壓超結(jié)MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、屏菠柵溝槽(SGT)MOSFET、低壓溝槽(Trench)MOSFET、高壓平面MOSFET、SiC JBS&iMOSFET等6大產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)電子及消費電子等領(lǐng)域。

據(jù)市場最新消息顯示，龍騰半導(dǎo)體8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項目意義重大，其中一期已于2022年10月正式投產(chǎn)，形成年產(chǎn)8英寸硅外延片360萬片的生產(chǎn)能力，填補(bǔ)了陜西省集成電路產(chǎn)業(yè)缺少8英寸晶圓產(chǎn)線的市場空白。

該項目位于西安經(jīng)開區(qū)綜合保稅區(qū)內(nèi)，總建筑面積5.05萬平方米，總投資20億元。如今正在推進(jìn)的二期項目，將進(jìn)一步完善陜西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的“設(shè)計-制造-應(yīng)用”全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。
今年2月上旬，龍騰半導(dǎo)體發(fā)文表示，功率半導(dǎo)體訂單已排至六個月以后，預(yù)計同比增長2倍以上，全年同比增長有望達(dá)到300%以上。

此次西投控股的追加投資，不僅為項目提供了必要的資金支持，還將通過資源整合和政策協(xié)同，加速區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的形成，為西安建設(shè)“中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地”提供強(qiáng)勁動力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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中國電科：30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨

近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中國電科已累計出貨百余臺套，并在客戶現(xiàn)場穩(wěn)定運行。

據(jù)悉，SiC（碳化硅）外延設(shè)備是第三代半導(dǎo)體器件制造的核心關(guān)鍵設(shè)備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導(dǎo)電性等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、航空航天等領(lǐng)域。然而，由于技術(shù)門檻高、設(shè)備復(fù)雜，SiC外延設(shè)備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的難題。

此次大規(guī)模發(fā)貨，將有力推動國內(nèi)SiC器件制造企業(yè)的產(chǎn)能提升和技術(shù)升級。隨著更多SiC外延設(shè)備投入使用，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在材料制備環(huán)節(jié)將更加成熟，有助于降低碳化硅器件成本，提高產(chǎn)品性能，進(jìn)而促進(jìn)碳化硅在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

三安光電：湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)向維諦技術(shù)供貨

2月17日，三安光電在投資者互動平臺透露重要消息，湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已成功向維諦技術(shù)供貨，供貨金額達(dá)到千萬級別。此前三安光電與維諦技術(shù)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，維諦技術(shù)專注于數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)。此次成功供貨，不僅是雙方合作的重要成果，也標(biāo)志著三安光電在碳化硅產(chǎn)品市場拓展上邁出堅實一步。

據(jù)悉，在碳化硅功率器件方面，三安光電成績斐然。針對工業(yè)級市場，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已實現(xiàn)量產(chǎn)；面向車規(guī)級市場，車載充電機(jī)、空調(diào)壓縮機(jī)用SiCMOSFET已實現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶處導(dǎo)入可靠性驗證。隨著供貨維諦技術(shù)，其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等領(lǐng)域的市場份額有望進(jìn)一步擴(kuò)大。

中瓷電子：國聯(lián)萬眾公司SiC?MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)

中瓷電子近期在碳化硅業(yè)務(wù)上也有新進(jìn)展，其全資子公司國聯(lián)萬眾SiC MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，模塊產(chǎn)品目前處于小批量供貨階段。此前，國聯(lián)萬眾公司電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功并交付客戶上車驗證，還有小批量銷售。

在電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品方面，中瓷電子產(chǎn)品主要面向比亞迪，其他客戶也在密切接觸、合作協(xié)商、送樣驗證等階段。據(jù)悉，中瓷電子目前相關(guān)產(chǎn)能正在建設(shè)中，已具備一定生產(chǎn)能力，預(yù)計今年底月產(chǎn)能達(dá)到5000片，2024年預(yù)計月產(chǎn)能在5000-10000片。

另外，該公司募投項目已進(jìn)行初期投資，產(chǎn)能逐步建設(shè)，近兩年預(yù)期相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能可被下游客戶消化。隨著芯片量產(chǎn)和模塊小批量供貨，中瓷電子在電動汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域有望獲得更多市場機(jī)會，進(jìn)一步提升其在碳化硅功率器件市場的競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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據(jù)悉，該項目總投資16.8億元，建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)，于2023年12月開工建設(shè)。據(jù)稱項目將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，建成后將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

據(jù)“睿悅投資”消息，截至日前，福建晶旭半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)能75萬片氧化鎵外延生產(chǎn)基地，主體結(jié)構(gòu)已全部封頂，預(yù)計明年可以達(dá)到初步生產(chǎn)使用狀態(tài)。

公開資料顯示，晶旭半導(dǎo)體是一家專注于5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條技術(shù)、以IDM模式運行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)悉，該項目總投資約2.3億元，采用租賃芯屏高科技產(chǎn)業(yè)園廠房形式，用于建設(shè)IGBT及碳化硅（SiC）產(chǎn)線核心設(shè)備項目，生產(chǎn)智能測試分選機(jī)設(shè)備、甲酸真空焊接爐、SiC芯片測試分選機(jī)及晶圓老化測試設(shè)備等，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值約2.8億元。

項目于今年7月正式簽約，10月企業(yè)順利投產(chǎn)，11月產(chǎn)品交付客戶端，截至目前訂單已超5000萬元。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，近期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)投產(chǎn)、出貨等消息不斷。除賽美泰克之外，近兩月還有多個設(shè)備企業(yè)項目有新進(jìn)展。

·晶馳機(jī)電

11月2日，晶馳機(jī)電在河北石家莊投建半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目投產(chǎn)。該項目總投資2億元，占地約50.26畝，總建筑面積約20000平方米，項目分兩期建設(shè)，一期建設(shè)計劃時間為2025年—2026年。項目以金剛石設(shè)備與碳化硅外延設(shè)備為產(chǎn)品核心，專注于第三代和第四代半導(dǎo)體材料裝備的研發(fā)、生產(chǎn)。

11月26日，晶馳機(jī)電在浙江嘉興投建的半導(dǎo)體材料裝備研發(fā)生產(chǎn)項目也實現(xiàn)了投產(chǎn)。項目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計實現(xiàn)年產(chǎn)值1.4億元。

·廣州粵升

11月18日，廣州粵升實現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設(shè)備的大批量出貨。

·中導(dǎo)光電

11月20日，中導(dǎo)光電宣布獲得國內(nèi)功率半導(dǎo)體頭部客戶的8英寸碳化硅（SiC）晶圓缺陷檢測設(shè)備訂單。

·芯谷半導(dǎo)體

11月20日，芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項目兩幢研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂，預(yù)計明年12月底即可交付使用。

該項目占地面積110.9畝，建筑面積約30萬平方米，計劃總投資16.8億元，規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。項目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

·弗昂元

11月28日，上海弗昂元科技有限公司（簡稱“弗昂元”）投建的SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)項目簽約江蘇姜堰。項目總投資1.15億元，租用廠房約9200㎡ ，主要從事SiC模塊封裝設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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2024上半年，愛思強(qiáng)實現(xiàn)營收2.50億歐元（約合人民幣19.57億元），同比保持穩(wěn)定；息稅前利潤（EBIT）為2300萬歐元，同比下滑53%；實現(xiàn)訂單金額2.96億歐元，同比下降7%。

愛思強(qiáng)表示，在上半年市場整體表現(xiàn)疲弱的情況下，公司的G10產(chǎn)品系列驅(qū)動公司訂單需求增長。其中，2季度訂單金額與去年同期創(chuàng)紀(jì)錄的1.78億歐元基本持平，這是由于電力電子行業(yè)對于SiC和GaN功率應(yīng)用設(shè)備業(yè)務(wù)需求持續(xù)增長，報告期SiC功率應(yīng)用設(shè)備業(yè)務(wù)占新訂單比重為57%，GaN功率設(shè)備業(yè)務(wù)占訂單比重29%。

按業(yè)務(wù)類型分析，上半年，愛思強(qiáng)總營收中79%來自設(shè)備銷售（去年同期為82%），21%來自售后服務(wù)及耗材和備件（去年同期為18%）。

按終端應(yīng)用來看，上半年GaN功率設(shè)備應(yīng)用占總營收34%；其次是包含Micro LED技術(shù)在內(nèi)的LED設(shè)備應(yīng)用，占總營收32%；SiC功率應(yīng)用設(shè)備、光電子及通訊、研發(fā)等其他終端應(yīng)用分別占愛思強(qiáng)上半年營收18%、9%、7%。

按市場區(qū)域來看，愛思強(qiáng)上半年營收主要來自于亞洲市場（65%），其次為歐洲市場（27%），美洲市場占比僅為8%。

基于當(dāng)前電力電子領(lǐng)域業(yè)務(wù)環(huán)境，和大部分2季訂單需明年交付的情況，愛思強(qiáng)預(yù)計，3季度公司營收1.5億~1.8億歐元；全年營收下調(diào)至6.20~6.60億歐元，毛利率預(yù)計仍為43%~45%，息稅前利潤率下調(diào)至22%~25%。（來源：集邦化合物半導(dǎo)體）

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TrendForce集邦咨詢表示，以去年第四季裝機(jī)量來看，純電動車的逆變器占整體電動車（包含油電混合動力車HEV、純電動車BEV、插電混合式電動車PHEV、氫燃料電池車FCV）逆變器總裝機(jī)量約53%。市場規(guī)模方面，2023年第四季電動車逆變器達(dá)約44億美元，最大貢獻(xiàn)者為純電動車市場，占比逾60%。

由于透過將逆變器的功率元件從傳統(tǒng)的Si-IGBT，升級至SiC芯片可以提高耐壓能力和轉(zhuǎn)換效率，除了增加整車?yán)m(xù)航力之外，更有利于車廠推出高壓電動車型以提高充電效率，2023年第四季裝機(jī)于550V以上高壓車型的逆變器裝機(jī)量占比達(dá)9%，季增1%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年第四季裝配SiC功率芯片的逆變器已占整體逆變器裝機(jī)量15%，為了保障SiC芯片的穩(wěn)定供應(yīng)，許多車廠直接與上游功率半導(dǎo)體公司展開合作，例如理想汽車與芯聯(lián)集成簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，在SiC芯片設(shè)計及研發(fā)領(lǐng)域聯(lián)手開發(fā)產(chǎn)品。

為了降低車重以持續(xù)提高整車?yán)m(xù)航力，車廠及Tier 1紛紛推出以逆變器為核心之一的多合一電驅(qū)系統(tǒng)。在電驅(qū)系統(tǒng)的整合程度方面，中國目前領(lǐng)先全球，除了有比亞迪、零跑及賽力斯推出的8 in 1電驅(qū)系統(tǒng)；東風(fēng)汽車更是推出領(lǐng)先全球的10 in 1電驅(qū)系統(tǒng)。相較之下，BOSCH、Denso、ZF等國際傳統(tǒng)Tier 1仍著重在3 in 1電驅(qū)系統(tǒng)的開發(fā)。

（注：多合一電驅(qū)整合技術(shù)是車廠或Tier1為了提高新能源車整車?yán)m(xù)航力所發(fā)展出來的整合技術(shù)。該技術(shù)通常以電機(jī)、逆變器為核心，將其他如車載充電機(jī)（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC Converter）、電池管理系統(tǒng)（BMS）等電控零件整合在同一套系統(tǒng)內(nèi)。如此可以節(jié)省高壓電線的用量，降低整車重量，提高續(xù)航力。）

來源：TrendForce集邦咨詢

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據(jù)介紹，ET9采用蔚來自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達(dá)292Wh/kg，充電效率達(dá)到5C。官方數(shù)據(jù)是充電5分鐘，續(xù)航255公里。
據(jù)悉，SiC相比傳統(tǒng)硅基模塊（IGBT）功率轉(zhuǎn)換效率更高，使用SiC功率模塊能夠在一定程度上延長電動汽車?yán)m(xù)航里程，在同樣續(xù)航里程的情況下可削減電池容量，降低電池成本。

按照蔚來工程師此前公開的數(shù)據(jù)，ET7上的180kW永磁同步電機(jī)（主驅(qū)電機(jī)）采用了SiC功率模塊后，相比IGBT電流提升30%，綜合功率效率≥91.5%。

圖源：蔚來

2022年6月15日，伴隨ES7的發(fā)布，蔚來全新NT2.0平臺正式發(fā)布。據(jù)報道，目前基于該平臺，蔚來已推出ET5、ET7、EC7、ES6、ES7、ES8等多款SiC車型，蔚來由此也成為目前SiC量產(chǎn)車型較多的企業(yè)。

值得一提的是，蔚來ET系列上一代旗艦車型ET7搭載進(jìn)口品牌SiC功率模塊，而ET9采用蔚來自研自產(chǎn)SiC功率模塊，實現(xiàn)了國產(chǎn)替代。當(dāng)然，關(guān)鍵裸晶目前仍依賴進(jìn)口。

在造車新勢力三巨頭中，除蔚來外，理想和小鵬均正在大力引入SiC功率模塊。其中，理想于2022年發(fā)布LEEA2.0平臺。目前，基于該平臺理想推出了L9，該車電驅(qū)系統(tǒng)采用了理想與三安光電合資組建的蘇州斯科半導(dǎo)體的SiC功率模塊。隨著斯科半導(dǎo)體SiC功率模塊生產(chǎn)基地于2024年投產(chǎn)，理想基于LEEA2.0平臺打造的SiC車型矩陣有望進(jìn)一步擴(kuò)充。

小鵬則于2022年發(fā)布了首款SiC車型G9。今年4月，小鵬汽車又發(fā)布全新一代技術(shù)平臺——SEPA 2.0扶搖全域智能進(jìn)化架構(gòu)，為800V高壓SiC平臺?；谠撈脚_打造的SiC車型將標(biāo)配3C電芯，也可兼容4C電芯。其中，4C版本車樁結(jié)合可實現(xiàn)充電5分鐘補(bǔ)能200km，G6是該平臺下的代表車型。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，本次揭牌的中國一汽大灣區(qū)研發(fā)院將聚焦新能源和智能汽車領(lǐng)域前瞻技術(shù)、先進(jìn)材料、功率電子、芯片與車路協(xié)同示范五大方向，全力推進(jìn)全固態(tài)激光雷達(dá)、平面柵碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體與先進(jìn)陶瓷材料國產(chǎn)替代等項目。

目前，SiC功率器件正在加速上車，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車的功率控制單元（PCU）、電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)逆變器（Inverter）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電系統(tǒng)（OBC）以及非車載充電樁等方面。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

一汽公司也正在加大SiC功率器件研發(fā)和使用力度。今年8月底，一汽紅旗發(fā)文稱，公司與國內(nèi)SiC芯片企業(yè)聯(lián)合開發(fā)的750V HPD全國產(chǎn)框架灌封式SiC功率模塊A樣件試制完成，將用于紅旗首款電驅(qū)，已經(jīng)搭載于紅旗E009車型的逆變器A樣機(jī)開展測試。

另據(jù)了解，紅旗還完成全國產(chǎn)電驅(qū)用1200V塑封2in1 SiC功率模塊A樣件，并與中電科55所聯(lián)合開發(fā)了一汽首款750V、1200V SiC功率芯片。

在大力推動SiC功率器件研發(fā)的同時，紅旗已推出應(yīng)用SiC功率模塊的車型。今年4月，一汽紅旗全新電動中大型SUV紅旗E202亮相2023上海車展，紅旗E202基于800V SiC快充平臺的“旗幟”超級架構(gòu)，只需5分鐘充電即可續(xù)航300km。
SiC被普遍認(rèn)為是能支撐新能源汽車800V高壓平臺量產(chǎn)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，受到眾多新能源車企追捧。除紅旗外，比亞迪、理想、蔚來、小鵬等眾多車企紛紛官宣其SiC 800V平臺車型。

在SiC功率半導(dǎo)體加速上車趨勢下，一汽大灣區(qū)研發(fā)院推進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代，有助于推動國內(nèi)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)鏈蓬勃發(fā)展，加快相關(guān)產(chǎn)品在國產(chǎn)新能源汽車品牌中大規(guī)模推廣應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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